Caracteriza????o de filmes finos de TiOsub(2) obtidos por deposi????o qu??mica em fase vapor

• Autor(a) principal: CARRIEL, RODRIGO C.
• Data de Publicação: 2015
• Tipo de documento: Dissertação
• Título da fonte: Repositório Institucional do IPEN
• Texto Completo: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/23704
• topic: thin films; silicon; titanium oxides; chemical vapor deposition; x-ray diffraction; scanning electron microscopy; crystal structure; morphology; voltametry

Filmes finos de TiO2 foram crescidos sobre sil??cio (100) atrav??s do processo de deposi????o qu??mica de organomet??licos em fase vapor (MOCVD). Os filmes foram crescidos a 400, 500, 600 e 700??C em um equipamento horizontal tradicional. Tetraisoprop??xido de tit??nio foi utilizado como fonte tanto de tit??nio como de oxig??nio. Nitrog??nio foi utilizado como g??s de arraste e como g??s de purga. Foram realizadas an??lises de difra????o de raios-x para a caracteriza????o da estrutura cristalina. Microscopia eletr??nica de varredura com canh??o de emiss??o de campo foi utilizada para a avalia????o da morfologia e da espessura dos filmes. Os filmes de TiO2 crescidos a 400 e a 500??C apresentaram fase anatase. O filme crescido a 600??C apresentou as fases anatase e rutilo, enquanto que o filme crescido a 700??C apresentou, al??m de anatase e rutilo, a fase broquita. Para se avaliar o comportamento eletroqu??mico dos filmes foi utilizada a t??cnica de voltametria c??clica. Os testes indicaram um forte car??ter capacitivo dos filmes de TiO2. O pico de corrente an??dica ?? diretamente proporcional ?? raiz quadrada da velocidade de varredura para os filmes crescidos a 500??C, sugerindo que o mecanismo predominante de transporte de c??tions seja por difus??o linear. Observou-se que o filme crescido por 60 minutos permitiu maior facilidade de intercala????o e desintercala????o de ??ons Na+. Os filmes crescidos nas demais condi????es n??o apresentaram pico de corrente an??dica, embora o ac??mulo de cargas se fizesse presente.