Estrutura do InP amorfo obtido por implantação iônica

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Antonio, Viviane Peçanha
Data de Publicação: 2012
Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFRGS
Texto Completo: http://hdl.handle.net/10183/77897
Resumo: O objetivo deste trabalho é estudar a estrutura local de semicondutores amofizados via implantação iônica. Utilizaremos a região de EXAFS de espectros de absorção de raios-x para identificar as modificações induzidas nos materiais devido ao processo de amorfização, como o surgimento de ligações homopolares, mudanças nos números de coordenação e na distribuição estatística de distâncias interatômicas. Além disso, analisaremos os defeitos relacionados ao processo de relaxação estrutural decorrente do surgimento de configurações metaestáveis na estrutura do semicondutor, com base em medições de EXAFS na amostra tratada termicamente em temperaturas diferentes, até sua consequente recristalização. Por fim, queremos saber como a urgência de implantação influência o grau de amorfização das amostras.
id UFRGS-2_6ae5879f8bc37d96d655aca33ef9454b
oai_identifier_str oai:www.lume.ufrgs.br:10183/77897
network_acronym_str UFRGS-2
network_name_str Repositório Institucional da UFRGS
repository_id_str
spelling Antonio, Viviane PeçanhaAzevedo, Gustavo de Medeiros2013-09-10T01:46:26Z2012http://hdl.handle.net/10183/77897000897983O objetivo deste trabalho é estudar a estrutura local de semicondutores amofizados via implantação iônica. Utilizaremos a região de EXAFS de espectros de absorção de raios-x para identificar as modificações induzidas nos materiais devido ao processo de amorfização, como o surgimento de ligações homopolares, mudanças nos números de coordenação e na distribuição estatística de distâncias interatômicas. Além disso, analisaremos os defeitos relacionados ao processo de relaxação estrutural decorrente do surgimento de configurações metaestáveis na estrutura do semicondutor, com base em medições de EXAFS na amostra tratada termicamente em temperaturas diferentes, até sua consequente recristalização. Por fim, queremos saber como a urgência de implantação influência o grau de amorfização das amostras.The aim of this work is to study the local structure of binary semiconductors amorphised by ion implantation. We use EXAFS spectra to identify structural disorder induced by ion-implantation into the material, such as homopolar bonding, under/overcoordination and the broadening of the distribution of interatomic distances. In addition, we analyze the defects associated with the structural relaxation resulting from con gurations with different metastabilities on semiconductor structure, based on EXAFS measurements of the annealed sample at di erent temperatures up to its consequent recrystallization. Finally, we want to characterize how the implantation uence in uences the degree of amorphisation of the samples.application/pdfporImplantacao ionicaEspectros de absorção de raios-xSemicondutoresAmorfizacaoEstrutura fina estendida de absorção de raios x (EXAFS)Estrutura do InP amorfo obtido por implantação iônicainfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/bachelorThesisUniversidade Federal do Rio Grande do SulInstituto de FísicaPorto Alegre, BR-RS2012Pesquisa Básica: Bachareladograduaçãoinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional da UFRGSinstname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)instacron:UFRGSORIGINAL000897983.pdf000897983.pdfTexto completoapplication/pdf2191988http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/77897/1/000897983.pdfe81da6bb8d211523b529dd14a5e1f9afMD51TEXT000897983.pdf.txt000897983.pdf.txtExtracted Texttext/plain57707http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/77897/2/000897983.pdf.txtc053e4a6f936495420347cfbe606f1c5MD52THUMBNAIL000897983.pdf.jpg000897983.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg854http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/77897/3/000897983.pdf.jpg766728297c8e426e5759095f3ce1ab82MD5310183/778972020-11-26 05:16:41.611076oai:www.lume.ufrgs.br:10183/77897Repositório de PublicaçõesPUBhttps://lume.ufrgs.br/oai/requestopendoar:2020-11-26T07:16:41Repositório Institucional da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)false
dc.title.pt_BR.fl_str_mv Estrutura do InP amorfo obtido por implantação iônica
title Estrutura do InP amorfo obtido por implantação iônica
spellingShingle Estrutura do InP amorfo obtido por implantação iônica
Antonio, Viviane Peçanha
Implantacao ionica
Espectros de absorção de raios-x
Semicondutores
Amorfizacao
Estrutura fina estendida de absorção de raios x (EXAFS)
title_short Estrutura do InP amorfo obtido por implantação iônica
title_full Estrutura do InP amorfo obtido por implantação iônica
title_fullStr Estrutura do InP amorfo obtido por implantação iônica
title_full_unstemmed Estrutura do InP amorfo obtido por implantação iônica
title_sort Estrutura do InP amorfo obtido por implantação iônica
author Antonio, Viviane Peçanha
author_facet Antonio, Viviane Peçanha
author_role author
dc.contributor.author.fl_str_mv Antonio, Viviane Peçanha
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Azevedo, Gustavo de Medeiros
contributor_str_mv Azevedo, Gustavo de Medeiros
dc.subject.por.fl_str_mv Implantacao ionica
Espectros de absorção de raios-x
Semicondutores
Amorfizacao
Estrutura fina estendida de absorção de raios x (EXAFS)
topic Implantacao ionica
Espectros de absorção de raios-x
Semicondutores
Amorfizacao
Estrutura fina estendida de absorção de raios x (EXAFS)
description O objetivo deste trabalho é estudar a estrutura local de semicondutores amofizados via implantação iônica. Utilizaremos a região de EXAFS de espectros de absorção de raios-x para identificar as modificações induzidas nos materiais devido ao processo de amorfização, como o surgimento de ligações homopolares, mudanças nos números de coordenação e na distribuição estatística de distâncias interatômicas. Além disso, analisaremos os defeitos relacionados ao processo de relaxação estrutural decorrente do surgimento de configurações metaestáveis na estrutura do semicondutor, com base em medições de EXAFS na amostra tratada termicamente em temperaturas diferentes, até sua consequente recristalização. Por fim, queremos saber como a urgência de implantação influência o grau de amorfização das amostras.
publishDate 2012
dc.date.issued.fl_str_mv 2012
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2013-09-10T01:46:26Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
format bachelorThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://hdl.handle.net/10183/77897
dc.identifier.nrb.pt_BR.fl_str_mv 000897983
url http://hdl.handle.net/10183/77897
identifier_str_mv 000897983
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional da UFRGS
instname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
instname_str Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron_str UFRGS
institution UFRGS
reponame_str Repositório Institucional da UFRGS
collection Repositório Institucional da UFRGS
bitstream.url.fl_str_mv http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/77897/1/000897983.pdf
http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/77897/2/000897983.pdf.txt
http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/77897/3/000897983.pdf.jpg
bitstream.checksum.fl_str_mv e81da6bb8d211523b529dd14a5e1f9af
c053e4a6f936495420347cfbe606f1c5
766728297c8e426e5759095f3ce1ab82
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1801224452700110848

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