Estudo do efeito térmico sobre os níveis de impurezas em semicondutores

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Amato,M.A.
Data de Publicação: 2006
Tipo de documento: Artigo
Idioma: por
Título da fonte: Revista Brasileira de Ensino de Física (Online)
Texto Completo: http://old.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S1806-11172006000200010
Resumo: O estudo da dependência da posição dos níveis de energia das impurezas profundas em semicondutores com a temperatura é um problema bastante interessante, e sua evidência experimental é discutida por vários autores. Neste artigo propomos um modelo teórico bastante simples, a partir do conhecimento da secção de choque de fotoionização e de alguns parametros associados aos fónons, para o entendimento deste comportamento.
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