Análise de topologias para lâmpada bulbo led utilizando dispositivos semicondutores de nitreto de gálio operando em 1MHz
Autor(a) principal: | |
---|---|
Data de Publicação: | 2018 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Manancial - Repositório Digital da UFSM |
Texto Completo: | http://repositorio.ufsm.br/handle/1/16026 |
Resumo: | This paper presents the losses and efficiency evaluation to three different topologies. This paper goals are evaluating the losses percental related to the semiconductors devices, Gallium Nitride (GaN). This paper presents the converters: synchronous Buck, quasi-resonant Buck converter and LLC resonant converter. The topologies have their losses evaluated by calculation, simulation and experimental, therefore it is possible to compare the methods. Utilizing the calculation and simulation method is possible to predict the real converter behaviour, as result is possible to evaluate each device losses. In conclusion the Gallium Nitrite have some limitations to low load applications and hard switching operation. In the resonant applications the semiconductor devices, GaN, have their losses decreased. |
id |
UFSM_a7ed6b3b75b651a9867c774b9ce017d4 |
---|---|
oai_identifier_str |
oai:repositorio.ufsm.br:1/16026 |
network_acronym_str |
UFSM |
network_name_str |
Manancial - Repositório Digital da UFSM |
repository_id_str |
|
spelling |
Análise de topologias para lâmpada bulbo led utilizando dispositivos semicondutores de nitreto de gálio operando em 1MHzAnalysis of topologies for bulb led lamps using gallium nitride semiconductors operating in 1MHzPerdasGaNConversores ressonantesLossesResonant convertersCNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELETRICAThis paper presents the losses and efficiency evaluation to three different topologies. This paper goals are evaluating the losses percental related to the semiconductors devices, Gallium Nitride (GaN). This paper presents the converters: synchronous Buck, quasi-resonant Buck converter and LLC resonant converter. The topologies have their losses evaluated by calculation, simulation and experimental, therefore it is possible to compare the methods. Utilizing the calculation and simulation method is possible to predict the real converter behaviour, as result is possible to evaluate each device losses. In conclusion the Gallium Nitrite have some limitations to low load applications and hard switching operation. In the resonant applications the semiconductor devices, GaN, have their losses decreased.O presente trabalho apresenta o estudo das perdas e da eficiência para três topologias de conversores. Tendo como objetivo avaliar a percentagem de perdas relativas ao semicondutor à base de Nitreto de Gálio (GaN). As topologias empregadas neste trabalho são Buck síncrono, Buck quase-ressonante e conversor ressonante LLC. Para cada uma das topologias são avaliadas as perdas por cálculo, por simulação e de modo experimental, de forma a realizar um comparativo entre os métodos. Com o uso dos métodos de cálculo e de simulação foi possível prever-se o comportamento real dos conversores, assim como avaliar as perdas em cada um dos componentes. Com este trabalho conclui-se que o GaN possui suas limitações em aplicações de baixa potência e em aplicações em comutação forçada. Em aplicações ressonantes as perdas relativas aos semicondutores GaN, são reduzidas significativamente.Universidade Federal de Santa MariaBrasilEngenharia ElétricaUFSMPrograma de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaCentro de TecnologiaPrado, Ricardo Nederson dohttp://lattes.cnpq.br/6324790827842684Cosetin, Marcelo Rafaelhttp://lattes.cnpq.br/4834011530700633Russi, Jumar Luíshttp://lattes.cnpq.br/8066639517474565Rosa, Veridiane Lopes2019-04-01T14:17:27Z2019-04-01T14:17:27Z2018-08-31info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfhttp://repositorio.ufsm.br/handle/1/16026porAttribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internationalhttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/info:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Manancial - Repositório Digital da UFSMinstname:Universidade Federal de Santa Maria (UFSM)instacron:UFSM2022-04-11T11:35:38Zoai:repositorio.ufsm.br:1/16026Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttps://repositorio.ufsm.br/ONGhttps://repositorio.ufsm.br/oai/requestatendimento.sib@ufsm.br||tedebc@gmail.comopendoar:2022-04-11T11:35:38Manancial - Repositório Digital da UFSM - Universidade Federal de Santa Maria (UFSM)false |
