Crescimento e caracterização de camadas epitaxiais de Pb1-xSnxTe com 0 '< ou =' x'< ou =' 1 por MBE.

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Paulo Henrique de Oliveira Rappl
Data de Publicação: 1998
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do ITA
Texto Completo: http://www.bd.bibl.ita.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=2576
Resumo: Filmes epitaxiais de telureto de chumbo e estanho com a concentração de estanho variando em todo o intervalo de composição de liga foram crescidos pela primeira vez poe epitaxia de feixe molecular (MBE) sobre o plano natural de clivagem do substrato de BaF2(111), utilizando-se fontes sólidas distintas de PbTe e SnTe. A largura a meia altura da varredura w/2q refletida pelos planos (222) das amostras, medida com um difratômetro de raios X de alta resolução, foi aproximadamente 400 segundos de grau para as ligas ternárias, e 150 segundos de grau para os compostos binários. A mobilidade Hall a baixa temperatura foi de 5x105cm2V-1s-1 para o PbTe, e 2x103cm2V-1s-1 para o SnTe, embora a qualidade cristalográfica das amostras fossem semelhantes. Este decréscimo na mobilidade é uma conseqüência do aumento de densidade de buracos, que variou de 2x1017cm-3 para 2x1020cm-3 quando a concentração de estanho mudou de 0 para 100%. Este valor elevado de densidade de portadores, nas amostras com alta concentração de estanho, mostrou uma grande mudança no espectro de transmissão no infravermelho medido entre 77 a 300K, devido ao efeito de Burstein-Moss.
id ITA_d5ffa14840003a5ee69f4db38d41f01a
oai_identifier_str oai:agregador.ibict.br.BDTD_ITA:oai:ita.br:2576
network_acronym_str ITA
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do ITA
spelling Crescimento e caracterização de camadas epitaxiais de Pb1-xSnxTe com 0 '< ou =' x'< ou =' 1 por MBE.Filmes finosEpitaxiaCaracterizaçãoMateriais compostosFeixes molecularesCristalografiaDifração por raios xEspectroscopia no infravermelhoMateriaisFísicaEngenharia mecânicaFilmes epitaxiais de telureto de chumbo e estanho com a concentração de estanho variando em todo o intervalo de composição de liga foram crescidos pela primeira vez poe epitaxia de feixe molecular (MBE) sobre o plano natural de clivagem do substrato de BaF2(111), utilizando-se fontes sólidas distintas de PbTe e SnTe. A largura a meia altura da varredura w/2q refletida pelos planos (222) das amostras, medida com um difratômetro de raios X de alta resolução, foi aproximadamente 400 segundos de grau para as ligas ternárias, e 150 segundos de grau para os compostos binários. A mobilidade Hall a baixa temperatura foi de 5x105cm2V-1s-1 para o PbTe, e 2x103cm2V-1s-1 para o SnTe, embora a qualidade cristalográfica das amostras fossem semelhantes. Este decréscimo na mobilidade é uma conseqüência do aumento de densidade de buracos, que variou de 2x1017cm-3 para 2x1020cm-3 quando a concentração de estanho mudou de 0 para 100%. Este valor elevado de densidade de portadores, nas amostras com alta concentração de estanho, mostrou uma grande mudança no espectro de transmissão no infravermelho medido entre 77 a 300K, devido ao efeito de Burstein-Moss.Instituto Tecnológico de AeronáuticaIrajá Newton BandeiraPaulo Henrique de Oliveira Rappl1998-00-00info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesishttp://www.bd.bibl.ita.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=2576reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do ITAinstname:Instituto Tecnológico de Aeronáuticainstacron:ITAporinfo:eu-repo/semantics/openAccessapplication/pdf2019-02-02T14:04:51Zoai:agregador.ibict.br.BDTD_ITA:oai:ita.br:2576http://oai.bdtd.ibict.br/requestopendoar:null2020-05-28 19:39:31.06Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do ITA - Instituto Tecnológico de Aeronáuticatrue
dc.title.none.fl_str_mv Crescimento e caracterização de camadas epitaxiais de Pb1-xSnxTe com 0 '< ou =' x'< ou =' 1 por MBE.
title Crescimento e caracterização de camadas epitaxiais de Pb1-xSnxTe com 0 '< ou =' x'< ou =' 1 por MBE.
spellingShingle Crescimento e caracterização de camadas epitaxiais de Pb1-xSnxTe com 0 '< ou =' x'< ou =' 1 por MBE.
