A cinética ultra-rápida de excitações elementares em semicondutores fotoexcitados

• Autor(a) principal: Souza, Rogerio Moreira de
• Data de Publicação: 2006
• Tipo de documento: Dissertação
• Idioma: por
• Título da fonte: Repositório Institucional da UFMS
• Texto Completo: https://repositorio.ufms.br/handle/123456789/515
• topic: Teoria Cinética; Mecânica Estatística; Teorias da Termodinâmica; Calor

Neste trabalho são apresentados alguns resultados referentes ao estudo de da cinética de evolução ao estado de equilibrio de um semicondutor fotoexcitado . As equações de transporte que descrevem a evolução ao equilibrio foram obtidas a partir do Método do Operador Estatistico de Não Equilibrio na versão de Zubarev. O semicondutor é descrito em termos de portadores de carga (elétrons e buracos foto-injetados através de uma fonte externa de energia ) interagindo entre si e com a rede cristalina (fônons). No modelo considerado são levados em conta os efeitos de recombinação direta do par elétron-buraco, difusão ambipolar e blindagem da interação elétron-fônon. As populações de fônons longitudinais ópticos (LO) e transversais ópticos (TO) são tratadas como populações fora do equilibrio térmico enquanto que as populações de fônons longitudinais acústicos (LA) são tomadas em equilibrio permanente com o reservatório térmico. Resultados numéricos são apresentados para o Arseneto de Gálio (GaAs) evidenciando tanto o estado transiente como o estado estacionário do plasma. Ainda apresenta-se um primeiro resultado referente ao uso de uma estatistica não convencional (estatistica de Renyi) para descrição das populações de fônons LO.