Grafeno epitaxial sobre sic(0001): crescimento, intercalação e efeitos de interface

• Autor(a) principal: Igor de Souza Lana Antoniazzi
• Data de Publicação: 2019
• Tipo de documento: Dissertação
• Idioma: por
• Título da fonte: Repositório Institucional da UFMG
• Texto Completo: http://hdl.handle.net/1843/SMRA-BDPHAR
• topic: Carbeto de Silício; Grafeno epitaxial; Grafeno; Carbeto de Silício; Grafeno epitaxial; Grafeno

 Neste trabalho investigamos os efeitos da interface grafeno-substrato em amostras de bicamada de grafeno com empilhamento AB sobre carbeto de silício (SiC). As bicamadas foram obtidas pela intercalação com hidrogênio e com oxigênio entre a buffer-layer e a superfície SiC(0001). A primeira etapa deste trabalho consistiu na fabricação de um sistema de crescimento de grafeno epitaxial pela decomposição térmicas controlada do SiC. O sistema é capaz de operar a temperaturas até 1800 ºC com atmosfera de crescimento controlada, podendo variar entre 1 × 10-5 mbar e 1 bar de pressão, além de possibilitar um controle do fluxo de entrada e saída de gases. Em uma etapa subsequente foram realizadas caracterizações estruturais das amostras de monocamada de grafeno desenvolvidas neste sistema. Após a intercalação, informações sobre a qualidade estrutural das bicamadas de grafeno foram obtidas por medidas de espalhamento Raman e imagens de STM (Microscopia de tunelamento), que indicam que amostras intercaladas com H têm melhor qualidade estrutural que as intercaladas com O. Como as bicamadas obtidas por intercalação são altamente dopadas, foram desenvolvidos dispositivos com top-gate eletroquímico que nos possibilitaram realizar medidas elétricas próximo ao ponto de neutralidade das amostras. Entretanto, estruturas tipo gap tenham sido observadas por espectroscopia de tunelamento, os resultados não foram confirmados pelas medidas de caracterização elétrica.