Metodologia para caracterização e comparação de sensores de píxeis ativos integrados em tecnologia CMOS

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Lidiane Campos Costa
Data de Publicação: 2016
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFMG
Texto Completo: http://hdl.handle.net/1843/BUBD-ABZHZD
Resumo: Os circuitos de píxeis ativos, fabricados em tecnologia CMOS (Complementary Metal-Oxide- Semiconductor), vêm sendo amplamente utilizados devido a fatores como baixo custo e alta capacidade de integração de circuitos de processamento e armazenamento no mesmo chip, juntamente com o sensor. A escolha do tipo de sensor de luminosidade deve ser adequada para sua aplicação e somente é possível a partir da caracterização desse, utilizando parâmetros bemdefinidos. Além disso, como a busca por melhorias e avanços nos processos de design e fabricação são constantes, estes parâmetros podem ser utilizados para comparação entre diferentes sensores. Esse trabalho define uma metodologia para caracterização de píxeis ativosintegrados em tecnologia CMOS, a partir de experimentos e simulações. Foram propostos e/ou descritos procedimentos para calcular o fator de preenchimento e obter parâmetros como excursão máxima da resposta, saturação, faixa dinâmica, consumo e largura de banda para acaracterização dos píxeis, bem como responsividade e eficiência quântica para caracterização de fotodiodos em circuito integrado. A definição desses testes permitiu caracterizar e comparar seis diferentes topologias de sensor de píxel ativo (Active Pixel Sensor- APS) e uma deamplificador capacitivo de transimpedância (Capacitive Transimpedance Amplifier- CTIA). Os resultados comparativos apresentados validam a metodologia de caracterização apresentada. Neste trabalho fica evidenciada a importância da análise comparativa para sustentar decisões de projeto relacionadas ao píxel mais indicado em cada aplicação distinta.
id UFMG_61db2b32493cf812ba8ee71e759adef7
oai_identifier_str oai:repositorio.ufmg.br:1843/BUBD-ABZHZD
network_acronym_str UFMG
network_name_str Repositório Institucional da UFMG
repository_id_str
spelling Luciana Pedrosa SallesAdo Jorio de VasconcelosDavies William de Lima MonteiroLidiane Campos Costa2019-08-12T10:57:12Z2019-08-12T10:57:12Z2016-04-26http://hdl.handle.net/1843/BUBD-ABZHZDOs circuitos de píxeis ativos, fabricados em tecnologia CMOS (Complementary Metal-Oxide- Semiconductor), vêm sendo amplamente utilizados devido a fatores como baixo custo e alta capacidade de integração de circuitos de processamento e armazenamento no mesmo chip, juntamente com o sensor. A escolha do tipo de sensor de luminosidade deve ser adequada para sua aplicação e somente é possível a partir da caracterização desse, utilizando parâmetros bemdefinidos. Além disso, como a busca por melhorias e avanços nos processos de design e fabricação são constantes, estes parâmetros podem ser utilizados para comparação entre diferentes sensores. Esse trabalho define uma metodologia para caracterização de píxeis ativosintegrados em tecnologia CMOS, a partir de experimentos e simulações. Foram propostos e/ou descritos procedimentos para calcular o fator de preenchimento e obter parâmetros como excursão máxima da resposta, saturação, faixa dinâmica, consumo e largura de banda para acaracterização dos píxeis, bem como responsividade e eficiência quântica para caracterização de fotodiodos em circuito integrado. A definição desses testes permitiu caracterizar e comparar seis diferentes topologias de sensor de píxel ativo (Active Pixel Sensor- APS) e uma deamplificador capacitivo de transimpedância (Capacitive Transimpedance Amplifier- CTIA). Os resultados comparativos apresentados validam a metodologia de caracterização apresentada. Neste trabalho fica evidenciada a importância da análise comparativa para sustentar decisões de projeto relacionadas ao píxel mais indicado em cada aplicação distinta.The active pixel circuits, manufactured using CMOS (Complementary Metal-Oxide- Semiconductor) technology, have been widely used due to factors such as low cost and high integration capability since it is possible integrating processing and memory circuitry on the same chip. The sensor type choice has to be suitable for the application from sensorcharacterization, using well-defined parameters. Moreover, as the search for improvements and advances in design and manufacturing processes are continuous, the same parameters may be used to compare different sensors. This study introduces a methodology for active pixels characterization, from experiments and simulations. Procedures were proposed or described to calculate fill factor and find other parameters as output swing, response saturation, dynamic range, consumption and bandwidth for the pixel characterization, and responsivity and quantumefficiency for photodiode characterization in integrated circuit. These tests allowed characterizing and comparing six APS (Active Pixel Sensor) topologies and a CTIA (Capacitive Transimpedance Amplifier). The comparative results validate the methodology. From the results in this work, it is evident the importance of comparative analysis to support project decisions related to the most suitable pixel in different applications.Universidade Federal de Minas GeraisUFMGEngenharia elétricaCaracterizaçãoCMOSAPSSensores de luzCTIAExperimentalPíxelFotodiodoCircuito integradoSimulaçãoMetodologia para caracterização e comparação de sensores de píxeis ativos integrados em tecnologia CMOSinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisinfo:eu-repo/semantics/openAccessporreponame:Repositório Institucional da UFMGinstname:Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)instacron:UFMGORIGINALdisserta__o_lidiane_costa_full.pdfapplication/pdf3774532https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/BUBD-ABZHZD/1/disserta__o_lidiane_costa_full.pdf5a39bc349e3082d07b67d601b64e20f3MD51TEXTdisserta__o_lidiane_costa_full.pdf.txtdisserta__o_lidiane_costa_full.pdf.txtExtracted texttext/plain165034https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/BUBD-ABZHZD/2/disserta__o_lidiane_costa_full.pdf.txt8ea23750a0490f5f997f928ab4755b48MD521843/BUBD-ABZHZD2019-11-14 17:36:22.479oai:repositorio.ufmg.br:1843/BUBD-ABZHZDRepositório de PublicaçõesPUBhttps://repositorio.ufmg.br/oaiopendoar:2019-11-14T20:36:22Repositório Institucional da UFMG - Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)false
