Modelo de Anderson com repulsão coulombiana nos níveis que se acoplam com o ponto quântico
Autor(a) principal: | |
---|---|
Data de Publicação: | 2019 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Repositório Institucional da UFSCAR |
Texto Completo: | https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/12833 |
Resumo: | In this work, a study of the Anderson model is done for the case of a quantum dot between two electron gases, single-electron transistor (SET), where a Coulombian repulsion term was added at the orbitals that are directly coupled to the quantum dot. The resulting model was treated by the Numerical Renormalization Group technique. The thermodynamic properties of the quantum dot were studied and a preliminary study of the conductance in the linear response regime as a function of the temperature was done. The change in the model Hamiltonian made it necessary to compute manually the initial matrices entering the Numerical Renormalization Group program. In general, the two conduction bands, corresponding to the electric contacts, can be manipulated so that one of them ends decoupled from the quantum dot. With the new term added, this decoupling is impossible, being necessary to reformulate how the conductance is computed. The contribution of the quantum dot to some thermodynamic properties was calculated and studied, with emphasis on the behavior of the Kondo temperature. For the study of the conductance, it was proposed a calculation method that proved very expensive computationally, preventing us to generate data for the case of coupled bands during the time of the Master of Science. However, an analysis of the addition of the Coulombian repulsion in the case of uncoupled bands was done. |
id |
SCAR_4a17d0fbfa414ac856590c246dc1738c |
---|---|
oai_identifier_str |
oai:repositorio.ufscar.br:ufscar/12833 |
network_acronym_str |
SCAR |
network_name_str |
Repositório Institucional da UFSCAR |
repository_id_str |
4322 |
spelling |
Hostalácio, Alexandre VilefortCampo Junior, Vivaldo Leiriahttp://lattes.cnpq.br/7150892281897003http://lattes.cnpq.br/8329939972630497add15ddf-596c-4060-b529-ea0bd2dc8c3a2020-05-27T23:22:54Z2020-05-27T23:22:54Z2019-12-20HOSTALÁCIO, Alexandre Vilefort. Modelo de Anderson com repulsão coulombiana nos níveis que se acoplam com o ponto quântico. 2019. Dissertação (Mestrado em Física) – Universidade Federal de São Carlos, São Carlos, 2019. Disponível em: https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/12833.https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/12833In this work, a study of the Anderson model is done for the case of a quantum dot between two electron gases, single-electron transistor (SET), where a Coulombian repulsion term was added at the orbitals that are directly coupled to the quantum dot. The resulting model was treated by the Numerical Renormalization Group technique. The thermodynamic properties of the quantum dot were studied and a preliminary study of the conductance in the linear response regime as a function of the temperature was done. The change in the model Hamiltonian made it necessary to compute manually the initial matrices entering the Numerical Renormalization Group program. In general, the two conduction bands, corresponding to the electric contacts, can be manipulated so that one of them ends decoupled from the quantum dot. With the new term added, this decoupling is impossible, being necessary to reformulate how the conductance is computed. The contribution of the quantum dot to some thermodynamic properties was calculated and studied, with emphasis on the behavior of the Kondo temperature. For the study of the conductance, it was proposed a calculation method that proved very expensive computationally, preventing us to generate data for the case of coupled bands during the time of the Master of Science. However, an analysis of the addition of the Coulombian repulsion in the case of uncoupled bands was done.Neste trabalho é