Estudo da dinâmica de crescimento de nanofios autosustentados do grupo III-V sobre substratos GaAs(100) e GaAs(111)B a partir de técnicas correlatas e epitaxia por feixes moleculares

• Autor(a) principal: Jose Luis Gonzalez Arango
• Data de Publicação: 2008
• Tipo de documento: Dissertação
• Idioma: por
• Título da fonte: Repositório Institucional da UFMG
• Texto Completo: http://hdl.handle.net/1843/IACO-7KVNEZ
• topic: Arsenieto de gálio; Dinâmica de crescimento; Semicondutores; Arsenieto de índio; Crescimento de nanofios; Semicondutores de arsenieto de índio; Nanofios; Dinâmica de crescimento; Semicondutores de arsenieto de gálio; Física

Neste trabalho, apresenta-se o estado da arte sobre o mecanismo de formação de nanofios semicondutores autosustentados, crescidos a partir de elementos da tabela periódica dos grupos III e V pela técnica de MBE. No primeiro capítulo, apresenta-se uma breve resenha das técnicas experimentais de crescimento de nanofios utilizadas. O segundo capítulo consta de uma descrição da morfologia, estrutura cristalina e composição química de nanofios de InP crescidos pela técnica de CBE e nanofios de InAs crescidos pela técnica de MBE. O terceiro capítulo é dedicado à formalização do modelo VLS e sua aplicação aos resultados experimentais do crescimento dos nanofios de InP. No quarto capítulo faz-se uma revisão do modelo de crescimento VLS induzido por difusão. Nessa etapa, também propõe-se uma generalização do modelo VLS-ID, incorporando o processo de interdifusão, onde átomos do material do substrato difundindo-se por suas monocamadas mais superficiais incorporam-se no nanofio. Ainda nesse capítulo serão apresentados os dados experimentais que mostram a presença de átomos de Ga em nanofios, composição química nominal de InAs e o fenômeno de interdifusão durante o crescimento dos mesmos. Além disso, obteve-se a partir do modelo proposto uma expressão para a dependência da fração molar de GaAs nos nanofios em função da temperatura de crescimento.