A barreira Schottky na interface Al:nGaAs preparada por MBE
Autor(a) principal: | |
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Data de Publicação: | 1992 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Repositório Institucional da UFMG |
Texto Completo: | http://hdl.handle.net/1843/BUBD-9BTRG6 |
Resumo: | Este trabalho consiste no estudo do cráter dos estados responsáveis pela determinação da posição de EF na interface ("pinning") entre metal e o semicondutor. Para isso foram preparadas interfaces entre Al e nGaAs (100) crescidas por MBE, sendo a barreira Schottky determinada por medidas elétricas I(V), C(V) para diferentes temperaturas. Como a barreira Schottky mostra-se dependentecdas condições da interface foram feitas medidas de difração de raios-x para determinaçãoda orientação do filme de Al. O caráter dos estados responsáveis pelo "pinning" foi obtido da comparação entre os coeficientes de temperatura de 0B (determinado experimentalmente) e dos máximo e mínimo das bandas de valência e condução, respectivamente. Encontramos que a altura da barreira Schottky é independente da temperatura. Os resultados são discutidos dentro do contexto dos modelos atuais. |
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Wagner Nunes RodriguesNivaldo Lucio SpezialiHelio ChachamGerald WeberVania Aguiar Moura2019-08-14T07:20:57Z2019-08-14T07:20:57Z1992-03-09http://hdl.handle.net/1843/BUBD-9BTRG6Este trabalho consiste no estudo do cráter dos estados responsáveis pela determinação da posição de EF na interface ("pinning") entre metal e o semicondutor. Para isso foram preparadas interfaces entre Al e nGaAs (100) crescidas por MBE, sendo a barreira Schottky determinada por medidas elétricas I(V), C(V) para diferentes temperaturas. Como a barreira Schottky mostra-se dependentecdas condições da interface foram feitas medidas de difração de raios-x para determinaçãoda orientação do filme de Al. O caráter dos estados responsáveis pelo "pinning" foi obtido da comparação entre os coeficientes de temperatura de 0B (determinado experimentalmente) e dos máximo e mínimo das bandas de valência e condução, respectivamente. Encontramos que a altura da barreira Schottky é independente da temperatura. Os resultados são discutidos dentro do contexto dos modelos atuais.In onder to study mechanisms of Fermi levei pinnlg we haveprepared Intrerffiices belrween Al and nGaAs(100) by MBE .The Sahottkybarrier for different, sample t.emporatures is then obtained from I(V) andC(V). As the Schottky barrier is dependent, of interface conditions, wehave measured X-ray difraction of the Al film, in order to determine theAl film orietation . The character of pinning states has been interpreted in terms of the temperature coefficient of the band structure of semiconductor. We have observed that the Schottky barrier height is temperature independent and the results are discussed within the context of the current pinning model.Universidade Federal de Minas GeraisUFMGSchottky, Diodos de barreira deEpitaxia por feixe molecularFeixes molecularesFísicaFísicaA barreira Schottky na interface Al:nGaAs preparada por MBEinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisinfo:eu-repo/semantics/openAccessporreponame:Repositório Institucional da UFMGinstname:Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)instacron:UFMGORIGINALfisica_vaniaaguiarmoura_dissertacao.pdfapplication/pdf2691623https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/BUBD-9BTRG6/1/fisica_vaniaaguiarmoura_dissertacao.pdf1eeb888a68fe1ba58a8f5de0874ffb47MD51TEXTfisica_vaniaaguiarmoura_dissertacao.pdf.txtfisica_vaniaaguiarmoura_dissertacao.pdf.txtExtracted texttext/plain86639https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/BUBD-9BTRG6/2/fisica_vaniaaguiarmoura_dissertacao.pdf.txtee3221b7b2478a44191eeb99cd928cdcMD521843/BUBD-9BTRG62019-11-14 13:58:40.73oai:repositorio.ufmg.br:1843/BUBD-9BTRG6Repositório de PublicaçõesPUBhttps://repositorio.ufmg.br/oaiopendoar:2019-11-14T16:58:40Repositório Institucional da UFMG - Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)false |
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