Análise do Conversor Totem Pole para Correção do Fator de Potência utilizando Semicondutores de Nitreto de Gálio (GaN)

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Bach, Leonardo Cassol
Data de Publicação: 2021
Outros Autores: Rech, Cassiano, Batschauer, Alessandro Luiz
Tipo de documento: Artigo de conferência
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do UFSM
Texto Completo: http://repositorio.ufsm.br/handle/1/21768
Resumo: Neste artigo é apresentada a análise do conversor Totem Pole para correção do fator de potência, sendo mostradas as etapas de operação, modelagem e controle. Também são discutidas as vantagens do seu uso com semicondutores de potência de Nitreto de Gálio (Gallium Nitride - GaN) e diferenças em relação ao conversor Boost PFC. De modo a validar as análises, são mostradas simulações para uma aplicação de 360W. https://doi.org/10.53316/sepoc2021.016
id UFSM_fc2b7c900f2ebd58c7b14eff83ef5e4b
oai_identifier_str oai:repositorio.ufsm.br:1/21768
network_acronym_str UFSM
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do UFSM
repository_id_str
spelling 2021-08-07T20:14:14Z2021-08-07T20:14:14Z2021-05-18http://repositorio.ufsm.br/handle/1/21768porSEPOC 202130040000000760029b1bfe5-8bad-4b27-a1ca-9963e595e1df5c2447be-86ff-4a35-9a48-8082ea13661f5c2c95d6-2e3f-40db-87e0-5143e492c6bdAttribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internationalhttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/info:eu-repo/semantics/openAccessCorreção do fator de potênciaSemicondutores GaNConversor Totem PoleCNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELETRICAAnálise do Conversor Totem Pole para Correção do Fator de Potência utilizando Semicondutores de Nitreto de Gálio (GaN)info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/conferenceObjectNeste artigo é apresentada a análise do conversor Totem Pole para correção do fator de potência, sendo mostradas as etapas de operação, modelagem e controle. Também são discutidas as vantagens do seu uso com semicondutores de potência de Nitreto de Gálio (Gallium Nitride - GaN) e diferenças em relação ao conversor Boost PFC. De modo a validar as análises, são mostradas simulações para uma aplicação de 360W. https://doi.org/10.53316/sepoc2021.016Bach, Leonardo CassolRech, CassianoBatschauer, Alessandro LuizBrasilreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do UFSMinstname:Universidade Federal de Santa Maria (UFSM)instacron:UFSMORIGINAL016 - Análise do Conversor Totem Pole Para Correção do Fator de Potência Utilizando Semicondutores de Nitreto de Gálio.pdf016 - Análise do Conversor Totem Pole Para Correção do Fator de Potência Utilizando Semicondutores de Nitreto de Gálio.pdfArtigo de Eventoapplication/pdf1696619http://repositorio.ufsm.br/bitstream/1/21768/1/016%20-%20An%c3%a1lise%20do%20Conversor%20Totem%20Pole%20Para%20Corre%c3%a7%c3%a3o%20do%20Fator%20de%20Pot%c3%aancia%20Utilizando%20Semicondutores%20de%20Nitreto%20de%20G%c3%a1lio.pdf9f3fac4b2410615264aec1905ff31663MD51CC-LICENSElicense_rdflicense_rdfapplication/rdf+xml; charset=utf-8805http://repositorio.ufsm.br/bitstream/1/21768/2/license_rdf4460e5956bc1d1639be9ae6146a50347MD52LICENSElicense.txtlicense.txttext/plain; charset=utf-816http://repositorio.ufsm.br/bitstream/1/21768/3/license.txtf8fcb28efb1c8cf0dc096bec902bf4c4MD53TEXT016 - Análise do Conversor Totem Pole Para Correção do Fator de Potência Utilizando Semicondutores de Nitreto de Gálio.pdf.txt016 - Análise do Conversor Totem Pole Para Correção do Fator de Potência Utilizando Semicondutores de Nitreto de Gálio.pdf.txtExtracted texttext/plain20739http://repositorio.ufsm.br/bitstream/1/21768/4/016%20-%20An%c3%a1lise%20do%20Conversor%20Totem%20Pole%20Para%20Corre%c3%a7%c3%a3o%20do%20Fator%20de%20Pot%c3%aancia%20Utilizando%20Semicondutores%20de%20Nitreto%20de%20G%c3%a1lio.pdf.txt382c99f1abd47a93966d0cd29d752766MD54THUMBNAIL016 - Análise do Conversor Totem Pole Para Correção do Fator de Potência Utilizando Semicondutores de Nitreto de Gálio.pdf.jpg016 - Análise do Conversor Totem Pole Para Correção do Fator de Potência Utilizando Semicondutores de Nitreto de Gálio.pdf.jpgIM Thumbnailimage/jpeg8552http://repositorio.ufsm.br/bitstream/1/21768/5/016%20-%20An%c3%a1lise%20do%20Conversor%20Totem%20Pole%20Para%20Corre%c3%a7%c3%a3o%20do%20Fator%20de%20Pot%c3%aancia%20Utilizando%20Semicondutores%20de%20Nitreto%20de%20G%c3%a1lio.pdf.jpga79eb86506a5a01533a453aad1f63d0bMD551/217682021-08-08 03:07:33.022oai:repositorio.ufsm.br:1/21768Q3JlYXRpdmUgQ29tbW9ucw==Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttps://repositorio.ufsm.br/ONGhttps://repositorio.ufsm.br/oai/requestatendimento.sib@ufsm.br||tedebc@gmail.comopendoar:2021-08-08T06:07:33Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do UFSM - Universidade Federal de Santa Maria (UFSM)false