feito um estudo do modelo de Anderson para o caso de um ponto quântico entre dois gases de elétrons, transistor de um elétron (SET), onde foi adicionado um termo de repulsão Coulombiana nos níveis que se acoplam diretamente com o ponto quântico. O modelo resultante foi tratado pela técnica do Grupo de Renormalização Numérico, sendo estudadas as propriedades termodinâmicas do ponto quântico e realizados estudos preliminares da condutância em regime de resposta linear como função da temperatura. A modificação no Hamiltoniano fez surgir a necessidade de calcular manualmente as matrizes inciais que entram no programa do Grupo de Renormalização Numérico. Em geral, as duas bandas de condução, referentes aos contatos, podem ser manipuladas de modo a desacoplar uma das bandas. Com o novo termo adicionado, esse desacoplamento é impossível, sendo necessário reformular como é calculada a condutância. A contribuição do ponto quântico a algumas propriedades termodinâmicas pôde ser calculada e estudada, com ênfase no comportamento da temperatura Kondo. Para o estudo da condutância, foi proposto um método de cálculo que se revelou muito custoso computacionalmente, tornando inviável gerar os dados para o caso das bandas acopladas durante o tempo do mestrado. Porém, foi feita uma análise da adição da repulsão Coulombiana no caso de bandas desacopladas.Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)porUniversidade Federal de São CarlosCâmpus São CarlosPrograma de Pós-Graduação em Física - PPGFUFSCarAttribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Brazilhttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/br/info:eu-repo/semantics/openAccessGrupo de renormalização numéricoModelo de AndersonCorrelação no orbital f0Transistor de um elétronNumerical renormalization groupAnderson modelCorrelation on f0 orbitalSingle-electron transitorCIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA::FISICA DA MATERIA CONDENSADAModelo de Anderson com repulsão coulombiana nos níveis que se acoplam com o ponto quânticoAnderson Model with Coulomb repulsion in the levels that are coupled with the quantum dotinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesis600600e2928066-b959-4709-9685-818fa845a7d1reponame:Repositório Institucional da UFSCARinstname:Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR)instacron:UFSCARORIGINALTese_Mestrado_revisada_Final_FA (1).pdfTese_Mestrado_revisada_Final_FA (1).pdfTexto da Tese de Mestradoapplication/pdf5486463https://repositorio.ufscar.br/bitstream/ufscar/12833/6/Tese_Mestrado_revisada_Final_FA%20%281%29.pdf4689ca356fce5ec14a43eb08caf1217eMD56carta versão final REPOSITÓRIO.pdfcarta versão final REPOSITÓRIO.pdfCarta comprovanteapplication/pdf97625https://repositorio.ufscar.br/bitstream/ufscar/12833/4/carta%20vers%c3%a3o%20final%20REPOSIT%c3%93RIO.pdf65cd331429db3c72c36c93bc8ba18855MD54CC-LICENSElicense_rdflicense_rdfapplication/rdf+xml; charset=utf-8811https://repositorio.ufscar.br/bitstream/ufscar/12833/7/license_rdfe39d27027a6cc9cb039ad269a5db8e34MD57TEXTTese_Mestrado_revisada_Final_FA (1).pdf.txtTese_Mestrado_revisada_Final_FA (1).pdf.txtExtracted texttext/plain164899https://repositorio.ufscar.br/bitstream/ufscar/12833/8/Tese_Mestrado_revisada_Final_FA%20%281%29.pdf.txtf40db91aa98af76694b6bf2c687337ecMD58carta versão final REPOSITÓRIO.pdf.txtcarta versão final REPOSITÓRIO.pdf.txtExtracted texttext/plain1313https://repositorio.ufscar.br/bitstream/ufscar/12833/10/carta%20vers%c3%a3o%20final%20REPOSIT%c3%93RIO.pdf.txt5a851ea6c958b1b623c4e28645c12097MD510THUMBNAILTese_Mestrado_revisada_Final_FA (1).pdf.jpgTese_Mestrado_revisada_Final_FA (1).pdf.jpgIM Thumbnailimage/jpeg5598https://repositorio.ufscar.br/bitstream/ufscar/12833/9/Tese_Mestrado_revisada_Final_FA%20%281%29.pdf.jpge4f305e12aadcf7eeead1425640f2c13MD59carta versão final REPOSITÓRIO.pdf.jpgcarta versão final REPOSITÓRIO.pdf.jpgIM Thumbnailimage/jpeg6792https://repositorio.ufscar.br/bitstream/ufscar/12833/11/carta%20vers%c3%a3o%20final%20REPOSIT%c3%93RIO.pdf.jpga7fa5ee9dcdb5ea493e2ae3ad1b3bb90MD511ufscar/128332023-09-18 18:31:55.44oai:repositorio.ufscar.br:ufscar/12833Repositório InstitucionalPUBhttps://repositorio.ufscar.br/oai/requestopendoar:43222023-09-18T18:31:55Repositório Institucional da UFSCAR - Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR)false |