dc.title.none.fl_str_mv |
Análise de topologias para lâmpada bulbo led utilizando dispositivos semicondutores de nitreto de gálio operando em 1MHz Analysis of topologies for bulb led lamps using gallium nitride semiconductors operating in 1MHz |
title |
Análise de topologias para lâmpada bulbo led utilizando dispositivos semicondutores de nitreto de gálio operando em 1MHz |
spellingShingle |
Análise de topologias para lâmpada bulbo led utilizando dispositivos semicondutores de nitreto de gálio operando em 1MHz Rosa, Veridiane Lopes Perdas GaN Conversores ressonantes Losses Resonant converters CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELETRICA |
title_short |
Análise de topologias para lâmpada bulbo led utilizando dispositivos semicondutores de nitreto de gálio operando em 1MHz |
title_full |
Análise de topologias para lâmpada bulbo led utilizando dispositivos semicondutores de nitreto de gálio operando em 1MHz |
title_fullStr |
Análise de topologias para lâmpada bulbo led utilizando dispositivos semicondutores de nitreto de gálio operando em 1MHz |
title_full_unstemmed |
Análise de topologias para lâmpada bulbo led utilizando dispositivos semicondutores de nitreto de gálio operando em 1MHz |
title_sort |
Análise de topologias para lâmpada bulbo led utilizando dispositivos semicondutores de nitreto de gálio operando em 1MHz |
author |
Rosa, Veridiane Lopes |
author_facet |
Rosa, Veridiane Lopes |
author_role |
author |
dc.contributor.none.fl_str_mv |
Prado, Ricardo Nederson do http://lattes.cnpq.br/6324790827842684 Cosetin, Marcelo Rafael http://lattes.cnpq.br/4834011530700633 Russi, Jumar Luís http://lattes.cnpq.br/8066639517474565 |
dc.contributor.author.fl_str_mv |
Rosa, Veridiane Lopes |
dc.subject.por.fl_str_mv |
Perdas GaN Conversores ressonantes Losses Resonant converters CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELETRICA |
topic |
Perdas GaN Conversores ressonantes Losses Resonant converters CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELETRICA |
description |
This paper presents the losses and efficiency evaluation to three different topologies. This paper goals are evaluating the losses percental related to the semiconductors devices, Gallium Nitride (GaN). This paper presents the converters: synchronous Buck, quasi-resonant Buck converter and LLC resonant converter. The topologies have their losses evaluated by calculation, simulation and experimental, therefore it is possible to compare the methods. Utilizing the calculation and simulation method is possible to predict the real converter behaviour, as result is possible to evaluate each device losses. In conclusion the Gallium Nitrite have some limitations to low load applications and hard switching operation. In the resonant applications the semiconductor devices, GaN, have their losses decreased. |
publishDate |
2018 |
dc.date.none.fl_str_mv |
2018-08-31 2019-04-01T14:17:27Z 2019-04-01T14:17:27Z |
dc.type.status.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type.driver.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/masterThesis |
format |
masterThesis |
status_str |
publishedVersion |
dc.identifier.uri.fl_str_mv |
http://repositorio.ufsm.br/handle/1/16026 |
url |
http://repositorio.ufsm.br/handle/1/16026 |
dc.language.iso.fl_str_mv |
por |
language |
por |
dc.rights.driver.fl_str_mv |
Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ info:eu-repo/semantics/openAccess |
rights_invalid_str_mv |
Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ |
eu_rights_str_mv |
openAccess |
dc.format.none.fl_str_mv |
application/pdf |
dc.publisher.none.fl_str_mv |
Universidade Federal de Santa Maria Brasil Engenharia Elétrica UFSM Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica Centro de Tecnologia |
publisher.none.fl_str_mv |
Universidade Federal de Santa Maria Brasil Engenharia Elétrica UFSM Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica Centro de Tecnologia |
dc.source.none.fl_str_mv |
reponame:Manancial - Repositório Digital da UFSM instname:Universidade Federal de Santa Maria (UFSM) instacron:UFSM |
instname_str |
Universidade Federal de Santa Maria (UFSM) |
instacron_str |
UFSM |
institution |
UFSM |
reponame_str |
Manancial - Repositório Digital da UFSM |
collection |
Manancial - Repositório Digital da UFSM |
repository.name.fl_str_mv |
Manancial - Repositório Digital da UFSM - Universidade Federal de Santa Maria (UFSM) |
repository.mail.fl_str_mv |
atendimento.sib@ufsm.br||tedebc@gmail.com |
_version_ |
1805922112799506432 |