Determinação do mecanismo de crescimento e caracterização de filmes dielétricos crescidos sobre carbeto de silício

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Silveira, Paula
Data de Publicação: 2020
Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFRGS
Texto Completo: http://hdl.handle.net/10183/213390
Resumo: Neste trabalho, foi investigado um material semicondutor usado como substituto para o silício (Si) em aplicações com alta potência, frequência e temperatura: o carbeto de silício (SiC). Sua principal característica de interesse é a formação de um filme de dióxido de silício (SiO2) através da oxidação térmica. Foi feita a oxidação úmida (O2 borbulhado em água deionizada) de amostras de SiC á temperatura de 1100°C e 900°C, durante diferentes intervalos de tempo com o objetivo de formar filmes dielétricos. Foram empregadas técnicas de análise de materiais como Espectrometria de Retroespalhamento Rutherford em geometria de canalização (c-RBS), Espectroscopia de Fotoelétrons induzidos por Raios X (XPS) e Refletometria de Raios X (XRR) a fim de investigar a cinética do processo, a quantidade de oxigênio incorporado na região interfacial SiO2/SiC em função da temperatura e do tempo de oxidação, o ambiente químico dos átomos envolvidos, bem como obter uma estimativa da espessura, densidade volumétrica e rugosidade dos filmes formados. Além disso, foi obtida uma simulação da incorporação de oxigênio em amostras de SiC, de acordo com as condições iniciais fornecidas, tendo como base a equação da difusão.
id UFRGS-2_4d33b6b58cceaab8c22968b0e877e572
oai_identifier_str oai:www.lume.ufrgs.br:10183/213390
network_acronym_str UFRGS-2
network_name_str Repositório Institucional da UFRGS
repository_id_str
spelling Silveira, PaulaStedile, Fernanda ChiarelloAlmeida, Rita Maria Cunha de2020-09-11T04:03:51Z2020http://hdl.handle.net/10183/213390001117312Neste trabalho, foi investigado um material semicondutor usado como substituto para o silício (Si) em aplicações com alta potência, frequência e temperatura: o carbeto de silício (SiC). Sua principal característica de interesse é a formação de um filme de dióxido de silício (SiO2) através da oxidação térmica. Foi feita a oxidação úmida (O2 borbulhado em água deionizada) de amostras de SiC á temperatura de 1100°C e 900°C, durante diferentes intervalos de tempo com o objetivo de formar filmes dielétricos. Foram empregadas técnicas de análise de materiais como Espectrometria de Retroespalhamento Rutherford em geometria de canalização (c-RBS), Espectroscopia de Fotoelétrons induzidos por Raios X (XPS) e Refletometria de Raios X (XRR) a fim de investigar a cinética do processo, a quantidade de oxigênio incorporado na região interfacial SiO2/SiC em função da temperatura e do tempo de oxidação, o ambiente químico dos átomos envolvidos, bem como obter uma estimativa da espessura, densidade volumétrica e rugosidade dos filmes formados. Além disso, foi obtida uma simulação da incorporação de oxigênio em amostras de SiC, de acordo com as condições iniciais fornecidas, tendo como base a equação da difusão.In this monography was discussed a semiconductor material used as a substitute for silicon (Si) in applications that involve high power, frequency and temperature: silicon carbide (SiC). Its most interesting feature is the formation of a silicon dioxide (SiO2) film through thermal oxidation. The wet oxidation (O2 bubbled in deionized water) of SiC samples was performed at the temperatures 1100°C and 900°C over different time intervals to form the dielectric film. Material analysis techniques such as Rutherford Backscattering Spectrometry in channeling geometry (c-RBS), X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) and X-ray Reflectometry (XRR) were employed to investigate the kinetics of the process and the amount of oxygen incorporated to the SiO2/SiC interfacial region as a function of temperature and oxidation time, the chemical environment of the atoms involved, as well as to obtain an estimate of the thickness and volumetric density of the formed films. In addition, a simulation of the incorporation of oxygen in SiC samples, according to the initial conditions provided, based on the diffusion equation was presented.application/pdfporCarbeto de silícioOxidação térmicaSemicondutoresFilmes finosDeterminação do mecanismo de crescimento e caracterização de filmes dielétricos crescidos sobre carbeto de silícioinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/bachelorThesisUniversidade Federal do Rio Grande do SulInstituto de FísicaPorto Alegre, BR-RS2020Engenharia Físicagraduaçãoinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional da UFRGSinstname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)instacron:UFRGSTEXT001117312.pdf.txt001117312.pdf.txtExtracted Texttext/plain106302http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/213390/2/001117312.pdf.txt5aa8e694244b038a4c25a4e1b62a736bMD52ORIGINAL001117312.pdfTexto completoapplication/pdf3841340http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/213390/1/001117312.pdfbe5954aafeff5d65227b6a3aa10d2c0cMD5110183/2133902024-07-10 06:24:58.776554oai:www.lume.ufrgs.br:10183/213390Repositório InstitucionalPUBhttps://lume.ufrgs.br/oai/requestlume@ufrgs.bropendoar:2024-07-10T09:24:58Repositório Institucional da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)false
