Transmissão em barreiras não-abruptas de GaAs/AlxGa1-xAs

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Carvalho, Ricardo Renan Landim de
Data de Publicação: 1993
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da Universidade Federal do Ceará (UFC)
Texto Completo: http://www.repositorio.ufc.br/handle/riufc/62252
Resumo: In the present work we study the effect of non-abrupt interface of GaAs e o AlxGa1-xAs in the transmission coefficient of electrons through single and double barriers. Both methods of finite element and multisteps have been successfully applied. Under the transmission coefficient of electrons on single barrier of GaAs e o AlxGa1-xAs, we also analyse the effect of the kinectic energy operator by considering the effective mass varying with the position. It is also studied the effect of transition regions on the resonant tunneling on double barriers.We propose an analytical method to obtain the transmission coefficient on non-abrupt barrier, applying to an interface of GaAs e o AlxGa1-xAs. It is shown that WKB results correspond to an approximation of this method.
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