Memristive properties in GaN HEMTs affected by deep-level traps

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Gomes, João Lucas Lessa
Data de Publicação: 2017
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: eng
Título da fonte: Repositório Científico de Acesso Aberto de Portugal (Repositórios Cientìficos)
Texto Completo: http://hdl.handle.net/10773/23614
Resumo: Nesta dissertação de Mestrado nós avaliamos as características da corrente do canal de um GaN High Electron Mobility Transistor (GaN HEMT) pelas suas características memristivas. Utilizando uma implementação do modelo físico de SRH em Matlab e diversas medidas experimentais pulsadas I-V e resultados de excitação sinusoidal, n os demonstramos que o canal de um GaN HEMT afectado por traps de níveis profundos pode, de facto, apresentar as duas características fundamentais do critério de memristividade: (i) Uma trajetória com histerese comprimida no espaço de fase iDS /vDS quando o dispositivo e excitado por um estimulo sinusoidal, e (ii) uma histerese cuja área é monotónica e desvanece para frequências cada vez maiores.
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