Espaço de parâmetros de alta resolução segundo o modelo de dois vales para o semicondutor GaAs semi-isolante

• Autor(a) principal: Samir Lacerda da Silva
• Data de Publicação: 2014
• Tipo de documento: Tese
• Idioma: por
• Título da fonte: Repositório Institucional da UFMG
• Texto Completo: http://hdl.handle.net/1843/BUBD-9VEH2G
• topic: Física; Semicondutores; Arseneto de gálio; Física

Amostras de GaAs semi-isolantes (GaAs SI) experimentalmente mostram, sob campos elétricos elevado e à temperatura ambiente, uma condutividade diferencial negativa do tipo N (NNDC). Desde a elaboração do modelo mais consolidado para n-GaAs, ou seja, o modelo de dois níveis, proposto por E. Schöll, não contempla a curva NNDC para GaAs SI. Neste trabalho, um modelo alternativo é proposto, o modelo de Dois Vales, baseando-se no conjunto mínimo de equações para a geração-recombinação para dois vales dentro da banda de condução, e uma equação para a velocidade de drift como uma função do campo elétrico aplicado, que abrange as propriedades físicas da condução elétrica não linear do sistema GaAs SI. O modelo de Dois Vales foi capaz de gerar, teoricamente, a região NNDC pela primeira vez, e com isso, nós fomos capazes de construir um espaço de parâmetro de periodicidade de alta resolução usando uma rotina de detecção de periodicidade (PD). No espaço de parâmetros foram observadas estruturas periódicas auto-organizadas imersas em regiões caóticas. As regiões complexas são apresentadas com estruturas na forma camarão girando em torno de um ponto focal, que compõe em grande escala uma concha do caracol, com complexas ligações entre diferentes camarões. O conhecimento de informações detalhadas sobre os espaços de parâmetros é fundamental para localizar amplas regiões de caos suave e contínuo, a fim de cumprir os requisitos para comunicações seguras com o caos.