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Leonardo Cristiano CamposBernardo Ruegger Almeida NevesMyriano Henriques de Oliveira JuniorEdrian Mania2019-08-10T17:28:31Z2019-08-10T17:28:31Z2015-03-12http://hdl.handle.net/1843/BUBD-AA8FF6O grafeno, um cristal bidimensional composto apenas de átomos de carbono, é um semicondutor de gap nulo e com elétrons que comportam-se como Férmions de Dirac. Entretanto, suas propriedades intrínsecas são sensíveis ao substrato no qual está suportado. É esperado que deformações estruturais do grafeno, bem como interações coulombianas com defeitos ou cargas localizadas no substrato reduzam consideravelmente o livre caminho médioe mobilidade eletrônica. Essas limitações motivam a busca por novos substratos atomicamente planos, livres de defeitos e abundantes. Neste trabalho apresentamos um estudo das propriedades morfológicas, eletrônicas e de magneto transporte do grafeno depositado emtrês materiais: o talco, o nitreto de boro hexagonal e o dióxido de silício. Observamos por medidas elétricas e de magneto transporte que a mobilidade eletrônica é significativamente maior no grafeno atomicamente plano sobre o nitreto de boro em comparação como grafeno rugoso sobre o dióxido de silício. O grafeno sobre o talco também tem uma superfície atomicamente plana, mas observamos baixa mobilidade eletrônica, acompanhada de histereses em sua condutância, forte dopagem tipo-p e instabilidades na dependência dasua resistência elétrica com a temperatura. Tais instabilidades podem decorrer de fortes interações entre a superfície do talco e o grafeno. Em algumas circunstâncias observamos deformações morfológicas e até rompimento físico do cristal de grafeno sobre o talco. Os resultados ainda são inconclusivos e utilizaremos outras técnicas experimentais para elucidar tais fenômenos.Graphene is a two dimensional material composed by carbon atoms arranged in a honeycomb lattice. During the past decade, it has attracted enormous interest due to the relativistic Dirac nature of its charge carriers and its potential for industrial application. For instance, charge carriers in graphene can move for distances over a micrometer without being scattered, and the electronic properties of graphenes with more than one layer are electronically tunable. However, achieve the intrinsic physical properties of graphene is challenging. Charge scattering and surface imperfection at non-flat substrates strongly affect electronic transport of graphene obscuring its intrinsic properties. In this work we investigate electronic properties of graphene devices on silicon substrates and on top of flat substrates like hexagonal boron nitride and talc. Hexagonal boron nitride shows the cleanest charge environment for graphene devices while devices on talc show instability and charge hysteresis which are still not understood. We show analyses based on optical microscopy, atomic force microscope, electronic measurement and magneto transport of graphene devices on these three substrates.Universidade Federal de Minas GeraisUFMGdióxido de silíciomobilidade eletrônicahistereseTalcomagneto transporteFísicaGrafenoTalcoHistereseMagneto transporteNitreto de boro hexagonalMobilidade eletrônicaGrafenoEstudo de propriedades morfológicas, eletrônicas e de magneto transporte em grafeno depositado sobre talco, nitreto de boro e dióxido de silícioinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisinfo:eu-repo/semantics/openAccessporreponame:Repositório Institucional da UFMGinstname:Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)instacron:UFMGORIGINALedrian_dissertacao.pdfapplication/pdf31364418https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/BUBD-AA8FF6/1/edrian_dissertacao.pdf4aa03c8b1990ba538e9731bf4474c290MD51TEXTedrian_dissertacao.pdf.txtedrian_dissertacao.pdf.txtExtracted texttext/plain254695https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/BUBD-AA8FF6/2/edrian_dissertacao.pdf.txt8b8f5b5f66dd9beb54b9726190c7a0e3MD521843/BUBD-AA8FF62019-11-14 06:08:14.052oai:repositorio.ufmg.br:1843/BUBD-AA8FF6Repositório InstitucionalPUBhttps://repositorio.ufmg.br/oaiopendoar:2019-11-14T09:08:14Repositório Institucional da UFMG - Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)false
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