Desenvolvimento de filmes finos baseados em ZnO para aplicação em dispositivos memristivos

• Autor(a) principal: Ferreira, Orlando José da Silva
• Data de Publicação: 2022
• Tipo de documento: Dissertação
• Idioma: por
• Título da fonte: Repositório Científico de Acesso Aberto de Portugal (Repositórios Cientìficos)
• Texto Completo: http://hdl.handle.net/10362/152447
• topic: óxido de zinco; pulverização catódica DC assistida por magnetrão; memrístores; caracterização elétrica; Domínio/Área Científica::Engenharia e Tecnologia::Outras Engenharias e Tecnologias

Neste trabalho foram depositados filmes de óxido de zinco (ZnO) em substratos de vidro com óxido de estanho e índio (substratos de ITO – Indium-doped Tin Oxide), através de pulverização catódica DC assistida por magnetrão, para aplicação em dispositivos com comportamento de memória resistiva (memrístores). Os filmes de ZnO foram produzidos a partir de alvos metálicos de zinco numa descarga reativa utilizando diferentes parâmetros de deposição, nomeadamente potência aplicada e a pressão parcial de oxigénio, mantendo-se constantes a pressão de trabalho, o tempo de deposição e a distância entre os substratos e o alvo. Os filmes de ZnO foram sistematicamente caracterizados por espetroscopia UV-Vis, espetroscopia Raman e do ponto de vista elétrico, recorrendo a medidas de condutividade de superfície e de volume, assim como espectroscopia de impedância. A caracterização por espectroscopia UV-Vis mostrou que a transmitância aumenta com o aumento da pressão parcial de oxigénio, o que demonstra a diminuição da espessura dos filmes produzidos com este parâmetro. A formação de ZnO com estrutura wurtzite foi evidenciada por espectroscopia de Raman para todos os filmes depositados. As medidas de condutividade de superfície, assim como as medidas de condutividade de volume, através do método de quatro pontas revelaram que em todos os filmes testados, foi possível identificar transições entre estados de baixa resistência e estados de elevada resistência, confirmando assim a boa aplicabilidade deste método e materiais para a produção de memrístores.