dc.title.pt_BR.fl_str_mv Metodologia para caracterização e comparação de sensores de píxeis ativos integrados em tecnologia CMOS
title Metodologia para caracterização e comparação de sensores de píxeis ativos integrados em tecnologia CMOS
spellingShingle Metodologia para caracterização e comparação de sensores de píxeis ativos integrados em tecnologia CMOS
Lidiane Campos Costa
Caracterização
CMOS
APS
Sensores de luz
CTIA
Experimental
Píxel
Fotodiodo
Circuito integrado
Simulação
Engenharia elétrica
title_short Metodologia para caracterização e comparação de sensores de píxeis ativos integrados em tecnologia CMOS
title_full Metodologia para caracterização e comparação de sensores de píxeis ativos integrados em tecnologia CMOS
title_fullStr Metodologia para caracterização e comparação de sensores de píxeis ativos integrados em tecnologia CMOS
title_full_unstemmed Metodologia para caracterização e comparação de sensores de píxeis ativos integrados em tecnologia CMOS
title_sort Metodologia para caracterização e comparação de sensores de píxeis ativos integrados em tecnologia CMOS
author Lidiane Campos Costa
author_facet Lidiane Campos Costa
author_role author
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Luciana Pedrosa Salles
dc.contributor.referee1.fl_str_mv Ado Jorio de Vasconcelos
dc.contributor.referee2.fl_str_mv Davies William de Lima Monteiro
dc.contributor.author.fl_str_mv Lidiane Campos Costa
contributor_str_mv Luciana Pedrosa Salles
Ado Jorio de Vasconcelos
Davies William de Lima Monteiro
dc.subject.por.fl_str_mv Caracterização
CMOS
APS
Sensores de luz
CTIA
Experimental
Píxel
Fotodiodo
Circuito integrado
Simulação
topic Caracterização
CMOS
APS
Sensores de luz
CTIA
Experimental
Píxel
Fotodiodo
Circuito integrado
Simulação
Engenharia elétrica
dc.subject.other.pt_BR.fl_str_mv Engenharia elétrica
description Os circuitos de píxeis ativos, fabricados em tecnologia CMOS (Complementary Metal-Oxide- Semiconductor), vêm sendo amplamente utilizados devido a fatores como baixo custo e alta capacidade de integração de circuitos de processamento e armazenamento no mesmo chip, juntamente com o sensor. A escolha do tipo de sensor de luminosidade deve ser adequada para sua aplicação e somente é possível a partir da caracterização desse, utilizando parâmetros bemdefinidos. Além disso, como a busca por melhorias e avanços nos processos de design e fabricação são constantes, estes parâmetros podem ser utilizados para comparação entre diferentes sensores. Esse trabalho define uma metodologia para caracterização de píxeis ativosintegrados em tecnologia CMOS, a partir de experimentos e simulações. Foram propostos e/ou descritos procedimentos para calcular o fator de preenchimento e obter parâmetros como excursão máxima da resposta, saturação, faixa dinâmica, consumo e largura de banda para acaracterização dos píxeis, bem como responsividade e eficiência quântica para caracterização de fotodiodos em circuito integrado. A definição desses testes permitiu caracterizar e comparar seis diferentes topologias de sensor de píxel ativo (Active Pixel Sensor- APS) e uma deamplificador capacitivo de transimpedância (Capacitive Transimpedance Amplifier- CTIA). Os resultados comparativos apresentados validam a metodologia de caracterização apresentada. Neste trabalho fica evidenciada a importância da análise comparativa para sustentar decisões de projeto relacionadas ao píxel mais indicado em cada aplicação distinta.
publishDate 2016
dc.date.issued.fl_str_mv 2016-04-26
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2019-08-12T10:57:12Z
dc.date.available.fl_str_mv 2019-08-12T10:57:12Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://hdl.handle.net/1843/BUBD-ABZHZD
url http://hdl.handle.net/1843/BUBD-ABZHZD
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.publisher.none.fl_str_mv Universidade Federal de Minas Gerais
dc.publisher.initials.fl_str_mv UFMG
publisher.none.fl_str_mv Universidade Federal de Minas Gerais
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional da UFMG
instname:Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)
instacron:UFMG
instname_str Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)
instacron_str UFMG
institution UFMG
reponame_str Repositório Institucional da UFMG
collection Repositório Institucional da UFMG
bitstream.url.fl_str_mv https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/BUBD-ABZHZD/1/disserta__o_lidiane_costa_full.pdf
https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/BUBD-ABZHZD/2/disserta__o_lidiane_costa_full.pdf.txt
bitstream.checksum.fl_str_mv 5a39bc349e3082d07b67d601b64e20f3
8ea23750a0490f5f997f928ab4755b48
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da UFMG - Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1803589491757154304