Plataforma de testes para caracterização elétrica de diodos Schottky integrados
Autor(a) principal: | |
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Data de Publicação: | 2017 |
Tipo de documento: | Trabalho de conclusão de curso |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Repositório Institucional da UFRGS |
Texto Completo: | http://hdl.handle.net/10183/169246 |
Resumo: | A redução da tensão de alimentação dos dispositivos eletrônicos traz a necessidade do estudo de novas topologias para referências de tensão. Essas topologias buscam o uso de dispositivos normalmente alheios a esse tipo de aplicações, como diodos Schottky, encontrados usualmente em circuitos de proteção para circuitos integrados (CIs). Para esse uso é mandatório que os parâmetros de variabilidade sejam bem conhecidos e, devido a ausência de tais dados por parte da indústria, surge a necessidade do desenvolvimento de estruturas para caracterização e obtenção dos parâmetros relevantes para a aplicação. Sistemas de caracterização de dispositivos semicondutores tem em seu cerne analisadores de parâmetros, isso traz a necessidade do desenvolvimento de estruturas de integração entre estes e outros equipamentos, como câmaras térmicas para conformar o ambiente e circuitos para isolação galvânica entre o dispositivo a ser medido e o computador. Também é necessária uma estrutura de controle para automatizar e deixar mais modular o sistema de caracterização possibilitando reuso futuro em aplicações distintas. A estrutura modular desenvolvida habilita a caracterização automatizada da matriz de diodos Schottky e provê diversas possibilidades de aproveitamento futuro dessa tecnologia. |
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Berlitz, Carlos AugustoKlimach, Hamilton Duarte2017-10-07T05:44:31Z2017http://hdl.handle.net/10183/169246001049558A redução da tensão de alimentação dos dispositivos eletrônicos traz a necessidade do estudo de novas topologias para referências de tensão. Essas topologias buscam o uso de dispositivos normalmente alheios a esse tipo de aplicações, como diodos Schottky, encontrados usualmente em circuitos de proteção para circuitos integrados (CIs). Para esse uso é mandatório que os parâmetros de variabilidade sejam bem conhecidos e, devido a ausência de tais dados por parte da indústria, surge a necessidade do desenvolvimento de estruturas para caracterização e obtenção dos parâmetros relevantes para a aplicação. Sistemas de caracterização de dispositivos semicondutores tem em seu cerne analisadores de parâmetros, isso traz a necessidade do desenvolvimento de estruturas de integração entre estes e outros equipamentos, como câmaras térmicas para conformar o ambiente e circuitos para isolação galvânica entre o dispositivo a ser medido e o computador. Também é necessária uma estrutura de controle para automatizar e deixar mais modular o sistema de caracterização possibilitando reuso futuro em aplicações distintas. A estrutura modular desenvolvida habilita a caracterização automatizada da matriz de diodos Schottky e provê diversas possibilidades de aproveitamento futuro dessa tecnologia.The reduction of the supply voltage of electronic circuits brings the need to study new topologies for voltage reference circuits. These topologies seek the use of devices normally alien to this kind of application, like Schottky diodes, which are usually found in circuit protection for integrated circuits (ICs). Aiming at this use it is mandatory for the variability parameters to be well known and, due to the lack of this data from the industry side, arise the need to develop structures for characterizing and obtaining the application relevant parameters. Semiconductor characterization systems have as its core a parameter analyzer, this brings the need to develop integration structures to act between this and other equipments, like thermal chambers to conform the ambient and isolation circuits for galvanic isolation between the device under test and the computer. There is also the need of a control structure to automate and transform the characterization system in something more modular allowing the reuse in future different applications. The modular developed structure enables automated characterizaton of a Schottky diode matrix and offers many future uses for the aplication of this technology.application/pdfporEngenharia elétricaMicroelectronicsVariabilityParameterizationTestbenchVoltage ReferenceSchottky DiodePlataforma de testes para caracterização elétrica de diodos Schottky integradosinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/bachelorThesisUniversidade Federal do Rio Grande do SulEscola de EngenhariaPorto Alegre, BR-RS2017Engenharia Elétricagraduaçãoinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional da UFRGSinstname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)instacron:UFRGSORIGINAL001049558.pdf001049558.pdfTexto completoapplication/pdf4254021http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/169246/1/001049558.pdf91751461f2f9ec474fa18b8db8e3ca38MD51TEXT001049558.pdf.txt001049558.pdf.txtExtracted Texttext/plain78994http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/169246/2/001049558.pdf.txt0e79216d02df8321c312f3f18c4a9cbfMD52THUMBNAIL001049558.pdf.jpg001049558.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg1148http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/169246/3/001049558.pdf.jpg72424662b1e2c48a359d78e82656d42fMD5310183/1692462018-10-29 08:42:03.359oai:www.lume.ufrgs.br:10183/169246Repositório de PublicaçõesPUBhttps://lume.ufrgs.br/oai/requestopendoar:2018-10-29T11:42:03Repositório Institucional da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)false |
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