Bipolaritons em uma microcavidade semicondutora
Autor(a) principal: | |
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Data de Publicação: | 2006 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Repositório Institucional da UFMG |
Texto Completo: | http://hdl.handle.net/1843/IACO-6W9PQ4 |
Resumo: | Nesta dissertação estudamos a emissão de bipolaritons em uma micricavidade semicondutora. Bipolaritons são formados pelo acoplamento forte entre fótons e biexcitons presentes no poço quântico de GaAs dentro da microcavidade. Através de medidas de fotoluminescência, foi possível mostrar que a emissão de bipolaritons acontece quando dessintonizamos a cavidade com relação a energia do éxciton. Pequenas larguras de linhas foram medidas, da ordem de 150 ?eV e alta intensidade de emissão. Através de medidas mudando-se a polarização do laser de bombeio, pudemos verificar as regras de seleção para ciração de biexcitons em poços quânticos. |
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