dc.title.pt_BR.fl_str_mv Determinação do mecanismo de crescimento e caracterização de filmes dielétricos crescidos sobre carbeto de silício
title Determinação do mecanismo de crescimento e caracterização de filmes dielétricos crescidos sobre carbeto de silício
spellingShingle Determinação do mecanismo de crescimento e caracterização de filmes dielétricos crescidos sobre carbeto de silício
Silveira, Paula
Carbeto de silício
Oxidação térmica
Semicondutores
Filmes finos
title_short Determinação do mecanismo de crescimento e caracterização de filmes dielétricos crescidos sobre carbeto de silício
title_full Determinação do mecanismo de crescimento e caracterização de filmes dielétricos crescidos sobre carbeto de silício
title_fullStr Determinação do mecanismo de crescimento e caracterização de filmes dielétricos crescidos sobre carbeto de silício
title_full_unstemmed Determinação do mecanismo de crescimento e caracterização de filmes dielétricos crescidos sobre carbeto de silício
title_sort Determinação do mecanismo de crescimento e caracterização de filmes dielétricos crescidos sobre carbeto de silício
author Silveira, Paula
author_facet Silveira, Paula
author_role author
dc.contributor.author.fl_str_mv Silveira, Paula
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Stedile, Fernanda Chiarello
dc.contributor.advisor-co1.fl_str_mv Almeida, Rita Maria Cunha de
contributor_str_mv Stedile, Fernanda Chiarello
Almeida, Rita Maria Cunha de
dc.subject.por.fl_str_mv Carbeto de silício
Oxidação térmica
Semicondutores
Filmes finos
topic Carbeto de silício
Oxidação térmica
Semicondutores
Filmes finos
description Neste trabalho, foi investigado um material semicondutor usado como substituto para o silício (Si) em aplicações com alta potência, frequência e temperatura: o carbeto de silício (SiC). Sua principal característica de interesse é a formação de um filme de dióxido de silício (SiO2) através da oxidação térmica. Foi feita a oxidação úmida (O2 borbulhado em água deionizada) de amostras de SiC á temperatura de 1100°C e 900°C, durante diferentes intervalos de tempo com o objetivo de formar filmes dielétricos. Foram empregadas técnicas de análise de materiais como Espectrometria de Retroespalhamento Rutherford em geometria de canalização (c-RBS), Espectroscopia de Fotoelétrons induzidos por Raios X (XPS) e Refletometria de Raios X (XRR) a fim de investigar a cinética do processo, a quantidade de oxigênio incorporado na região interfacial SiO2/SiC em função da temperatura e do tempo de oxidação, o ambiente químico dos átomos envolvidos, bem como obter uma estimativa da espessura, densidade volumétrica e rugosidade dos filmes formados. Além disso, foi obtida uma simulação da incorporação de oxigênio em amostras de SiC, de acordo com as condições iniciais fornecidas, tendo como base a equação da difusão.
publishDate 2020
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2020-09-11T04:03:51Z
dc.date.issued.fl_str_mv 2020
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
format bachelorThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://hdl.handle.net/10183/213390
dc.identifier.nrb.pt_BR.fl_str_mv 001117312
url http://hdl.handle.net/10183/213390
identifier_str_mv 001117312
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional da UFRGS
instname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
instname_str Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron_str UFRGS
institution UFRGS
reponame_str Repositório Institucional da UFRGS
collection Repositório Institucional da UFRGS
bitstream.url.fl_str_mv http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/213390/2/001117312.pdf.txt
http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/213390/1/001117312.pdf
bitstream.checksum.fl_str_mv 5aa8e694244b038a4c25a4e1b62a736b
be5954aafeff5d65227b6a3aa10d2c0c
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
repository.mail.fl_str_mv lume@ufrgs.br
_version_ 1824426924284313600

Registros relacionados