O transistor bipolar do Gate de indução na eletrônica de potência

• Autor(a) principal: LIMA, Felipe dos Santos
• Data de Publicação: 2021
• Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
• Idioma: por
• Título da fonte: Scientia – Repositório Institucional
• Texto Completo: https://repositorio.pgsskroton.com//handle/123456789/36632
• topic: Eletrônica de potência; IGBT; Transistores e MOSFET’s de potência

O transistor bipolar do Gate de indução é um dispositivo controlado por tensão, precisa apenas de uma pequena quantidade de tensão no terminal do gate para continuar a condução através do dispositivo. O Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) é uma forma abreviada de transistor bipolar com Gate isolado, combinação de transistor de junção bipolar (BJT) e transistor de efeito de campo de óxido metálico (MOS-FET). Nesse contexto, essa pesquisa compreendeu o funcionamento e as aplicabilidades do IGBT nos inversores de frequência. A pesquisa foi desenvolvida no modelo de revisão bibliográfica, buscando em artigos, monográficas, livros e todos os demais meios científicos, que agreguem seu desenvolvimento. Concluiu-se que como o IGBT é uma combinação de MOSFET e Transistor, tem vantagens dos transistores e do MOSFET. O MOSFET possui vantagens de alta velocidade de comutação com alta impedância e no outro lado o BJT possui vantagem de alto ganho e baixa tensão de saturação, ambos presentes no transistor IGBT.