dc.title.por.fl_str_mv Análise do Conversor Totem Pole para Correção do Fator de Potência utilizando Semicondutores de Nitreto de Gálio (GaN)
title Análise do Conversor Totem Pole para Correção do Fator de Potência utilizando Semicondutores de Nitreto de Gálio (GaN)
spellingShingle Análise do Conversor Totem Pole para Correção do Fator de Potência utilizando Semicondutores de Nitreto de Gálio (GaN)
Bach, Leonardo Cassol
Correção do fator de potência
Semicondutores GaN
Conversor Totem Pole
CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELETRICA
title_short Análise do Conversor Totem Pole para Correção do Fator de Potência utilizando Semicondutores de Nitreto de Gálio (GaN)
title_full Análise do Conversor Totem Pole para Correção do Fator de Potência utilizando Semicondutores de Nitreto de Gálio (GaN)
title_fullStr Análise do Conversor Totem Pole para Correção do Fator de Potência utilizando Semicondutores de Nitreto de Gálio (GaN)
title_full_unstemmed Análise do Conversor Totem Pole para Correção do Fator de Potência utilizando Semicondutores de Nitreto de Gálio (GaN)
title_sort Análise do Conversor Totem Pole para Correção do Fator de Potência utilizando Semicondutores de Nitreto de Gálio (GaN)
author Bach, Leonardo Cassol
author_facet Bach, Leonardo Cassol
Rech, Cassiano
Batschauer, Alessandro Luiz
author_role author
author2 Rech, Cassiano
Batschauer, Alessandro Luiz
author2_role author
author
dc.contributor.author.fl_str_mv Bach, Leonardo Cassol
Rech, Cassiano
Batschauer, Alessandro Luiz
dc.subject.por.fl_str_mv Correção do fator de potência
Semicondutores GaN
Conversor Totem Pole
topic Correção do fator de potência
Semicondutores GaN
Conversor Totem Pole
CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELETRICA
dc.subject.cnpq.fl_str_mv CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELETRICA
description Neste artigo é apresentada a análise do conversor Totem Pole para correção do fator de potência, sendo mostradas as etapas de operação, modelagem e controle. Também são discutidas as vantagens do seu uso com semicondutores de potência de Nitreto de Gálio (Gallium Nitride - GaN) e diferenças em relação ao conversor Boost PFC. De modo a validar as análises, são mostradas simulações para uma aplicação de 360W. https://doi.org/10.53316/sepoc2021.016
publishDate 2021
dc.date.submitted.none.fl_str_mv 2021-05-18
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2021-08-07T20:14:14Z
dc.date.available.fl_str_mv 2021-08-07T20:14:14Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/conferenceObject
format conferenceObject
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://repositorio.ufsm.br/handle/1/21768
url http://repositorio.ufsm.br/handle/1/21768
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.cnpq.fl_str_mv 300400000007
dc.relation.confidence.fl_str_mv 600
dc.relation.authority.fl_str_mv 29b1bfe5-8bad-4b27-a1ca-9963e595e1df
5c2447be-86ff-4a35-9a48-8082ea13661f
5c2c95d6-2e3f-40db-87e0-5143e492c6bd
dc.relation.ispartof.por.fl_str_mv SEPOC 2021
dc.rights.driver.fl_str_mv Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
info:eu-repo/semantics/openAccess
rights_invalid_str_mv Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
eu_rights_str_mv openAccess
dc.publisher.country.fl_str_mv Brasil
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do UFSM
instname:Universidade Federal de Santa Maria (UFSM)
instacron:UFSM
instname_str Universidade Federal de Santa Maria (UFSM)
instacron_str UFSM
institution UFSM
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do UFSM
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do UFSM
bitstream.url.fl_str_mv http://repositorio.ufsm.br/bitstream/1/21768/1/016%20-%20An%c3%a1lise%20do%20Conversor%20Totem%20Pole%20Para%20Corre%c3%a7%c3%a3o%20do%20Fator%20de%20Pot%c3%aancia%20Utilizando%20Semicondutores%20de%20Nitreto%20de%20G%c3%a1lio.pdf
http://repositorio.ufsm.br/bitstream/1/21768/2/license_rdf
http://repositorio.ufsm.br/bitstream/1/21768/3/license.txt
http://repositorio.ufsm.br/bitstream/1/21768/4/016%20-%20An%c3%a1lise%20do%20Conversor%20Totem%20Pole%20Para%20Corre%c3%a7%c3%a3o%20do%20Fator%20de%20Pot%c3%aancia%20Utilizando%20Semicondutores%20de%20Nitreto%20de%20G%c3%a1lio.pdf.txt
http://repositorio.ufsm.br/bitstream/1/21768/5/016%20-%20An%c3%a1lise%20do%20Conversor%20Totem%20Pole%20Para%20Corre%c3%a7%c3%a3o%20do%20Fator%20de%20Pot%c3%aancia%20Utilizando%20Semicondutores%20de%20Nitreto%20de%20G%c3%a1lio.pdf.jpg
bitstream.checksum.fl_str_mv 9f3fac4b2410615264aec1905ff31663
4460e5956bc1d1639be9ae6146a50347
f8fcb28efb1c8cf0dc096bec902bf4c4
382c99f1abd47a93966d0cd29d752766
a79eb86506a5a01533a453aad1f63d0b
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
MD5
MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do UFSM - Universidade Federal de Santa Maria (UFSM)
repository.mail.fl_str_mv atendimento.sib@ufsm.br||tedebc@gmail.com
_version_ 1801485347266232320