Estudo de propriedades morfológicas, eletrônicas e de magneto transporte em grafeno depositado sobre talco, nitreto de boro e dióxido de silício

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Edrian Mania
Data de Publicação: 2015
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFMG
Texto Completo: http://hdl.handle.net/1843/BUBD-AA8FF6
Resumo: O grafeno, um cristal bidimensional composto apenas de átomos de carbono, é um semicondutor de gap nulo e com elétrons que comportam-se como Férmions de Dirac. Entretanto, suas propriedades intrínsecas são sensíveis ao substrato no qual está suportado. É esperado que deformações estruturais do grafeno, bem como interações coulombianas com defeitos ou cargas localizadas no substrato reduzam consideravelmente o livre caminho médioe mobilidade eletrônica. Essas limitações motivam a busca por novos substratos atomicamente planos, livres de defeitos e abundantes. Neste trabalho apresentamos um estudo das propriedades morfológicas, eletrônicas e de magneto transporte do grafeno depositado emtrês materiais: o talco, o nitreto de boro hexagonal e o dióxido de silício. Observamos por medidas elétricas e de magneto transporte que a mobilidade eletrônica é significativamente maior no grafeno atomicamente plano sobre o nitreto de boro em comparação como grafeno rugoso sobre o dióxido de silício. O grafeno sobre o talco também tem uma superfície atomicamente plana, mas observamos baixa mobilidade eletrônica, acompanhada de histereses em sua condutância, forte dopagem tipo-p e instabilidades na dependência dasua resistência elétrica com a temperatura. Tais instabilidades podem decorrer de fortes interações entre a superfície do talco e o grafeno. Em algumas circunstâncias observamos deformações morfológicas e até rompimento físico do cristal de grafeno sobre o talco. Os resultados ainda são inconclusivos e utilizaremos outras técnicas experimentais para elucidar tais fenômenos.
id UFMG_2bf39467cfd8887d439cb71f60e90f25
oai_identifier_str oai:repositorio.ufmg.br:1843/BUBD-AA8FF6
network_acronym_str UFMG
network_name_str Repositório Institucional da UFMG
repository_id_str
spelling Leonardo Cristiano CamposBernardo Ruegger Almeida NevesMyriano Henriques de Oliveira JuniorEdrian Mania2019-08-10T17:28:31Z2019-08-10T17:28:31Z2015-03-12http://hdl.handle.net/1843/BUBD-AA8FF6O grafeno, um cristal bidimensional composto apenas de átomos de carbono, é um semicondutor de gap nulo e com elétrons que comportam-se como Férmions de Dirac. Entretanto, suas propriedades intrínsecas são sensíveis ao substrato no qual está suportado. É esperado que deformações estruturais do grafeno, bem como interações coulombianas com defeitos ou cargas localizadas no substrato reduzam consideravelmente o livre caminho médioe mobilidade eletrônica. Essas limitações motivam a busca por novos substratos atomicamente planos, livres de defeitos e abundantes. Neste trabalho apresentamos um estudo das propriedades morfológicas, eletrônicas e de magneto transporte do grafeno depositado emtrês materiais: o talco, o nitreto de boro hexagonal e o dióxido de silício. Observamos por medidas elétricas e de magneto transporte que a mobilidade eletrônica é significativamente maior no grafeno atomicamente plano sobre o nitreto de boro em comparação como grafeno rugoso sobre o dióxido de silício. O grafeno sobre o talco também tem uma superfície atomicamente plana, mas observamos baixa mobilidade eletrônica, acompanhada de histereses em sua condutância, forte dopagem tipo-p e instabilidades na dependência dasua resistência elétrica com a temperatura. Tais instabilidades podem decorrer de fortes interações entre a superfície do talco e o grafeno. Em algumas circunstâncias observamos deformações morfológicas e até rompimento físico do cristal de grafeno sobre o talco. Os resultados ainda são inconclusivos e utilizaremos outras técnicas experimentais para elucidar tais fenômenos.Graphene is a two dimensional material composed by carbon atoms arranged in a honeycomb lattice. During the past decade, it has attracted enormous interest due to the relativistic Dirac nature of its charge carriers and its potential for industrial application. For instance, charge carriers in graphene can move for distances over a micrometer without being scattered, and the electronic properties of graphenes with more than one layer are electronically tunable. However, achieve the intrinsic physical properties of graphene is challenging. Charge scattering and surface imperfection at non-flat substrates strongly affect electronic transport of graphene obscuring its intrinsic properties. In this work we investigate electronic properties of graphene devices on silicon substrates and on top of flat substrates like hexagonal boron nitride and talc. Hexagonal boron nitride shows the cleanest charge environment for graphene devices while devices on talc show instability and charge hysteresis which are still not understood. We show analyses based on optical microscopy, atomic force microscope, electronic measurement and magneto transport of graphene devices on these three substrates.Universidade Federal de Minas GeraisUFMGdióxido de silíciomobilidade eletrônicahistereseTalcomagneto transporteFísicaGrafenoTalcoHistereseMagneto transporteNitreto de boro hexagonalMobilidade eletrônicaGrafenoEstudo de propriedades morfológicas, eletrônicas e de magneto transporte em grafeno depositado sobre talco, nitreto de boro e dióxido de silícioinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisinfo:eu-repo/semantics/openAccessporreponame:Repositório Institucional da UFMGinstname:Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)instacron:UFMGORIGINALedrian_dissertacao.pdfapplication/pdf31364418https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/BUBD-AA8FF6/1/edrian_dissertacao.pdf4aa03c8b1990ba538e9731bf4474c290MD51TEXTedrian_dissertacao.pdf.txtedrian_dissertacao.pdf.txtExtracted texttext/plain254695https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/BUBD-AA8FF6/2/edrian_dissertacao.pdf.txt8b8f5b5f66dd9beb54b9726190c7a0e3MD521843/BUBD-AA8FF62019-11-14 06:08:14.052oai:repositorio.ufmg.br:1843/BUBD-AA8FF6Repositório de PublicaçõesPUBhttps://repositorio.ufmg.br/oaiopendoar:2019-11-14T09:08:14Repositório Institucional da UFMG - Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)false
