Propriedades ópticas e elétricas de pontos quânticos semicondutores de InAs

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Andreza Germana da Silva
Data de Publicação: 2008
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFMG
Texto Completo: http://hdl.handle.net/1843/ESCZ-7N4G3Z
Resumo: Neste trabalho, reportamos sobre as propriedades ópticas e elétricas de pontos quânticos semicondutores de InAs em duas diferentes situações. Primeiramente, fizemos medidas de magnetotunelamento em multicamadas de pontos quânticos auto-organizados na presença de campos magnéticos de até 12 T. Observamos tunelamento entre estados de pontos quânticos pertencentes a camadas adjacentes e a elevados campos magnéticos, devido ao efeito Zeeman, nós mostramos evidências de tunelamento através de estados quasi-zero dimensionais com polariza&ção de spin. Comprovamos que os fatores g dos pontos quânticos de camadas adjacentes são fortemente afetados pela quantidade de confinamento. Na segunda parte do trabalho, através de medidas de microluminescência, investigamos pilares únicos de GaAs/AlGaAs contendo pontos quânticos de InAs. Medimos pilares circulares de diferentes diâmetros e estudamos experimentalmente o efeito da orientação do dipolo do ponto quântico sobre a intensidade dos modos fotônicos dos micropilares, dando especial atenção aos modos com mais elevadas energias. Nossos resultados implicam que uma porcentagem dos pontos quânticos em nossos pilares tem um grau significativo de polarização, uma argumentação que foi confirmada experimentalmente.
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