Medição de diodos Schottky integrados para caracterização de variabilidade

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Pedrini, Marcelo
Data de Publicação: 2019
Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFRGS
Texto Completo: http://hdl.handle.net/10183/238800
Resumo: A necessidade de se medir uma grande quantidade de diodos Schottky para caracterização de curvas de corrente por tensão, com o uso de uma baixa quantidade de pinos de acesso externo, levou à simulação e construção de um circuito apropriado para este fim. A preparação do ambiente de medição para este circuito pode não ser tão trivial como se pensava durante as etapas de simulação. O sistema Force-Sense das SMUs do Agilent 4156C precisa de cuidado no estudo e implementação de seu uso. Automatizar o processo de geração e aquisição dos dados medidos foi fundamental para que a tarefa não se tornasse tediosa. Dando continuidade a trabalhos iniciados anteriormente, o ambiente de medição e o sistema de automatização foram ajustados e a obtenção dos dados de corrente por tensão puderam ser obtidos para as temperaturas de -25°C, 0°C, 25°C e 50°C. O tratamento inicial das medições dos 400 diodos Schottky, em suas 4 geometrias diferentes, mostrou que o circuito foi simulado e construído de forma correta. As correntes de saturação reversa dos diodos se mantiveram entre 10-13A e 10-10A, variando conforme a geometria e a temperatura; o desvio padrão para esta corrente ficou uma década abaixo da média dos valores medidos. O fator de idealidade do diodo ficou centrado próximo a 1. As curvas de tensão por temperatura foram extrapolados para 0K (-273°C) obtendo- se o valor aproximado de 0,7V para a barreira de potencial destes diodos. As derivas térmicas ficaram próximas de 1,95 mV/°C para a corrente de 10-8A e 1,30mV/°C para correntes de 10-5A.
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