Estudo de pontos quânticos auto-organizados de InAs por fotoluminescência

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Franchello, Flavio
Data de Publicação: 2024
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UEL
Texto Completo: https://repositorio.uel.br/handle/123456789/11269
Resumo: Resumo: Estruturas semicondutoras com alto grau de confinamento, tais como poços quânticos, fios quânticos e pontos quânticos, têm sido de grande interesse, tanto do ponto de vista tecnológico, quanto da pesquisa básica Pontos Quânticos Auto-Organizados ou SAQDs (do Inglês “Self-Assembled Quantum Dots”) surgem espontaneamente, como conseqüência do descasamento de rede do material depositado em relação ao substrato, durante o crescimento por MBE Neste trabalho foram estudadas amostras de Pontos Quânticos através da técnica da fotoluminescência (PL) com variação de temperatura e de potência de excitação Foram estudadas amostras de SAQDs de InAs, crescidos sobre o GaAs Também foram crescidos “dots” no interior de um poço quântico de InGaAs (14% de In), sendo esse tipo de heteroestrutura denominada DWELL (dots-in-a-well) As estruturas de QDs foram produzidas através do crescimento contínuo (com diferentes taxas de deposição) e também através de crescimento pulsado, que consiste em ciclos de deposição e intervalo de interrupção Através da análise dos espectros de PL foi verificado que algumas das amostras de QDs apresentam um comportamento anômalo da energia de PL, da intensidade integrada, e da largura de linha, em função da temperatura, o que pode ser explicado considerando-se as distribuições de tamanho dos “dots” Em duas amostras de QDs crescidos sobre o GaAs foram identificados dois picos de PL que apresentam um comportamento com a temperatura que pode ser explicado considerando-se uma distribuição bimodal de tamanhos Para as amostras DWELL foi identificado um pico de PL, atribuído à emissão do estado fundamental de QDs pertencentes à uma distribuição contínua de tamanhos
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