Oxidação do fosforeno: cálculos de primeiros princípios

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Albuquerque Filho, Marcelo Fábio Costa
Data de Publicação: 2016
Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da Universidade Federal Fluminense (RIUFF)
Texto Completo: https://app.uff.br/riuff/handle/1/7334
Resumo: Esta monografia tem por finalidade estudar a oxidaçãoo do fosforeno, que é um alótropo cristalino e bidimensional do fósforo. Ele pode ser obtido por esfoliação mecânica do fósforo negro bulk. Nos baseamos no trabalho de Ziletti [1, 2], onde vimos que átomos de oxigênio como defeito pendente aumenta a hidrofilicidade do fosforeno. Realizamos cálculos ab initio na Teoria do Funcional Densidade (Density Functional Theory-DFT) em três configurações de defeitos no fosforeno e encontramos que o mesmo ocorre com o radical hidroxila (OH) pendente do fosforeno. Essa configuração possui um gap de energia de 0,94 eV. Vimos que há um nível da banda de energia (o nível parcialmente ocupado) que pode ser do radical. Esse nível pode servir como doador e/ou receptor de elétrons
id UFF-2_6b7c2b349cc2416e8b5432144ddb7cfe
oai_identifier_str oai:app.uff.br:1/7334
network_acronym_str UFF-2
network_name_str Repositório Institucional da Universidade Federal Fluminense (RIUFF)
repository_id_str 2120
spelling Oxidação do fosforeno: cálculos de primeiros princípiosDFTFosforenoDefeitoHidroxilaOxidaçãoFosforenoOxidaçãoDFTPhosphoreneDefectHydroxilOxidationEsta monografia tem por finalidade estudar a oxidaçãoo do fosforeno, que é um alótropo cristalino e bidimensional do fósforo. Ele pode ser obtido por esfoliação mecânica do fósforo negro bulk. Nos baseamos no trabalho de Ziletti [1, 2], onde vimos que átomos de oxigênio como defeito pendente aumenta a hidrofilicidade do fosforeno. Realizamos cálculos ab initio na Teoria do Funcional Densidade (Density Functional Theory-DFT) em três configurações de defeitos no fosforeno e encontramos que o mesmo ocorre com o radical hidroxila (OH) pendente do fosforeno. Essa configuração possui um gap de energia de 0,94 eV. Vimos que há um nível da banda de energia (o nível parcialmente ocupado) que pode ser do radical. Esse nível pode servir como doador e/ou receptor de elétronsThis monograph has the purpose to study the phosphorene’s oxidation that is a crystalline and two-dimensional allotrope of phosphorus. It can be achieved by mechanical exfoliation of the black phosphorus bulk. We relied on Ziletti’s work [1,2], where we saw that atoms of oxygen as dangling defect increase the hydrophilicity of phosphorene. We performed calculations ab initio in the Density Functional Theory (DFT) in three configurations of defects on phosphorene and we found that the same occurs with the hydroxil radical (OH) dangling of the phosphorene. This configuration has an energy gap of 0,94 eV. We saw that there is a level of energy band (the half-occupied level) that can be the radical. This level can serve as donor and/or acceptor of electronsVenezuela, Pedro Paulo de MelloCosta Junior, Antonio Tavares daCarneiro, Marciano AlvesAlbuquerque Filho, Marcelo Fábio Costa2018-09-04T21:18:43Z2018-09-04T21:18:43Z2016info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/bachelorThesisapplication/pdfhttps://app.uff.br/riuff/handle/1/7334http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/br/CC-BY-SAinfo:eu-repo/semantics/openAccessporreponame:Repositório Institucional da Universidade Federal Fluminense (RIUFF)instname:Universidade Federal Fluminense (UFF)instacron:UFF2021-09-21T18:23:51Zoai:app.uff.br:1/7334Repositório InstitucionalPUBhttps://app.uff.br/oai/requestriuff@id.uff.bropendoar:21202021-09-21T18:23:51Repositório Institucional da Universidade Federal Fluminense (RIUFF) - Universidade Federal Fluminense (UFF)false
dc.title.none.fl_str_mv Oxidação do fosforeno: cálculos de primeiros princípios
title Oxidação do fosforeno: cálculos de primeiros princípios
spellingShingle Oxidação do fosforeno: cálculos de primeiros princípios
Albuquerque Filho, Marcelo Fábio Costa
DFT
Fosforeno
Defeito
Hidroxila
Oxidação
Fosforeno
Oxidação
DFT
Phosphorene
Defect
Hydroxil
Oxidation
title_short Oxidação do fosforeno: cálculos de primeiros princípios
title_full Oxidação do fosforeno: cálculos de primeiros princípios
title_fullStr Oxidação do fosforeno: cálculos de primeiros princípios
title_full_unstemmed Oxidação do fosforeno: cálculos de primeiros princípios
title_sort Oxidação do fosforeno: cálculos de primeiros princípios
author Albuquerque Filho, Marcelo Fábio Costa
author_facet Albuquerque Filho, Marcelo Fábio Costa
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Venezuela, Pedro Paulo de Mello
Costa Junior, Antonio Tavares da
Carneiro, Marciano Alves
dc.contributor.author.fl_str_mv Albuquerque Filho, Marcelo Fábio Costa
dc.subject.por.fl_str_mv DFT
Fosforeno
Defeito
Hidroxila
Oxidação
Fosforeno
Oxidação
DFT
Phosphorene
Defect
Hydroxil
Oxidation
topic DFT
Fosforeno
Defeito
Hidroxila
Oxidação
Fosforeno
Oxidação
DFT
Phosphorene
Defect
Hydroxil
Oxidation
description Esta monografia tem por finalidade estudar a oxidaçãoo do fosforeno, que é um alótropo cristalino e bidimensional do fósforo. Ele pode ser obtido por esfoliação mecânica do fósforo negro bulk. Nos baseamos no trabalho de Ziletti [1, 2], onde vimos que átomos de oxigênio como defeito pendente aumenta a hidrofilicidade do fosforeno. Realizamos cálculos ab initio na Teoria do Funcional Densidade (Density Functional Theory-DFT) em três configurações de defeitos no fosforeno e encontramos que o mesmo ocorre com o radical hidroxila (OH) pendente do fosforeno. Essa configuração possui um gap de energia de 0,94 eV. Vimos que há um nível da banda de energia (o nível parcialmente ocupado) que pode ser do radical. Esse nível pode servir como doador e/ou receptor de elétrons
publishDate 2016
dc.date.none.fl_str_mv 2016
2018-09-04T21:18:43Z
2018-09-04T21:18:43Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
format bachelorThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv https://app.uff.br/riuff/handle/1/7334
url https://app.uff.br/riuff/handle/1/7334
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/br/
CC-BY-SA
info:eu-repo/semantics/openAccess
rights_invalid_str_mv http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/br/
CC-BY-SA
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional da Universidade Federal Fluminense (RIUFF)
instname:Universidade Federal Fluminense (UFF)
instacron:UFF
instname_str Universidade Federal Fluminense (UFF)
instacron_str UFF
institution UFF
reponame_str Repositório Institucional da Universidade Federal Fluminense (RIUFF)
collection Repositório Institucional da Universidade Federal Fluminense (RIUFF)
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da Universidade Federal Fluminense (RIUFF) - Universidade Federal Fluminense (UFF)
repository.mail.fl_str_mv riuff@id.uff.br
_version_ 1807838849287585792

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