Magneto-tunelamento ressonante em super-redes de GaAs/AsGaAs

• Autor(a) principal: Weber Hanry Morais e Feu
• Data de Publicação: 2008
• Tipo de documento: Tese
• Idioma: por
• Título da fonte: Repositório Institucional da UFMG
• Texto Completo: http://hdl.handle.net/1843/ESCZ-7N4FS7
• topic: GaAs/AsGaA; super-redes; Tunelamento; Transporte elétrico; Campo magnético; Semicondutores; Arseneto de gálio; Física

Nessa tese são apresentados três trabalhos sobre transporte elétrico em super-redes semicondutoras de GaAs/alGaAs fracamente acopladas. No primeiro trabalho, apresentado no Capítulo 3, é apresentada uma investigação da configuração dos domínios de campo elétrico no regime de tunelamento seqüencial ressoante na presença de campo magnético aplicado paralelo às camadas dos poços quânticos. É mostrado que para valores de campo elétrico aplicado em que existem dois domínios de campo elétrico na estrutura, o aumento do campo magnético provoca uma sucessão de reduções descontinuas na resistência elétrica devido ao rearranjo dos domínios de campo elétrico induzido pelo campo magnético. Para uma amostra especialmente planejada, na qual existe um poço de potencial mais largo inserido na estrutura, a configuração dos domínios de campo elétrico desencadeado pelo campo magnético permanece estável mesmo depois que o campo magnético retorna para zero. Esse efeito funciona como uma "memória", de forma que a resistência elétrica da amostra, depois de aplicado o campo magnético, é diferente da situação anterior. No segundo trabalho, descrito no Capítulo 4 são apresentadas medidas de magneto-transporte dependente da temperatura. O campo magnético aplicado paralelo às camadas foi utilizado para ajustar a ressonância de uma sub-banda de energia mais alta de um poço, populada por excitação térmica com uma sub-banda de menor energia do poço adjacente, aumentando assim a taxa de tunelamento. Por fim, no trabalho exposto no Capítulo 5 foram feitas medidas de magneto-tunelamento em super-redes, com campo magnético aplicado perpendicularmente às camadas dos poços quânticos. Foram encontradas evidências de uma redução significante nos mecanismos de espalhamento eletrônico de baixa energia induzido pelo campo magnético. Por outro lado, o efeito do campo magnéticos,nas taxas de relaxação de energia via fônons ópticos longitudinais (LO) é muito menos significante. Enquanto o tunelamento assistido por espalhamento é inibido pelo campo magnético, o tunelamento ressonante é favorecido. A relaxação da energia entre as sub-bandas via fônons LO não é afetada pelo campo magnético ao ponto de se tornar um fator limitante na corrente, o que não ocorre nos mecanismos de relaxação sem a emissão de fônons LO.