Crescimento de nanofios semicondutores de óxido de zinco por deposição química na fase vapor

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Leonardo Cristiano Campos
Data de Publicação: 2006
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFMG
Texto Completo: http://hdl.handle.net/1843/IACO-6W9LGT
Resumo: Este trabalho estuda o crescimento de nanofios de óxido de zinco (ZnO) por deposição química na fase vapor. Um novo modelo de crescimento a partir das fases gasosa e sólida foi proposto para este material, podendo ser estendido para explicar o crescimento de nanofios de outros materiais em condições termodinâmicas similares. Da mesma forma uma nova técnica de produção de nanofios foi criada a partir desse modelo. Estudos sobre o crescimento alinhado de nanofios de ZnO em substrado de safira<110> foram realizados. Através desses estudos, foi medido diretamente pela primeira vez a epitaxia entre os nanofios e o substrato, no qual foi provado o alinhamento vertical e facial dos nanofios de ZnO sobre a safira.
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