Propriedades ópticas de pontos quânticos de InAs em nanomembranas semicondutoras

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Barbara Luiza Teixeira Rosa
Data de Publicação: 2014
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFMG
Texto Completo: http://hdl.handle.net/1843/BUOS-9NBGLE
Resumo: Neste trabalho estudamos como as propriedades ópticas de pontos quânticos de InAs crescidos dentro de nanomembranas semicondutoras de materiais III-V são afetadas pela proximidade das duas superfícies da amostra. Medidas de fotoluminescência nos mostraram que a criação de nanomembranas aumenta a probabilidade da recombinação elétron-buraco de estados excitados dos pontos quânticos, em relação à emissão observada antes da fabrica ção das nanomembranas. Este comportamento é explicado considerando as regiões de depleção induzidas pelas superfícies da nanomembrana.
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