Fenômenos não-lineares de transporte elétrico induzidos por geração-recombinação em semicondutores

• Autor(a) principal: Holokx de Abreu Aubuquerque
• Data de Publicação: 2005
• Tipo de documento: Tese
• Idioma: por
• Título da fonte: Repositório Institucional da UFMG
• Texto Completo: http://hdl.handle.net/1843/ESCZ-6L6NFY
• topic: semicondutores; Fenomenos não-lineares; Oscilações; Oscilações não-lineares; Semicondutores; Condutividade elétrica; Física

Neste trabalho, estudamos modelos teóricos com vistas a explicar o comportamento nãolinear do transporte de carga em semicondutores. Nossa abordagem consistiu em realizar integrações numéricas das equações diferenciais para estudarmos a dinâmica do transporte. Para tanto, consideramos os mais importantes processos de geração e recombinação (g-r) dos portadores de carga presentes em amostras de GaAs semi-isolantes (SI) crescidas por epitaxia por feixe molecular a baixa temperatura (LTMBE): ionização por impacto (a geração) e captura assistida por campo elétrico (a recombinação). Esses dois processos foram incluídos em um modelo de equações de taxas para os processos de g-r para simular as oscilações espontâneas de corrente elétrica de baixa freqüência presentes em amostras de GaAs SI. Os resultados das simulações produziram as características específicas dos dados experimentais, sugerindo que o modelo microscópico das equações de taxas para esses processos de g-r é adequado para explicar o comportamento não-linear da corrente elétrica no circuito contendo amostras de GaAs SI. Além disso, propomos uma equação para a característica j(E) das amostras de GaAs SI crescidas por LTMBE. Esta equação incorpora os dois processos de g-r mencionados acima. Merece registro o fato de que a interpretação e a descrição do processo de recombinação, via captura assistida por campo elétrico, realizada por nosso grupo de pesquisa são contribuições para o tema aqui delineado, evidenciada através de publicações com resultados inéditos.