dc.title.por.fl_str_mv |
Modelo de Anderson com repulsão coulombiana nos níveis que se acoplam com o ponto quântico |
dc.title.alternative.eng.fl_str_mv |
Anderson Model with Coulomb repulsion in the levels that are coupled with the quantum dot |
title |
Modelo de Anderson com repulsão coulombiana nos níveis que se acoplam com o ponto quântico |
spellingShingle |
Modelo de Anderson com repulsão coulombiana nos níveis que se acoplam com o ponto quântico Hostalácio, Alexandre Vilefort Grupo de renormalização numérico Modelo de Anderson Correlação no orbital f0 Transistor de um elétron Numerical renormalization group Anderson model Correlation on f0 orbital Single-electron transitor CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA::FISICA DA MATERIA CONDENSADA |
title_short |
Modelo de Anderson com repulsão coulombiana nos níveis que se acoplam com o ponto quântico |
title_full |
Modelo de Anderson com repulsão coulombiana nos níveis que se acoplam com o ponto quântico |
title_fullStr |
Modelo de Anderson com repulsão coulombiana nos níveis que se acoplam com o ponto quântico |
title_full_unstemmed |
Modelo de Anderson com repulsão coulombiana nos níveis que se acoplam com o ponto quântico |
title_sort |
Modelo de Anderson com repulsão coulombiana nos níveis que se acoplam com o ponto quântico |
author |
Hostalácio, Alexandre Vilefort |
author_facet |
Hostalácio, Alexandre Vilefort |
author_role |
author |
dc.contributor.authorlattes.por.fl_str_mv |
http://lattes.cnpq.br/8329939972630497 |
dc.contributor.author.fl_str_mv |
Hostalácio, Alexandre Vilefort |
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv |
Campo Junior, Vivaldo Leiria |
dc.contributor.advisor1Lattes.fl_str_mv |
http://lattes.cnpq.br/7150892281897003 |
dc.contributor.authorID.fl_str_mv |
add15ddf-596c-4060-b529-ea0bd2dc8c3a |
contributor_str_mv |
Campo Junior, Vivaldo Leiria |
dc.subject.por.fl_str_mv |
Grupo de renormalização numérico Modelo de Anderson Correlação no orbital f0 Transistor de um elétron |
topic |
Grupo de renormalização numérico Modelo de Anderson Correlação no orbital f0 Transistor de um elétron Numerical renormalization group Anderson model Correlation on f0 orbital Single-electron transitor CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA::FISICA DA MATERIA CONDENSADA |
dc.subject.eng.fl_str_mv |
Numerical renormalization group Anderson model Correlation on f0 orbital Single-electron transitor |
dc.subject.cnpq.fl_str_mv |
CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA::FISICA DA MATERIA CONDENSADA |
description |
In this work, a study of the Anderson model is done for the case of a quantum dot between two electron gases, single-electron transistor (SET), where a Coulombian repulsion term was added at the orbitals that are directly coupled to the quantum dot. The resulting model was treated by the Numerical Renormalization Group technique. The thermodynamic properties of the quantum dot were studied and a preliminary study of the conductance in the linear response regime as a function of the temperature was done. The change in the model Hamiltonian made it necessary to compute manually the initial matrices entering the Numerical Renormalization Group program. In general, the two conduction bands, corresponding to the electric contacts, can be manipulated so that one of them ends decoupled from the quantum dot. With the new term added, this decoupling is impossible, being necessary to reformulate how the conductance is computed. The contribution of the quantum dot to some thermodynamic properties was calculated and studied, with emphasis on the behavior of the Kondo temperature. For the study of the conductance, it was proposed a calculation method that proved very expensive computationally, preventing us to generate data for the case of coupled bands during the time of the Master of Science. However, an analysis of the addition of the Coulombian repulsion in the case of uncoupled bands was done. |
