Crescimento de nanofios semicondutores de óxido de zinco por deposição química na fase vapor
Autor(a) principal: | |
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Data de Publicação: | 2006 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Repositório Institucional da UFMG |
Texto Completo: | http://hdl.handle.net/1843/IACO-6W9LGT |
Resumo: | Este trabalho estuda o crescimento de nanofios de óxido de zinco (ZnO) por deposição química na fase vapor. Um novo modelo de crescimento a partir das fases gasosa e sólida foi proposto para este material, podendo ser estendido para explicar o crescimento de nanofios de outros materiais em condições termodinâmicas similares. Da mesma forma uma nova técnica de produção de nanofios foi criada a partir desse modelo. Estudos sobre o crescimento alinhado de nanofios de ZnO em substrado de safira<110> foram realizados. Através desses estudos, foi medido diretamente pela primeira vez a epitaxia entre os nanofios e o substrato, no qual foi provado o alinhamento vertical e facial dos nanofios de ZnO sobre a safira. |
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Este trabalho estuda o crescimento de nanofios de óxido de zinco (ZnO) por deposição química na fase vapor. Um novo modelo de crescimento a partir das fases gasosa e sólida foi proposto para este material, podendo ser estendido para explicar o crescimento de nanofios de outros materiais em condições termodinâmicas similares. Da mesma forma uma nova técnica de produção de nanofios foi criada a partir desse modelo. Estudos sobre o crescimento alinhado de nanofios de ZnO em substrado de safira<110> foram realizados. Através desses estudos, foi medido diretamente pela primeira vez a epitaxia entre os nanofios e o substrato, no qual foi provado o alinhamento vertical e facial dos nanofios de ZnO sobre a safira. |
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