Crescimento de "multicamadas" de grafeno epitaxial em substratos de SiC à pressão atmosférica

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Thiago Grasiano Mendes de Sá
Data de Publicação: 2011
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFMG
Texto Completo: http://hdl.handle.net/1843/IACO-8JJT9K
Resumo: Neste trabalho, investigamos o processo de crescimento bem como a estrutura do grafeno epitaxial crescido em substratos de carbeto de silício (SiC) face do carbono. O crescimento foi realizado à pressão atmosférica em um forno sob atmosfera de Argônio (Ar). A produção do grafeno acontece quando aquecemos o substrato de SiC à temperaturas em torno de 1700ºC. Nesta condição, ocorre a sublimação dos átomos de Si, onde os carbonos remanescentes se ligam na forma sp2 do grafeno. Técnicas de difração de raios-x, espectroscopia Raman e espectroscopia de varredura por sonda foram utilizadas para caracterizar o material produzido. Análises dos espectros de Raman mostraram um material com estrutura semelhante ao grafeno. Por outro lado, a técnica de difração de raios-x indicou a presença de muitas camadas de grafeno. Esses resultados demonstram que o material preparado pode ser considerado um grafite desacoplado, onde a interação entre os planos é fraca e cada um destes se comporta como um grafeno isolado. Esse material possui um grande potencial para aplicações do grafeno em microeletrônica.
id UFMG_4bb9e050807350345d30c9ffe97b78e4
oai_identifier_str oai:repositorio.ufmg.br:1843/IACO-8JJT9K
network_acronym_str UFMG
network_name_str Repositório Institucional da UFMG
repository_id_str
spelling Rodrigo Gribel LacerdaAriete RighiEdmar Avellar SoaresThiago Grasiano Mendes de Sá2019-08-13T10:38:04Z2019-08-13T10:38:04Z2011-03-10http://hdl.handle.net/1843/IACO-8JJT9KNeste trabalho, investigamos o processo de crescimento bem como a estrutura do grafeno epitaxial crescido em substratos de carbeto de silício (SiC) face do carbono. O crescimento foi realizado à pressão atmosférica em um forno sob atmosfera de Argônio (Ar). A produção do grafeno acontece quando aquecemos o substrato de SiC à temperaturas em torno de 1700ºC. Nesta condição, ocorre a sublimação dos átomos de Si, onde os carbonos remanescentes se ligam na forma sp2 do grafeno. Técnicas de difração de raios-x, espectroscopia Raman e espectroscopia de varredura por sonda foram utilizadas para caracterizar o material produzido. Análises dos espectros de Raman mostraram um material com estrutura semelhante ao grafeno. Por outro lado, a técnica de difração de raios-x indicou a presença de muitas camadas de grafeno. Esses resultados demonstram que o material preparado pode ser considerado um grafite desacoplado, onde a interação entre os planos é fraca e cada um destes se comporta como um grafeno isolado. Esse material possui um grande potencial para aplicações do grafeno em microeletrônica.In this work, we investigate the growth process and structure of epitaxial graphene grown on the C-face of silicon carbide (SiC) substrates. The growth was performed at atmospheric pressure in a furnace with an Argon (Ar) environment. The graphene production happens at about 1775º C. At this condition, the silicon atoms sublimate and the remaining carbon atoms on the surface bind with sp2 hibridization. X-ray diffraction,Raman spectroscopy and atomic force microscopy was used to characterize the material produced. Analyses of Raman spectra showed a material with structure similar to graphene. Moreover, X-ray diffraction indicated the presence of many layers of graphene, with interplanar distances between the Bernal and turbostratic graphite. These resultsdemonstrate that the prepared material can be considered a decoupled graphite, where the interaction between planes is weak with each other, behaving like an isolated graphene. Therefore, this material has great potential for applications in microelectronics, and can even show advantages compared to monolayer graphene, as it will become clear in this Master dissertation.Universidade Federal de Minas GeraisUFMGFilmes de grafenoGrafeno epitaxialRaio-X DifraçãoEspectroscopia de RamanFísicaDifração de Raio-XEspectroscopia RamanFilmes de grafenoGrafenoCrescimento de "multicamadas" de grafeno epitaxial em substratos de SiC à pressão atmosféricainfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisinfo:eu-repo/semantics/openAccessporreponame:Repositório Institucional da UFMGinstname:Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)instacron:UFMGORIGINALthiagograsiano.dis..pdfapplication/pdf44591624https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/IACO-8JJT9K/1/thiagograsiano.dis..pdfcee01d008bfbd6d6df0defdde8a18c60MD51TEXTthiagograsiano.dis..pdf.txtthiagograsiano.dis..pdf.txtExtracted texttext/plain161722https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/IACO-8JJT9K/2/thiagograsiano.dis..pdf.txt6e66bbfc5af4eb25b8d44937e61153f6MD521843/IACO-8JJT9K2019-11-14 22:38:59.898oai:repositorio.ufmg.br:1843/IACO-8JJT9KRepositório de PublicaçõesPUBhttps://repositorio.ufmg.br/oaiopendoar:2019-11-15T01:38:59Repositório Institucional da UFMG - Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)false
