Recombinação devido a pares doador-aceitador em semicondutores

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Guimarães, Paulo Sergio
Data de Publicação: 1976
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1579339
Resumo: Orientadores: Nelson de Jesus Parada, Luiz Guimarães Ferreira
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spelling Recombinação devido a pares doador-aceitador em semicondutoresSemicondutores - Distribuição de impurezasOrientadores: Nelson de Jesus Parada, Luiz Guimarães FerreiraDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: É feita unta revisão da teoria da emissão radiativa devida a pares doador-aceitador em semicondutores, juntamente com uma análise dos diversos parâmetros que entram no cálculo da variação da intensidade da emissão com a distancia do par. É proposto um modelo para o cálculo de níveis de impureza, além de serem obtidas aproximações mais realistas para a seção de choque de captura e para a probabilidade de transição radiativa do parAbstract: A revised theory of the radiative emission due to donor-aceptor pairs in semiconductors, along with tha analysis of the various parameters which enter into the calculation of the variation of intensity of emission with the pair distance, is worked out. A model to calculate tha impurity states is proposed, more realistic approximations for the pair capture cross-section and for the radiative transition probability have been usedMestradoFísicaMestre em Física[s.n.]Parada, Nelson de Jesus, 1939-Ferreira, Luiz Guimarães, 1937-2021Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASGuimarães, Paulo Sergio19761976-07-15T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf51 f. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1579339GUIMARÃES, Paulo Sergio. Recombinação devido a pares doador-aceitador em semicondutores. 1976. 51 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1579339. Acesso em: 14 mai. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/52616porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-06-17T14:28:44Zoai::52616Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2019-06-17T14:28:44Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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