Transmissão em barreiras não-abruptas de GaAs/AlxGa1-xAs
Autor(a) principal: | |
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Data de Publicação: | 1993 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Repositório Institucional da Universidade Federal do Ceará (UFC) |
Texto Completo: | http://www.repositorio.ufc.br/handle/riufc/62252 |
Resumo: | In the present work we study the effect of non-abrupt interface of GaAs e o AlxGa1-xAs in the transmission coefficient of electrons through single and double barriers. Both methods of finite element and multisteps have been successfully applied. Under the transmission coefficient of electrons on single barrier of GaAs e o AlxGa1-xAs, we also analyse the effect of the kinectic energy operator by considering the effective mass varying with the position. It is also studied the effect of transition regions on the resonant tunneling on double barriers.We propose an analytical method to obtain the transmission coefficient on non-abrupt barrier, applying to an interface of GaAs e o AlxGa1-xAs. It is shown that WKB results correspond to an approximation of this method. |
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Transmissão em barreiras não-abruptas de GaAs/AlxGa1-xAsTunelamento (Física)In the present work we study the effect of non-abrupt interface of GaAs e o AlxGa1-xAs in the transmission coefficient of electrons through single and double barriers. Both methods of finite element and multisteps have been successfully applied. Under the transmission coefficient of electrons on single barrier of GaAs e o AlxGa1-xAs, we also analyse the effect of the kinectic energy operator by considering the effective mass varying with the position. It is also studied the effect of transition regions on the resonant tunneling on double barriers.We propose an analytical method to obtain the transmission coefficient on non-abrupt barrier, applying to an interface of GaAs e o AlxGa1-xAs. It is shown that WKB results correspond to an approximation of this method.Neste trabalho estudamos o efeito da interface não-abrupta entre o GaAs e o AlxGa1-xAs no coeficiente de transmissão dos elétrons em barreiras simples e duplas de GaAs/AlxGa1-xAs, usando os métodos dos elementos finitos e dos "multisteps". Analisamos também o efeito do operador energia cinética com massa efetiva variável no coeficiente de transmissão em barreiras simples de GaAs e o AlxGa1-xAs. Estudamos ainda o efeito das regiões de transição no tunelamento ressonante de barreiras duplas. Além disto propomos um método analítico para o cálculo do coeficiente de transmissão em barreiras não-abruptas, e o aplicamos a uma heterojunção não-abrupta de GaAs e o AlxGa1-xAs. Os resultados de WKB são obtidos como uma aproximação deste método.Farias, Gil de AquinoCarvalho, Ricardo Renan Landim de2021-11-19T13:50:51Z2021-11-19T13:50:51Z1993info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfCARVALHO, Ricardo Renan Landim de. Transmissão em barreiras não-abruptas de GaAs/AlxGa1-xAs. 1993. 91 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Centro de Ciências, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 1993http://www.repositorio.ufc.br/handle/riufc/62252porreponame:Repositório Institucional da Universidade Federal do Ceará (UFC)instname:Universidade Federal do Ceará (UFC)instacron:UFCinfo:eu-repo/semantics/openAccess2023-05-12T19:53:47Zoai:repositorio.ufc.br:riufc/62252Repositório InstitucionalPUBhttp://www.repositorio.ufc.br/ri-oai/requestbu@ufc.br || repositorio@ufc.bropendoar:2024-09-11T18:33:25.703806Repositório Institucional da Universidade Federal do Ceará (UFC) - Universidade Federal do Ceará (UFC)false |
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