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Luciana Pedrosa SallesAdo Jorio de VasconcelosDavies William de Lima MonteiroLidiane Campos Costa2019-08-12T10:57:12Z2019-08-12T10:57:12Z2016-04-26http://hdl.handle.net/1843/BUBD-ABZHZDOs circuitos de píxeis ativos, fabricados em tecnologia CMOS (Complementary Metal-Oxide- Semiconductor), vêm sendo amplamente utilizados devido a fatores como baixo custo e alta capacidade de integração de circuitos de processamento e armazenamento no mesmo chip, juntamente com o sensor. A escolha do tipo de sensor de luminosidade deve ser adequada para sua aplicação e somente é possível a partir da caracterização desse, utilizando parâmetros bemdefinidos. Além disso, como a busca por melhorias e avanços nos processos de design e fabricação são constantes, estes parâmetros podem ser utilizados para comparação entre diferentes sensores. Esse trabalho define uma metodologia para caracterização de píxeis ativosintegrados em tecnologia CMOS, a partir de experimentos e simulações. Foram propostos e/ou descritos procedimentos para calcular o fator de preenchimento e obter parâmetros como excursão máxima da resposta, saturação, faixa dinâmica, consumo e largura de banda para acaracterização dos píxeis, bem como responsividade e eficiência quântica para caracterização de fotodiodos em circuito integrado. A definição desses testes permitiu caracterizar e comparar seis diferentes topologias de sensor de píxel ativo (Active Pixel Sensor- APS) e uma deamplificador capacitivo de transimpedância (Capacitive Transimpedance Amplifier- CTIA). Os resultados comparativos apresentados validam a metodologia de caracterização apresentada. Neste trabalho fica evidenciada a importância da análise comparativa para sustentar decisões de projeto relacionadas ao píxel mais indicado em cada aplicação distinta.The active pixel circuits, manufactured using CMOS (Complementary Metal-Oxide- Semiconductor) technology, have been widely used due to factors such as low cost and high integration capability since it is possible integrating processing and memory circuitry on the same chip. The sensor type choice has to be suitable for the application from sensorcharacterization, using well-defined parameters. Moreover, as the search for improvements and advances in design and manufacturing processes are continuous, the same parameters may be used to compare different sensors. This study introduces a methodology for active pixels characterization, from experiments and simulations. Procedures were proposed or described to calculate fill factor and find other parameters as output swing, response saturation, dynamic range, consumption and bandwidth for the pixel characterization, and responsivity and quantumefficiency for photodiode characterization in integrated circuit. These tests allowed characterizing and comparing six APS (Active Pixel Sensor) topologies and a CTIA (Capacitive Transimpedance Amplifier). The comparative results validate the methodology. From the results in this work, it is evident the importance of comparative analysis to support project decisions related to the most suitable pixel in different applications.Universidade Federal de Minas GeraisUFMGEngenharia elétricaCaracterizaçãoCMOSAPSSensores de luzCTIAExperimentalPíxelFotodiodoCircuito integradoSimulaçãoMetodologia para caracterização e comparação de sensores de píxeis ativos integrados em tecnologia CMOSinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisinfo:eu-repo/semantics/openAccessporreponame:Repositório Institucional da UFMGinstname:Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)instacron:UFMGORIGINALdisserta__o_lidiane_costa_full.pdfapplication/pdf3774532https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/BUBD-ABZHZD/1/disserta__o_lidiane_costa_full.pdf5a39bc349e3082d07b67d601b64e20f3MD51TEXTdisserta__o_lidiane_costa_full.pdf.txtdisserta__o_lidiane_costa_full.pdf.txtExtracted texttext/plain165034https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/BUBD-ABZHZD/2/disserta__o_lidiane_costa_full.pdf.txt8ea23750a0490f5f997f928ab4755b48MD521843/BUBD-ABZHZD2019-11-14 17:36:22.479oai:repositorio.ufmg.br:1843/BUBD-ABZHZDRepositório InstitucionalPUBhttps://repositorio.ufmg.br/oaiopendoar:2019-11-14T20:36:22Repositório Institucional da UFMG - Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)false
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