Carbeto de Silício como Material Base para Sensores MEMS de Uso Aeroespacial: Uma Visão Geral

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Fraga,M.A.
Data de Publicação: 2014
Outros Autores: Pessoa,R. S., Massi,M., Maciel,H. S.
Tipo de documento: Artigo
Idioma: por
Título da fonte: Matéria (Rio de Janeiro. Online)
Texto Completo: http://old.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S1517-70762014000300274
Resumo: Este artigo discute o emprego do carbeto de silício (SiC), na forma de substrato e filme fino, em sensores MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) para aplicações em ambientes sujeitos a condições extremas, especialmente no setor aeroespacial. As propriedades físicas e químicas do SiC que o tornam um material adequado para dispositivos eletrônicos e sensores são descritas. Os conceitos, evolução e aplicações da tecnologia MEMS são apresentados. Uma visão geral sobre o estágio atual de desenvolvimento de sensores MEMS baseados em SiC e uma análise das pesquisas realizadas nesta área no exterior e no Brasil, tanto nas universidades quanto nas indústrias, são também apresentadas. Os recentes avanços alcançados, as dificuldades encontradas e o impacto dessas pesquisas são discutidos, bem como as perspectivas para um futuro próximo.
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