Paulo Henrique de Oliveira Rappl
Filmes finos
Epitaxia
Caracterização
Materiais compostos
Feixes moleculares
Cristalografia
Difração por raios x
Espectroscopia no infravermelho
Materiais
Física
Engenharia mecânica
title_short Crescimento e caracterização de camadas epitaxiais de Pb1-xSnxTe com 0 '< ou =' x'< ou =' 1 por MBE.
title_full Crescimento e caracterização de camadas epitaxiais de Pb1-xSnxTe com 0 '< ou =' x'< ou =' 1 por MBE.
title_fullStr Crescimento e caracterização de camadas epitaxiais de Pb1-xSnxTe com 0 '< ou =' x'< ou =' 1 por MBE.
title_full_unstemmed Crescimento e caracterização de camadas epitaxiais de Pb1-xSnxTe com 0 '< ou =' x'< ou =' 1 por MBE.
title_sort Crescimento e caracterização de camadas epitaxiais de Pb1-xSnxTe com 0 '< ou =' x'< ou =' 1 por MBE.
author Paulo Henrique de Oliveira Rappl
author_facet Paulo Henrique de Oliveira Rappl
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Irajá Newton Bandeira
dc.contributor.author.fl_str_mv Paulo Henrique de Oliveira Rappl
dc.subject.por.fl_str_mv Filmes finos
Epitaxia
Caracterização
Materiais compostos
Feixes moleculares
Cristalografia
Difração por raios x
Espectroscopia no infravermelho
Materiais
Física
Engenharia mecânica
topic Filmes finos
Epitaxia
Caracterização
Materiais compostos
Feixes moleculares
Cristalografia
Difração por raios x
Espectroscopia no infravermelho
Materiais
Física
Engenharia mecânica
dc.description.none.fl_txt_mv Filmes epitaxiais de telureto de chumbo e estanho com a concentração de estanho variando em todo o intervalo de composição de liga foram crescidos pela primeira vez poe epitaxia de feixe molecular (MBE) sobre o plano natural de clivagem do substrato de BaF2(111), utilizando-se fontes sólidas distintas de PbTe e SnTe. A largura a meia altura da varredura w/2q refletida pelos planos (222) das amostras, medida com um difratômetro de raios X de alta resolução, foi aproximadamente 400 segundos de grau para as ligas ternárias, e 150 segundos de grau para os compostos binários. A mobilidade Hall a baixa temperatura foi de 5x105cm2V-1s-1 para o PbTe, e 2x103cm2V-1s-1 para o SnTe, embora a qualidade cristalográfica das amostras fossem semelhantes. Este decréscimo na mobilidade é uma conseqüência do aumento de densidade de buracos, que variou de 2x1017cm-3 para 2x1020cm-3 quando a concentração de estanho mudou de 0 para 100%. Este valor elevado de densidade de portadores, nas amostras com alta concentração de estanho, mostrou uma grande mudança no espectro de transmissão no infravermelho medido entre 77 a 300K, devido ao efeito de Burstein-Moss.
description Filmes epitaxiais de telureto de chumbo e estanho com a concentração de estanho variando em todo o intervalo de composição de liga foram crescidos pela primeira vez poe epitaxia de feixe molecular (MBE) sobre o plano natural de clivagem do substrato de BaF2(111), utilizando-se fontes sólidas distintas de PbTe e SnTe. A largura a meia altura da varredura w/2q refletida pelos planos (222) das amostras, medida com um difratômetro de raios X de alta resolução, foi aproximadamente 400 segundos de grau para as ligas ternárias, e 150 segundos de grau para os compostos binários. A mobilidade Hall a baixa temperatura foi de 5x105cm2V-1s-1 para o PbTe, e 2x103cm2V-1s-1 para o SnTe, embora a qualidade cristalográfica das amostras fossem semelhantes. Este decréscimo na mobilidade é uma conseqüência do aumento de densidade de buracos, que variou de 2x1017cm-3 para 2x1020cm-3 quando a concentração de estanho mudou de 0 para 100%. Este valor elevado de densidade de portadores, nas amostras com alta concentração de estanho, mostrou uma grande mudança no espectro de transmissão no infravermelho medido entre 77 a 300K, devido ao efeito de Burstein-Moss.
publishDate 1998
dc.date.none.fl_str_mv 1998-00-00
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
status_str publishedVersion
format doctoralThesis
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://www.bd.bibl.ita.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=2576
url http://www.bd.bibl.ita.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=2576
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Instituto Tecnológico de Aeronáutica
publisher.none.fl_str_mv Instituto Tecnológico de Aeronáutica
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do ITA
instname:Instituto Tecnológico de Aeronáutica
instacron:ITA
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do ITA
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do ITA
instname_str Instituto Tecnológico de Aeronáutica
instacron_str ITA
institution ITA
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do ITA - Instituto Tecnológico de Aeronáutica
repository.mail.fl_str_mv
subject_por_txtF_mv Filmes finos
Epitaxia
Caracterização
Materiais compostos
Feixes moleculares
Cristalografia
Difração por raios x
Espectroscopia no infravermelho
Materiais
Física
Engenharia mecânica
_version_ 1706809287586611200

Registros relacionados