dc.title.pt_BR.fl_str_mv Crescimento de "multicamadas" de grafeno epitaxial em substratos de SiC à pressão atmosférica
title Crescimento de "multicamadas" de grafeno epitaxial em substratos de SiC à pressão atmosférica
spellingShingle Crescimento de "multicamadas" de grafeno epitaxial em substratos de SiC à pressão atmosférica
Thiago Grasiano Mendes de Sá
Difração de Raio-X
Espectroscopia Raman
Filmes de grafeno
Grafeno
Filmes de grafeno
Grafeno epitaxial
Raio-X Difração
Espectroscopia de Raman
Física
title_short Crescimento de "multicamadas" de grafeno epitaxial em substratos de SiC à pressão atmosférica
title_full Crescimento de "multicamadas" de grafeno epitaxial em substratos de SiC à pressão atmosférica
title_fullStr Crescimento de "multicamadas" de grafeno epitaxial em substratos de SiC à pressão atmosférica
title_full_unstemmed Crescimento de "multicamadas" de grafeno epitaxial em substratos de SiC à pressão atmosférica
title_sort Crescimento de "multicamadas" de grafeno epitaxial em substratos de SiC à pressão atmosférica
author Thiago Grasiano Mendes de Sá
author_facet Thiago Grasiano Mendes de Sá
author_role author
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Rodrigo Gribel Lacerda
dc.contributor.referee1.fl_str_mv Ariete Righi
dc.contributor.referee2.fl_str_mv Edmar Avellar Soares
dc.contributor.author.fl_str_mv Thiago Grasiano Mendes de Sá
contributor_str_mv Rodrigo Gribel Lacerda
Ariete Righi
Edmar Avellar Soares
dc.subject.por.fl_str_mv Difração de Raio-X
Espectroscopia Raman
Filmes de grafeno
Grafeno
topic Difração de Raio-X
Espectroscopia Raman
Filmes de grafeno
Grafeno
Filmes de grafeno
Grafeno epitaxial
Raio-X Difração
Espectroscopia de Raman
Física
dc.subject.other.pt_BR.fl_str_mv Filmes de grafeno
Grafeno epitaxial
Raio-X Difração
Espectroscopia de Raman
Física
description Neste trabalho, investigamos o processo de crescimento bem como a estrutura do grafeno epitaxial crescido em substratos de carbeto de silício (SiC) face do carbono. O crescimento foi realizado à pressão atmosférica em um forno sob atmosfera de Argônio (Ar). A produção do grafeno acontece quando aquecemos o substrato de SiC à temperaturas em torno de 1700ºC. Nesta condição, ocorre a sublimação dos átomos de Si, onde os carbonos remanescentes se ligam na forma sp2 do grafeno. Técnicas de difração de raios-x, espectroscopia Raman e espectroscopia de varredura por sonda foram utilizadas para caracterizar o material produzido. Análises dos espectros de Raman mostraram um material com estrutura semelhante ao grafeno. Por outro lado, a técnica de difração de raios-x indicou a presença de muitas camadas de grafeno. Esses resultados demonstram que o material preparado pode ser considerado um grafite desacoplado, onde a interação entre os planos é fraca e cada um destes se comporta como um grafeno isolado. Esse material possui um grande potencial para aplicações do grafeno em microeletrônica.
publishDate 2011
dc.date.issued.fl_str_mv 2011-03-10
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2019-08-13T10:38:04Z
dc.date.available.fl_str_mv 2019-08-13T10:38:04Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://hdl.handle.net/1843/IACO-8JJT9K
url http://hdl.handle.net/1843/IACO-8JJT9K
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.publisher.none.fl_str_mv Universidade Federal de Minas Gerais
dc.publisher.initials.fl_str_mv UFMG
publisher.none.fl_str_mv Universidade Federal de Minas Gerais
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional da UFMG
instname:Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)
instacron:UFMG
instname_str Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)
instacron_str UFMG
institution UFMG
reponame_str Repositório Institucional da UFMG
collection Repositório Institucional da UFMG
bitstream.url.fl_str_mv https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/IACO-8JJT9K/1/thiagograsiano.dis..pdf
https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/IACO-8JJT9K/2/thiagograsiano.dis..pdf.txt
bitstream.checksum.fl_str_mv cee01d008bfbd6d6df0defdde8a18c60
6e66bbfc5af4eb25b8d44937e61153f6
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da UFMG - Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1801676783660040192

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