| id |
UFMG_ddbefe4f845919b1e44a49f7a5e1227f
|
| oai_identifier_str |
oai:repositorio.ufmg.br:1843/IACO-7KVNEZ
|
| network_acronym_str |
UFMG
|
| network_name_str |
Repositório Institucional da UFMG
|
| repository_id_str |
|
| reponame_str |
Repositório Institucional da UFMG
|
| instacron_str |
UFMG
|
| institution |
Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)
|
| instname_str |
Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)
|
| spelling |
Juan Carlos Gonzalez PerezMarcus Vinicius Baeta MoreiraHelio ChachamWagner Nunes RodriguesJose Luis Gonzalez Arango2019-08-12T23:01:22Z2019-08-12T23:01:22Z2008-08-13http://hdl.handle.net/1843/IACO-7KVNEZNeste trabalho, apresenta-se o estado da arte sobre o mecanismo de formação de nanofios semicondutores autosustentados, crescidos a partir de elementos da tabela periódica dos grupos III e V pela técnica de MBE. No primeiro capítulo, apresenta-se uma breve resenha das técnicas experimentais de crescimento de nanofios utilizadas. O segundo capítulo consta de uma descrição da morfologia, estrutura cristalina e composição química de nanofios de InP crescidos pela técnica de CBE e nanofios de InAs crescidos pela técnica de MBE. O terceiro capítulo é dedicado à formalização do modelo VLS e sua aplicação aos resultados experimentais do crescimento dos nanofios de InP. No quarto capítulo faz-se uma revisão do modelo de crescimento VLS induzido por difusão. Nessa etapa, também propõe-se uma generalização do modelo VLS-ID, incorporando o processo de interdifusão, onde átomos do material do substrato difundindo-se por suas monocamadas mais superficiais incorporam-se no nanofio. Ainda nesse capítulo serão apresentados os dados experimentais que mostram a presença de átomos de Ga em nanofios, composição química nominal de InAs e o fenômeno de interdifusão durante o crescimento dos mesmos. Além disso, obteve-se a partir do modelo proposto uma expressão para a dependência da fração molar de GaAs nos nanofios em função da temperatura de crescimento.SUniversidade Federal de Minas GeraisUFMGSemicondutores de arsenieto de índioNanofiosDinâmica de crescimentoSemicondutores de arsenieto de gálioFísicaArsenieto de gálioDinâmica de crescimentoSemicondutoresArsenieto de índioCrescimento de nanofiosEstudo da dinâmica de crescimento de nanofios autosustentados do grupo III-V sobre substratos GaAs(100) e GaAs(111)B a partir de técnicas correlatas e epitaxia por feixes molecularesinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisinfo:eu-repo/semantics/openAccessporreponame:Repositório Institucional da UFMGinstname:Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)instacron:UFMGORIGINALjose_l.gonzales.dis..pdfapplication/pdf6218828https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/IACO-7KVNEZ/1/jose_l.gonzales.dis..pdffe0d5619828bb99a8a74fdb141ec8319MD51TEXTjose_l.gonzales.dis..pdf.txtjose_l.gonzales.dis..pdf.txtExtracted texttext/plain105696https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/IACO-7KVNEZ/2/jose_l.gonzales.dis..pdf.txt083f07d0fa54336448ea0346cc229262MD521843/IACO-7KVNEZ2019-11-14 20:16:16.589oai:repositorio.ufmg.br:1843/IACO-7KVNEZRepositório InstitucionalPUBhttps://repositorio.ufmg.br/oaiopendoar:2019-11-14T23:16:16Repositório Institucional da UFMG - Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)false
|
| _version_ |
1813547946423091200
|