[en] GAAS FET MICROWAVE OSCILLATORS

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: LUIS AFONSO BERMUDEZ
Data de Publicação: 2008
Tipo de documento: Outros
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da PUC-RIO (Projeto Maxwell)
Texto Completo: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=11246@1
https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=11246@2
http://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.11246
Resumo: [pt] Este trabalho apresenta sistemáticas para projetos de osciladores de microondas empregando basicamente como elemento ativo o transistor FET GaAs em várias configurações. Inicialmente o modelamento a pequenos sinais é estudado e um projeto é desenvolvido para comprovação experimental. Determinações de redes adaptadoras de saídas para o oscilador são apresentadas. A teoria básica de osciladores de microondas a resistência negativa é mostrada com o intuito de modelar o dispositivo ativo em nível de grandes sinais. Um estudo de ruído em osciladores de microondas também é desenvolvido para uma melhor caracterização dos osciladores. Osciladores de microondas estabilizados a ressoadores dielétricos são estudados e um projeto numa configuração original é realizado. Programas Auxiliares de Projetos (PAP) prórpios para calculadoras programáveis de mesa foram desenvolvidos e testados nos projetos apresentados.
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