Referências de tensão integradas CMOS : testes, medidas e caracterização térmica

• Autor(a) principal: Corrêa, Luiza Souza
• Data de Publicação: 2018
• Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
• Idioma: por
• Título da fonte: Repositório Institucional da UFRGS
• Texto Completo: http://hdl.handle.net/10183/192984
• topic: Referência de tensão; Cmos; ZTC point; Thermal Characterization; Electric Characterization; Voltage Reference

Este trabalho descreve o setup de medidas e os resultados experimentais de uma Referência de Tensão somente com transistores NMOS baseada no ponto ZTC. Os transistores Zero- VT são usados como cargas ativas no circuito aberto e de feedback do circuito. Os resultados de medição de 10 amostras (processo 130 nm CMOS) do mesmo lote mostram que o circuito pode operar em 0,6 V de tensão mínima de alimentação, produz um Vref 0,372 V com 3 mV de desvio padrão, em comparação com 0,450 V e 29,2 mV respectivamente da simulação pós-layout. Além disso, o circuito ocupa uma área de apenas 0,006 mm 2. O coeficiente de temperatura medido de -55 oC a 75 oC é 76 ppm / oC para alimentação nominal de 1,2 V. O consumo de energia à temperatura ambiente e a alimentação de 1,2 V é de cerca de 0,9 μW. O circuito atinge um line sensitivity de apenas 0.177 % / V. O PSR foi medido em 500 Hz, 1 Khz, 10Khz e 100Khz e os resultados foram -27,5 dB, -23,5, -11,5 e -9,42 respectivamente.