Oxidação do fosforeno: cálculos de primeiros princípios
Autor(a) principal: | |
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Data de Publicação: | 2016 |
Tipo de documento: | Trabalho de conclusão de curso |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Repositório Institucional da Universidade Federal Fluminense (RIUFF) |
Texto Completo: | https://app.uff.br/riuff/handle/1/7334 |
Resumo: | Esta monografia tem por finalidade estudar a oxidaçãoo do fosforeno, que é um alótropo cristalino e bidimensional do fósforo. Ele pode ser obtido por esfoliação mecânica do fósforo negro bulk. Nos baseamos no trabalho de Ziletti [1, 2], onde vimos que átomos de oxigênio como defeito pendente aumenta a hidrofilicidade do fosforeno. Realizamos cálculos ab initio na Teoria do Funcional Densidade (Density Functional Theory-DFT) em três configurações de defeitos no fosforeno e encontramos que o mesmo ocorre com o radical hidroxila (OH) pendente do fosforeno. Essa configuração possui um gap de energia de 0,94 eV. Vimos que há um nível da banda de energia (o nível parcialmente ocupado) que pode ser do radical. Esse nível pode servir como doador e/ou receptor de elétrons |
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Oxidação do fosforeno: cálculos de primeiros princípiosDFTFosforenoDefeitoHidroxilaOxidaçãoFosforenoOxidaçãoDFTPhosphoreneDefectHydroxilOxidationEsta monografia tem por finalidade estudar a oxidaçãoo do fosforeno, que é um alótropo cristalino e bidimensional do fósforo. Ele pode ser obtido por esfoliação mecânica do fósforo negro bulk. Nos baseamos no trabalho de Ziletti [1, 2], onde vimos que átomos de oxigênio como defeito pendente aumenta a hidrofilicidade do fosforeno. Realizamos cálculos ab initio na Teoria do Funcional Densidade (Density Functional Theory-DFT) em três configurações de defeitos no fosforeno e encontramos que o mesmo ocorre com o radical hidroxila (OH) pendente do fosforeno. Essa configuração possui um gap de energia de 0,94 eV. Vimos que há um nível da banda de energia (o nível parcialmente ocupado) que pode ser do radical. Esse nível pode servir como doador e/ou receptor de elétronsThis monograph has the purpose to study the phosphorene’s oxidation that is a crystalline and two-dimensional allotrope of phosphorus. It can be achieved by mechanical exfoliation of the black phosphorus bulk. We relied on Ziletti’s work [1,2], where we saw that atoms of oxygen as dangling defect increase the hydrophilicity of phosphorene. We performed calculations ab initio in the Density Functional Theory (DFT) in three configurations of defects on phosphorene and we found that the same occurs with the hydroxil radical (OH) dangling of the phosphorene. This configuration has an energy gap of 0,94 eV. We saw that there is a level of energy band (the half-occupied level) that can be the radical. This level can serve as donor and/or acceptor of electronsVenezuela, Pedro Paulo de MelloCosta Junior, Antonio Tavares daCarneiro, Marciano AlvesAlbuquerque Filho, Marcelo Fábio Costa2018-09-04T21:18:43Z2018-09-04T21:18:43Z2016info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/bachelorThesisapplication/pdfhttps://app.uff.br/riuff/handle/1/7334http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/br/CC-BY-SAinfo:eu-repo/semantics/openAccessporreponame:Repositório Institucional da Universidade Federal Fluminense (RIUFF)instname:Universidade Federal Fluminense (UFF)instacron:UFF2021-09-21T18:23:51Zoai:app.uff.br:1/7334Repositório InstitucionalPUBhttps://app.uff.br/oai/requestriuff@id.uff.bropendoar:21202024-08-19T11:11:30.849655Repositório Institucional da Universidade Federal Fluminense (RIUFF) - Universidade Federal Fluminense (UFF)false |
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Esta monografia tem por finalidade estudar a oxidaçãoo do fosforeno, que é um alótropo cristalino e bidimensional do fósforo. Ele pode ser obtido por esfoliação mecânica do fósforo negro bulk. Nos baseamos no trabalho de Ziletti [1, 2], onde vimos que átomos de oxigênio como defeito pendente aumenta a hidrofilicidade do fosforeno. Realizamos cálculos ab initio na Teoria do Funcional Densidade (Density Functional Theory-DFT) em três configurações de defeitos no fosforeno e encontramos que o mesmo ocorre com o radical hidroxila (OH) pendente do fosforeno. Essa configuração possui um gap de energia de 0,94 eV. Vimos que há um nível da banda de energia (o nível parcialmente ocupado) que pode ser do radical. Esse nível pode servir como doador e/ou receptor de elétrons |
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