Desenvolvimento e análise da passivação com dióxido de silício de células solares com campo retrodifusor seletivo

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Razera, Ricardo Augusto Zanotto
Data de Publicação: 2017
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_RS
Texto Completo: http://tede2.pucrs.br/tede2/handle/tede/7164
Resumo: The passivation of silicon solar cell surfaces is important for reducing the recombination rate of electron-hole pairs and, consequently, for improving efficiency. The goal of this work was to analyze the passivation quality obtained with thermal oxidation of solar grade silicon wafers and of solar cells with type p base and selective back surface field, producing thin films of SiO2. First, the dependence of minority carrier lifetime on oxidation time and temperature with and without the addition of chlorine was analyzed. I-V curves and spectral response measurements were conducted to determine the influence of oxidation parameters on the solar cells electrical characteristics. The results related to the oxidation furnace cleaning showed that introducing chlorine during oxidation it was possible to avoid the decline of minority carrier lifetime for silicon of Czochralski type and temperatures higher than 1000 °C. As regarded to the oxide passivation, it was observed that the effective minority carrier lifetime increases for thicker oxides. The oxidation time and temperature that resulted in the highest efficiencies were 45 min and 800 °C, resulting in oxide thicknesses on the front and back surfaces of 53 nm and 10 nm, respectively. The best solar cell with selective back surface field and SiO2 passivation presented Jsc = 36.0 mA/cm2, Voc = 598.6 mV and FF = 0.777, corresponding to an efficiency of 16.8 %.
id P_RS_c0615e5f42f8774ce648ae1c6e4fad5e
oai_identifier_str oai:tede2.pucrs.br:tede/7164
network_acronym_str P_RS
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_RS
repository_id_str
spelling Moehlecke, Adriano487.387.270-72http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4787919H0Zanesco, Izetehttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4787917H3005.538.920-10http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K8133493Z1Razera, Ricardo Augusto Zanotto2017-03-14T17:19:33Z2017-01-11http://tede2.pucrs.br/tede2/handle/tede/7164The passivation of silicon solar cell surfaces is important for reducing the recombination rate of electron-hole pairs and, consequently, for improving efficiency. The goal of this work was to analyze the passivation quality obtained with thermal oxidation of solar grade silicon wafers and of solar cells with type p base and selective back surface field, producing thin films of SiO2. First, the dependence of minority carrier lifetime on oxidation time and temperature with and without the addition of chlorine was analyzed. I-V curves and spectral response measurements were conducted to determine the influence of oxidation parameters on the solar cells electrical characteristics. The results related to the oxidation furnace cleaning showed that introducing chlorine during oxidation it was possible to avoid the decline of minority carrier lifetime for silicon of Czochralski type and temperatures higher than 1000 °C. As regarded to the oxide passivation, it was observed that the effective minority carrier lifetime increases for thicker oxides. The oxidation time and temperature that resulted in the highest efficiencies were 45 min and 800 °C, resulting in oxide thicknesses on the front and back surfaces of 53 nm and 10 nm, respectively. The best solar cell with selective back surface field and SiO2 passivation presented Jsc = 36.0 mA/cm2, Voc = 598.6 mV and FF = 0.777, corresponding to an efficiency of 16.8 %.A passivação das superfícies de células solares é importante para a redução da taxa de recombinação de pares elétron-lacuna e, consequentemente, para o aumento de eficiência. O objetivo deste trabalho foi analisar a qualidade da passivação obtida com oxidação térmica de lâminas de silício grau solar e células solares com base p e campo retrodifusor seletivo, produzindo filmes finos de SiO2. Primeiramente, foi analisada a dependência do tempo de vida dos portadores de carga minoritários com o tempo e temperatura de oxidação para oxidações com e sem adição de cloro. Medidas de curva I-V e resposta espectral foram realizadas para determinar a influência dos parâmetros de oxidação nas características elétricas de células solares. Os resultados relacionados