publishDate |
2019 |
dc.date.issued.fl_str_mv |
2019-12-20 |
dc.date.accessioned.fl_str_mv |
2020-05-27T23:22:54Z |
dc.date.available.fl_str_mv |
2020-05-27T23:22:54Z |
dc.type.status.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type.driver.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/masterThesis |
format |
masterThesis |
status_str |
publishedVersion |
dc.identifier.citation.fl_str_mv |
HOSTALÁCIO, Alexandre Vilefort. Modelo de Anderson com repulsão coulombiana nos níveis que se acoplam com o ponto quântico. 2019. Dissertação (Mestrado em Física) – Universidade Federal de São Carlos, São Carlos, 2019. Disponível em: https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/12833. |
dc.identifier.uri.fl_str_mv |
https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/12833 |
identifier_str_mv |
HOSTALÁCIO, Alexandre Vilefort. Modelo de Anderson com repulsão coulombiana nos níveis que se acoplam com o ponto quântico. 2019. Dissertação (Mestrado em Física) – Universidade Federal de São Carlos, São Carlos, 2019. Disponível em: https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/12833. |
url |
https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/12833 |
dc.language.iso.fl_str_mv |
por |
language |
por |
dc.relation.confidence.fl_str_mv |
600 600 |
dc.relation.authority.fl_str_mv |
e2928066-b959-4709-9685-818fa845a7d1 |
dc.rights.driver.fl_str_mv |
Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Brazil http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/br/ info:eu-repo/semantics/openAccess |
rights_invalid_str_mv |
Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Brazil http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/br/ |
eu_rights_str_mv |
openAccess |
dc.publisher.none.fl_str_mv |
Universidade Federal de São Carlos Câmpus São Carlos |
dc.publisher.program.fl_str_mv |
Programa de Pós-Graduação em Física - PPGF |
dc.publisher.initials.fl_str_mv |
UFSCar |
publisher.none.fl_str_mv |
Universidade Federal de São Carlos Câmpus São Carlos |
dc.source.none.fl_str_mv |
reponame:Repositório Institucional da UFSCAR instname:Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR) instacron:UFSCAR |
instname_str |
Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR) |
instacron_str |
UFSCAR |
institution |
UFSCAR |
reponame_str |
Repositório Institucional da UFSCAR |
collection |
Repositório Institucional da UFSCAR |
bitstream.url.fl_str_mv |
https://repositorio.ufscar.br/bitstream/ufscar/12833/6/Tese_Mestrado_revisada_Final_FA%20%281%29.pdf https://repositorio.ufscar.br/bitstream/ufscar/12833/4/carta%20vers%c3%a3o%20final%20REPOSIT%c3%93RIO.pdf https://repositorio.ufscar.br/bitstream/ufscar/12833/7/license_rdf https://repositorio.ufscar.br/bitstream/ufscar/12833/8/Tese_Mestrado_revisada_Final_FA%20%281%29.pdf.txt https://repositorio.ufscar.br/bitstream/ufscar/12833/10/carta%20vers%c3%a3o%20final%20REPOSIT%c3%93RIO.pdf.txt https://repositorio.ufscar.br/bitstream/ufscar/12833/9/Tese_Mestrado_revisada_Final_FA%20%281%29.pdf.jpg https://repositorio.ufscar.br/bitstream/ufscar/12833/11/carta%20vers%c3%a3o%20final%20REPOSIT%c3%93RIO.pdf.jpg |
bitstream.checksum.fl_str_mv |
4689ca356fce5ec14a43eb08caf1217e 65cd331429db3c72c36c93bc8ba18855 e39d27027a6cc9cb039ad269a5db8e34 f40db91aa98af76694b6bf2c687337ec 5a851ea6c958b1b623c4e28645c12097 e4f305e12aadcf7eeead1425640f2c13 a7fa5ee9dcdb5ea493e2ae3ad1b3bb90 |
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv |
MD5 MD5 MD5 MD5 MD5 MD5 MD5 |
repository.name.fl_str_mv |
Repositório Institucional da UFSCAR - Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR) |
repository.mail.fl_str_mv |
|
_version_ |
1802136374362505216 |