Estrutura do InP amorfo obtido por implantação iônica

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Antonio, Viviane Peçanha
Data de Publicação: 2012
Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFRGS
Texto Completo: http://hdl.handle.net/10183/77897
Resumo: O objetivo deste trabalho é estudar a estrutura local de semicondutores amofizados via implantação iônica. Utilizaremos a região de EXAFS de espectros de absorção de raios-x para identificar as modificações induzidas nos materiais devido ao processo de amorfização, como o surgimento de ligações homopolares, mudanças nos números de coordenação e na distribuição estatística de distâncias interatômicas. Além disso, analisaremos os defeitos relacionados ao processo de relaxação estrutural decorrente do surgimento de configurações metaestáveis na estrutura do semicondutor, com base em medições de EXAFS na amostra tratada termicamente em temperaturas diferentes, até sua consequente recristalização. Por fim, queremos saber como a urgência de implantação influência o grau de amorfização das amostras.
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