à limpeza do tubo de oxidação mostraram que a introdução de cloro durante a oxidação foi capaz de evitar a diminuição do tempo de vida dos portadores minoritários para lâminas de silício tipo Czochralski para temperaturas de processo maiores que 1000 °C. Em relação a passivação atribuída ao óxido, foi observado que o tempo de vida efetivo dos portadores minoritários aumenta para óxidos mais espessos. O tempo e a temperatura de oxidação que resultaram em maiores eficiências foram de 45 min e 800 °C, apresentando uma camada de SiO2 nas faces frontal e posterior de 53 nm e 10 nm, respectivamente. A melhor célula solar com campo retrodifusor seletivo e com passivação de SiO2 apresentou Jsc = 36,0 mA/cm2, Voc = 598,6 mV e FF = 0,777, correspondendo a uma eficiência de 16,8 %.Submitted by Setor de Tratamento da Informação - BC/PUCRS (tede2@pucrs.br) on 2017-03-14T17:19:33Z No. of bitstreams: 1 DIS_RICARDO_AUGUSTO_ZANOTTO_RAZERA_COMPLETO.pdf: 2671041 bytes, checksum: f1125678bbb77f283914b17e91493182 (MD5)Made available in DSpace on 2017-03-14T17:19:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DIS_RICARDO_AUGUSTO_ZANOTTO_RAZERA_COMPLETO.pdf: 2671041 bytes, checksum: f1125678bbb77f283914b17e91493182 (MD5) Previous issue date: 2017-01-11application/pdfhttp://tede2.pucrs.br:80/tede2/retrieve/167458/DIS_RICARDO_AUGUSTO_ZANOTTO_RAZERA_COMPLETO.pdf.jpgporPontifícia Universidade Católica do Rio Grande do SulPrograma de Pós-Graduação em Engenharia e Tecnologia de MateriaisPUCRSBrasilFaculdade de EngenhariaCÉLULAS SOLARESÓXIDO DE SILÍCIOENGENHARIA DE MATERIAISENGENHARIASDesenvolvimento e análise da passivação com dióxido de silício de células solares com campo retrodifusor seletivoDevelopment and Analysis of the Surface Passivation of Solar Cells with Silicon Dioxide and Selective Back Surface Fieldinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesis-7432719344215120122600600600-6557705727614397854518971056484826825info:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_RSinstname:Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul (PUCRS)instacron:PUC_RSTHUMBNAILDIS_RICARDO_AUGUSTO_ZANOTTO_RAZERA_COMPLETO.pdf.jpgDIS_RICARDO_AUGUSTO_ZANOTTO_RAZERA_COMPLETO.pdf.jpgimage/jpeg5817http://tede2.pucrs.br/tede2/bitstream/tede/7164/5/DIS_RICARDO_AUGUSTO_ZANOTTO_RAZERA_COMPLETO.pdf.jpg78ac3c34d9c1603bd894b04780c4cce0MD55TEXTDIS_RICARDO_AUGUSTO_ZANOTTO_RAZERA_COMPLETO.pdf.txtDIS_RICARDO_AUGUSTO_ZANOTTO_RAZERA_COMPLETO.pdf.txttext/plain164778http://tede2.pucrs.br/tede2/bitstream/tede/7164/4/DIS_RICARDO_AUGUSTO_ZANOTTO_RAZERA_COMPLETO.pdf.txt0a389c666af31485340d834cee995094MD54LICENSElicense.txtlicense.txttext/plain; charset=utf-8610http://tede2.pucrs.br/tede2/bitstream/tede/7164/3/license.txt5a9d6006225b368ef605ba16b4f6d1beMD53ORIGINALDIS_RICARDO_AUGUSTO_ZANOTTO_RAZERA_COMPLETO.pdfDIS_RICARDO_AUGUSTO_ZANOTTO_RAZERA_COMPLETO.pdfapplication/pdf2671041http://tede2.pucrs.br/tede2/bitstream/tede/7164/2/DIS_RICARDO_AUGUSTO_ZANOTTO_RAZERA_COMPLETO.pdff1125678bbb77f283914b17e91493182MD52tede/71642017-03-14 20:00:59.375oai:tede2.pucrs.br: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Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://tede2.pucrs.br/tede2/PRIhttps://tede2.pucrs.br/oai/requestbiblioteca.central@pucrs.br||opendoar:2017-03-14T23:00:59Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_RS - Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul (PUCRS)false
dc.title.por.fl_str_mv Desenvolvimento e análise da passivação com dióxido de silício de células solares com campo retrodifusor seletivo
dc.title.alternative.eng.fl_str_mv Development and Analysis of the Surface Passivation of Solar Cells with Silicon Dioxide and Selective Back Surface Field
title Desenvolvimento e análise da passivação com dióxido de silício de células solares com campo retrodifusor seletivo
spellingShingle Desenvolvimento e análise da passivação com dióxido de silício de células solares com campo retrodifusor seletivo
Razera, Ricardo Augusto Zanotto
CÉLULAS SOLARES
ÓXIDO DE SILÍCIO
ENGENHARIA DE MATERIAIS
ENGENHARIAS
title_short Desenvolvimento e análise da passivação com dióxido de silício de células solares com campo retrodifusor seletivo
title_full Desenvolvimento e análise da passivação com dióxido de silício de células solares com campo retrodifusor seletivo
title_fullStr Desenvolvimento e análise da passivação com dióxido de silício de células solares com campo retrodifusor seletivo
title_full_unstemmed Desenvolvimento e análise da passivação com dióxido de silício de células solares com campo retrodifusor seletivo
