Projeto de circuito integrado CMOS para referência de tensão sub-1v

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Werle, Felipe Corrêa
Data de Publicação: 2012
Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFRGS
Texto Completo: http://hdl.handle.net/10183/65431
Resumo: Este trabalho apresenta um estudo de design de circuitos CMOS para referências de tensão inferiores à tensão de bandgap assim como a sua implementação. O maior desafio nesse tipo de projeto está em encontrar outro parâmetro, tão estável quanto a referência clássica de bandgap, e que possa ser utilizado como fonte de tensão a fim de proporcionar um potencial sub-volt (abaixo de 1V) com uma boa estabilidade térmica. Essa necessidade surge no momento em que as novas tecnologias CMOS estão reduzindo a tensão máxima de alimentação admissível nos circuitos integrados. Os circuitos digitais CMOS abaixo de 32nm podem operar confiavelmente com tensões inferiores à tensão de bandgap (1.1 a 1.2V), além do que a eficiência energética dos circuitos CMOS digitais aumenta com a redução da tensão. Daí surge esse desafio de desenvolver referências de tensão DC sub-1V. A referência de tensão desenvolvida ao longo desse trabalho pode ser utilizada para em diversas aplicações típicas em circuitos analógicos ou como dispositivo de estimação da tensão de limiar, por ser baseada na mesma. Nesse trabalho, é projetada uma referência de tensão capaz de proporcionar tensões abaixo de 1V e que sejam proporcionais à tensão de tensão de limiar do MOSFET. Referências de tensão normalmente têm uma grande resistência de saída o que impede a sua utilização direta para fornecer uma corrente à carga. Para solucionar este problema e fornecer um circuito mais completo, foi desenvolvido um amplificador a fim de fornecer maior potência para os circuitos subsequentes, para preservar a referência e permitir um trimming se for necessária uma referência de maior precisão.
id UFRGS-2_370de80feddc73507442f8884b7ea15c
oai_identifier_str oai:www.lume.ufrgs.br:10183/65431
network_acronym_str UFRGS-2
network_name_str Repositório Institucional da UFRGS
repository_id_str
spelling Werle, Felipe CorrêaBampi, Sergio2013-01-29T01:37:54Z2012http://hdl.handle.net/10183/65431000858065Este trabalho apresenta um estudo de design de circuitos CMOS para referências de tensão inferiores à tensão de bandgap assim como a sua implementação. O maior desafio nesse tipo de projeto está em encontrar outro parâmetro, tão estável quanto a referência clássica de bandgap, e que possa ser utilizado como fonte de tensão a fim de proporcionar um potencial sub-volt (abaixo de 1V) com uma boa estabilidade térmica. Essa necessidade surge no momento em que as novas tecnologias CMOS estão reduzindo a tensão máxima de alimentação admissível nos circuitos integrados. Os circuitos digitais CMOS abaixo de 32nm podem operar confiavelmente com tensões inferiores à tensão de bandgap (1.1 a 1.2V), além do que a eficiência energética dos circuitos CMOS digitais aumenta com a redução da tensão. Daí surge esse desafio de desenvolver referências de tensão DC sub-1V. A referência de tensão desenvolvida ao longo desse trabalho pode ser utilizada para em diversas aplicações típicas em circuitos analógicos ou como dispositivo de estimação da tensão de limiar, por ser baseada na mesma. Nesse trabalho, é projetada uma referência de tensão capaz de proporcionar tensões abaixo de 1V e que sejam proporcionais à tensão de tensão de limiar do MOSFET. Referências de tensão normalmente têm uma grande resistência de saída o que impede a sua utilização direta para fornecer uma corrente à carga. Para solucionar este problema e fornecer um circuito mais completo, foi desenvolvido um amplificador a fim de fornecer maior potência para os circuitos subsequentes, para preservar a referência e permitir um trimming se for necessária uma referência de maior precisão.This work presents a study of circuit designs for voltage references below bandgap voltage as well as their implementations. The greatest challenge is to find another parameter, as stable as the bandgap voltage, and which can be used as a reference voltage to provide a sub-volt (below 1V) reference potential with good temperature stability. This need arises as the new CMOS technologies are decreasing the maximum supply voltage of integrated circuits. Many CMOS digital circuits below 32nm minimum channel length operate at voltages below the bandgap reference voltage (1.1 to 1.2V), and furthermore, the power efficiency of CMOS digital circuits increases with voltage reduction. From this, arises the challenge of developing DC voltage references sub-1V. The voltage reference developed throughout this work may be used in various applications for typical analog circuits or as a device for estimating the threshold voltage of MOSFETs, as it is based on the same. This work is designed to cover a reference voltage to provide voltages of 1V and below that are proportional to the threshold voltage of the MOSFETs. Reference voltage typically has a high output resistance which prevents its direct use to drive a current load. To solve this problem and to provide a more complete circuit, an amplifier is designed to deliver more power to the load circuits, to preserve the reference and to let trimming if better precision is necessary.application/pdfporEngenharia elétricaMicroelectronicsIntegrated circuitsReference voltageBandgap voltage