dc.title.pt_BR.fl_str_mv Estudo de propriedades morfológicas, eletrônicas e de magneto transporte em grafeno depositado sobre talco, nitreto de boro e dióxido de silício
title Estudo de propriedades morfológicas, eletrônicas e de magneto transporte em grafeno depositado sobre talco, nitreto de boro e dióxido de silício
spellingShingle Estudo de propriedades morfológicas, eletrônicas e de magneto transporte em grafeno depositado sobre talco, nitreto de boro e dióxido de silício
Edrian Mania
Talco
Histerese
Magneto transporte
Nitreto de boro hexagonal
Mobilidade eletrônica
Grafeno
dióxido de silício
mobilidade eletrônica
histerese
Talco
magneto transporte
Física
Grafeno
title_short Estudo de propriedades morfológicas, eletrônicas e de magneto transporte em grafeno depositado sobre talco, nitreto de boro e dióxido de silício
title_full Estudo de propriedades morfológicas, eletrônicas e de magneto transporte em grafeno depositado sobre talco, nitreto de boro e dióxido de silício
title_fullStr Estudo de propriedades morfológicas, eletrônicas e de magneto transporte em grafeno depositado sobre talco, nitreto de boro e dióxido de silício
title_full_unstemmed Estudo de propriedades morfológicas, eletrônicas e de magneto transporte em grafeno depositado sobre talco, nitreto de boro e dióxido de silício
title_sort Estudo de propriedades morfológicas, eletrônicas e de magneto transporte em grafeno depositado sobre talco, nitreto de boro e dióxido de silício
author Edrian Mania
author_facet Edrian Mania
author_role author
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Leonardo Cristiano Campos
dc.contributor.referee1.fl_str_mv Bernardo Ruegger Almeida Neves
dc.contributor.referee2.fl_str_mv Myriano Henriques de Oliveira Junior
dc.contributor.author.fl_str_mv Edrian Mania
contributor_str_mv Leonardo Cristiano Campos
Bernardo Ruegger Almeida Neves
Myriano Henriques de Oliveira Junior
dc.subject.por.fl_str_mv Talco
Histerese
Magneto transporte
Nitreto de boro hexagonal
Mobilidade eletrônica
Grafeno
topic Talco
Histerese
Magneto transporte
Nitreto de boro hexagonal
Mobilidade eletrônica
Grafeno
dióxido de silício
mobilidade eletrônica
histerese
Talco
magneto transporte
Física
Grafeno
dc.subject.other.pt_BR.fl_str_mv dióxido de silício
mobilidade eletrônica
histerese
Talco
magneto transporte
Física
Grafeno
description O grafeno, um cristal bidimensional composto apenas de átomos de carbono, é um semicondutor de gap nulo e com elétrons que comportam-se como Férmions de Dirac. Entretanto, suas propriedades intrínsecas são sensíveis ao substrato no qual está suportado. É esperado que deformações estruturais do grafeno, bem como interações coulombianas com defeitos ou cargas localizadas no substrato reduzam consideravelmente o livre caminho médioe mobilidade eletrônica. Essas limitações motivam a busca por novos substratos atomicamente planos, livres de defeitos e abundantes. Neste trabalho apresentamos um estudo das propriedades morfológicas, eletrônicas e de magneto transporte do grafeno depositado emtrês materiais: o talco, o nitreto de boro hexagonal e o dióxido de silício. Observamos por medidas elétricas e de magneto transporte que a mobilidade eletrônica é significativamente maior no grafeno atomicamente plano sobre o nitreto de boro em comparação como grafeno rugoso sobre o dióxido de silício. O grafeno sobre o talco também tem uma superfície atomicamente plana, mas observamos baixa mobilidade eletrônica, acompanhada de histereses em sua condutância, forte dopagem tipo-p e instabilidades na dependência dasua resistência elétrica com a temperatura. Tais instabilidades podem decorrer de fortes interações entre a superfície do talco e o grafeno. Em algumas circunstâncias observamos deformações morfológicas e até rompimento físico do cristal de grafeno sobre o talco. Os resultados ainda são inconclusivos e utilizaremos outras técnicas experimentais para elucidar tais fenômenos.
publishDate 2015
dc.date.issued.fl_str_mv 2015-03-12
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2019-08-10T17:28:31Z
dc.date.available.fl_str_mv 2019-08-10T17:28:31Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://hdl.handle.net/1843/BUBD-AA8FF6
url http://hdl.handle.net/1843/BUBD-AA8FF6
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.publisher.none.fl_str_mv Universidade Federal de Minas Gerais
dc.publisher.initials.fl_str_mv UFMG
publisher.none.fl_str_mv Universidade Federal de Minas Gerais
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional da UFMG
instname:Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)
instacron:UFMG
instname_str Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)
instacron_str UFMG
institution UFMG
reponame_str Repositório Institucional da UFMG
collection Repositório Institucional da UFMG
bitstream.url.fl_str_mv https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/BUBD-AA8FF6/1/edrian_dissertacao.pdf
https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/BUBD-AA8FF6/2/edrian_dissertacao.pdf.txt
bitstream.checksum.fl_str_mv 4aa03c8b1990ba538e9731bf4474c290
8b8f5b5f66dd9beb54b9726190c7a0e3
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da UFMG - Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1803589451261149184

Registros relacionados