title_sort Desenvolvimento e análise da passivação com dióxido de silício de células solares com campo retrodifusor seletivo
author Razera, Ricardo Augusto Zanotto
author_facet Razera, Ricardo Augusto Zanotto
author_role author
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Moehlecke, Adriano
dc.contributor.advisor1ID.fl_str_mv 487.387.270-72
dc.contributor.advisor1Lattes.fl_str_mv http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4787919H0
dc.contributor.advisor-co1.fl_str_mv Zanesco, Izete
dc.contributor.advisor-co1Lattes.fl_str_mv http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4787917H3
dc.contributor.authorID.fl_str_mv 005.538.920-10
dc.contributor.authorLattes.fl_str_mv http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K8133493Z1
dc.contributor.author.fl_str_mv Razera, Ricardo Augusto Zanotto
contributor_str_mv Moehlecke, Adriano
Zanesco, Izete
dc.subject.por.fl_str_mv CÉLULAS SOLARES
ÓXIDO DE SILÍCIO
ENGENHARIA DE MATERIAIS
topic CÉLULAS SOLARES
ÓXIDO DE SILÍCIO
ENGENHARIA DE MATERIAIS
ENGENHARIAS
dc.subject.cnpq.fl_str_mv ENGENHARIAS
description The passivation of silicon solar cell surfaces is important for reducing the recombination rate of electron-hole pairs and, consequently, for improving efficiency. The goal of this work was to analyze the passivation quality obtained with thermal oxidation of solar grade silicon wafers and of solar cells with type p base and selective back surface field, producing thin films of SiO2. First, the dependence of minority carrier lifetime on oxidation time and temperature with and without the addition of chlorine was analyzed. I-V curves and spectral response measurements were conducted to determine the influence of oxidation parameters on the solar cells electrical characteristics. The results related to the oxidation furnace cleaning showed that introducing chlorine during oxidation it was possible to avoid the decline of minority carrier lifetime for silicon of Czochralski type and temperatures higher than 1000 °C. As regarded to the oxide passivation, it was observed that the effective minority carrier lifetime increases for thicker oxides. The oxidation time and temperature that resulted in the highest efficiencies were 45 min and 800 °C, resulting in oxide thicknesses on the front and back surfaces of 53 nm and 10 nm, respectively. The best solar cell with selective back surface field and SiO2 passivation presented Jsc = 36.0 mA/cm2, Voc = 598.6 mV and FF = 0.777, corresponding to an efficiency of 16.8 %.
publishDate 2017
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2017-03-14T17:19:33Z
dc.date.issued.fl_str_mv 2017-01-11
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://tede2.pucrs.br/tede2/handle/tede/7164
url http://tede2.pucrs.br/tede2/handle/tede/7164
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.program.fl_str_mv -7432719344215120122
dc.relation.confidence.fl_str_mv 600
600
600
dc.relation.department.fl_str_mv -655770572761439785
dc.relation.cnpq.fl_str_mv 4518971056484826825
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul
dc.publisher.program.fl_str_mv Programa de Pós-Graduação em Engenharia e Tecnologia de Materiais
dc.publisher.initials.fl_str_mv PUCRS
dc.publisher.country.fl_str_mv Brasil
dc.publisher.department.fl_str_mv Faculdade de Engenharia
publisher.none.fl_str_mv Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_RS
instname:Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul (PUCRS)
instacron:PUC_RS
instname_str Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul (PUCRS)
instacron_str PUC_RS
institution PUC_RS
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_RS
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_RS
bitstream.url.fl_str_mv http://tede2.pucrs.br/tede2/bitstream/tede/7164/5/DIS_RICARDO_AUGUSTO_ZANOTTO_RAZERA_COMPLETO.pdf.jpg
http://tede2.pucrs.br/tede2/bitstream/tede/7164/4/DIS_RICARDO_AUGUSTO_ZANOTTO_RAZERA_COMPLETO.pdf.txt
http://tede2.pucrs.br/tede2/bitstream/tede/7164/3/license.txt
http://tede2.pucrs.br/tede2/bitstream/tede/7164/2/DIS_RICARDO_AUGUSTO_ZANOTTO_RAZERA_COMPLETO.pdf
bitstream.checksum.fl_str_mv 78ac3c34d9c1603bd894b04780c4cce0
0a389c666af31485340d834cee995094
5a9d6006225b368ef605ba16b4f6d1be
f1125678bbb77f283914b17e91493182
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_RS - Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul (PUCRS)
repository.mail.fl_str_mv biblioteca.central@pucrs.br||
_version_ 1799765324139069440