referenceAmplifierMOS transistorProjeto de circuito integrado CMOS para referência de tensão sub-1vinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/bachelorThesisUniversidade Federal do Rio Grande do SulEscola de EngenhariaPorto Alegre, BR-RS2012Engenharia Elétricagraduaçãoinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional da UFRGSinstname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)instacron:UFRGSORIGINAL000858065.pdf000858065.pdfTexto completoapplication/pdf1700539http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/65431/1/000858065.pdf956fa7368ced4efb62fea70b296e7be8MD51TEXT000858065.pdf.txt000858065.pdf.txtExtracted Texttext/plain78993http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/65431/2/000858065.pdf.txt3f06c7f005c2dbcaacf6bdacd3755ad7MD52THUMBNAIL000858065.pdf.jpg000858065.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg1036http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/65431/3/000858065.pdf.jpga9800ba3fdbf7ccdf94bb73aafd5a20fMD5310183/654312018-10-16 09:31:42.163oai:www.lume.ufrgs.br:10183/65431Repositório de PublicaçõesPUBhttps://lume.ufrgs.br/oai/requestopendoar:2018-10-16T12:31:42Repositório Institucional da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)false
dc.title.pt_BR.fl_str_mv Projeto de circuito integrado CMOS para referência de tensão sub-1v
title Projeto de circuito integrado CMOS para referência de tensão sub-1v
spellingShingle Projeto de circuito integrado CMOS para referência de tensão sub-1v
Werle, Felipe Corrêa
Engenharia elétrica
Microelectronics
Integrated circuits
Reference voltage
Bandgap voltage reference
Amplifier
MOS transistor
title_short Projeto de circuito integrado CMOS para referência de tensão sub-1v
title_full Projeto de circuito integrado CMOS para referência de tensão sub-1v
title_fullStr Projeto de circuito integrado CMOS para referência de tensão sub-1v
title_full_unstemmed Projeto de circuito integrado CMOS para referência de tensão sub-1v
title_sort Projeto de circuito integrado CMOS para referência de tensão sub-1v
author Werle, Felipe Corrêa
author_facet Werle, Felipe Corrêa
author_role author
dc.contributor.author.fl_str_mv Werle, Felipe Corrêa
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Bampi, Sergio
contributor_str_mv Bampi, Sergio
dc.subject.por.fl_str_mv Engenharia elétrica
topic Engenharia elétrica
Microelectronics
Integrated circuits
Reference voltage
Bandgap voltage reference
Amplifier
MOS transistor
dc.subject.eng.fl_str_mv Microelectronics
Integrated circuits
Reference voltage
Bandgap voltage reference
Amplifier
MOS transistor
description Este trabalho apresenta um estudo de design de circuitos CMOS para referências de tensão inferiores à tensão de bandgap assim como a sua implementação. O maior desafio nesse tipo de projeto está em encontrar outro parâmetro, tão estável quanto a referência clássica de bandgap, e que possa ser utilizado como fonte de tensão a fim de proporcionar um potencial sub-volt (abaixo de 1V) com uma boa estabilidade térmica. Essa necessidade surge no momento em que as novas tecnologias CMOS estão reduzindo a tensão máxima de alimentação admissível nos circuitos integrados. Os circuitos digitais CMOS abaixo de 32nm podem operar confiavelmente com tensões inferiores à tensão de bandgap (1.1 a 1.2V), além do que a eficiência energética dos circuitos CMOS digitais aumenta com a redução da tensão. Daí surge esse desafio de desenvolver referências de tensão DC sub-1V. A referência de tensão desenvolvida ao longo desse trabalho pode ser utilizada para em diversas aplicações típicas em circuitos analógicos ou como dispositivo de estimação da tensão de limiar, por ser baseada na mesma. Nesse trabalho, é projetada uma referência de tensão capaz de proporcionar tensões abaixo de 1V e que sejam proporcionais à tensão de tensão de limiar do MOSFET. Referências de tensão normalmente têm uma grande resistência de saída o que impede a sua utilização direta para fornecer uma corrente à carga. Para solucionar este problema e fornecer um circuito mais completo, foi desenvolvido um amplificador a fim de fornecer maior potência para os circuitos subsequentes, para preservar a referência e permitir um trimming se for necessária uma referência de maior precisão.
publishDate 2012
dc.date.issued.fl_str_mv 2012
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2013-01-29T01:37:54Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
format bachelorThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://hdl.handle.net/10183/65431
dc.identifier.nrb.pt_BR.fl_str_mv 000858065
url http://hdl.handle.net/10183/65431
identifier_str_mv 000858065
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional da UFRGS
instname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
instname_str Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron_str UFRGS
institution UFRGS
reponame_str Repositório Institucional da UFRGS
collection Repositório Institucional da UFRGS
bitstream.url.fl_str_mv http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/65431/1/000858065.pdf
http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/65431/2/000858065.pdf.txt
http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/65431/3/000858065.pdf.jpg
bitstream.checksum.fl_str_mv 956fa7368ced4efb62fea70b296e7be8
3f06c7f005c2dbcaacf6bdacd3755ad7
a9800ba3fdbf7ccdf94bb73aafd5a20f
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1815447096489148416