Magnetorresistência e correntes de spin em Multicamadas de Ni81Fe19/ZnO/Pd
Autor(a) principal: | |
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Data de Publicação: | 2017 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Manancial - Repositório Digital da UFSM |
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Texto Completo: | http://repositorio.ufsm.br/handle/1/12779 |
Resumo: | In this work, we analyzed samples of thin films Ni81Fe19 and Pd with ZnO spacer. Ni81Fe19 is a ferromagnet with a low saturation magnetic field. Pd is a normal metal with high spinorbit coupling, much used in spin Hall effect and inverse spin Hall effect studies. ZnO is a semiconductor whose role is to reduce the charge current between layers. The sample have 5 nm of Ni81Fe19, 3 nm of Pd, and 2 nm of ZnO, with dimensions of 0.4 mm x 8 mm, deposited by magnetron sputtering. Using spin pumping we analyze the signal of the continuous voltage induced by ferromagnetic resonance. These samples the measured signal is a consequence of anisotropic magnetoresistance, anomalous Hall effect and inverse spin Hall effect. The thicknesses used contributes to a predominant inverse spin Hall effect signal. The ZnO spacer layer 2 nm reduces the effects of spin rectification, while maintaining spin current transfer. |
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Magnetorresistência e correntes de spin em Multicamadas de Ni81Fe19/ZnO/PdMagnetoresistance and spin current in multilayers Ni81Fe19/ZnO/PdCorrentes de spinEfeito Hall de spin inversoMagnetorresistênciaSpin currentInverse spin Hall effectMagnetoresistanceCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICAIn this work, we analyzed samples of thin films Ni81Fe19 and Pd with ZnO spacer. Ni81Fe19 is a ferromagnet with a low saturation magnetic field. Pd is a normal metal with high spinorbit coupling, much used in spin Hall effect and inverse spin Hall effect studies. ZnO is a semiconductor whose role is to reduce the charge current between layers. The sample have 5 nm of Ni81Fe19, 3 nm of Pd, and 2 nm of ZnO, with dimensions of 0.4 mm x 8 mm, deposited by magnetron sputtering. Using spin pumping we analyze the signal of the continuous voltage induced by ferromagnetic resonance. These samples the measured signal is a consequence of anisotropic magnetoresistance, anomalous Hall effect and inverse spin Hall effect. The thicknesses used contributes to a predominant inverse spin Hall effect signal. The ZnO spacer layer 2 nm reduces the effects of spin rectification, while maintaining spin current transfer.Neste trabalho analisamos amostras de filmes finos de Ni81Fe19 e Pd separados por ZnO. O Ni81Fe19 foi escolhido por ser um ferromagneto com baixo campo magnético de saturação. O Pd é um metal normal com alto acoplamento spin-órbita, muito usado em estudos de efeito Hall de spin e efeito Hall de spin inverso. O ZnO é um semicondutor com o papel de diminuir a transferência de corrente de carga entre as camadas. As amostras tem espessura de 5 nm de Ni81Fe19, 3 nm de Pd e 2 nm de ZnO, com dimensões de 0,4 mm x 8 mm, depositadas por magnetron sputtering. Através da técnica de spin pumping analisamos o sinal de tensão contínua induzida por ressonância ferromagnética. Nestas amostras o sinal medido é consequência de efeitos de magnetorresistência anisotrópica, efeito Hall anômalo e efeito Hall de spin inverso. As espessuras utilizadas permitem um sinal de efeito Hall de spin inverso predominante. A camada espaçadora de 2nm de ZnO reduz os efeitos de retificação de spin, mantendo a transferência de corrente de spin.Universidade Federal de Santa MariaBrasilFísicaUFSMPrograma de Pós-Graduação em FísicaCentro de Ciências Naturais e ExatasDorneles, Lucio Strazzaboscohttp://lattes.cnpq.br/7244173039310066Pereira, Luis Gustavohttp://lattes.cnpq.br/4501408216617173Silva, Ricardo Barreto dahttp://lattes.cnpq.br/8538297526477728Dugato, Danian Alexandre2018-03-22T12:58:59Z2018-03-22T12:58:59Z2017-03-02info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfhttp://repositorio.ufsm.br/handle/1/12779ark:/26339/001300000h3bbporAttribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internationalhttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/info:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Manancial - Repositório Digital da UFSMinstname:Universidade Federal de Santa Maria (UFSM)instacron:UFSM2022-06-29T13:50:45Zoai:repositorio.ufsm.br:1/12779Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttps://repositorio.ufsm.br/ONGhttps://repositorio.ufsm.br/oai/requestatendimento.sib@ufsm.br||tedebc@gmail.comopendoar:2024-07-29T10:39:46.275947Manancial - Repositório Digital da UFSM - Universidade Federal de Santa Maria (UFSM)false |
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In this work, we analyzed samples of thin films Ni81Fe19 and Pd with ZnO spacer. Ni81Fe19 is a ferromagnet with a low saturation magnetic field. Pd is a normal metal with high spinorbit coupling, much used in spin Hall effect and inverse spin Hall effect studies. ZnO is a semiconductor whose role is to reduce the charge current between layers. The sample have 5 nm of Ni81Fe19, 3 nm of Pd, and 2 nm of ZnO, with dimensions of 0.4 mm x 8 mm, deposited by magnetron sputtering. Using spin pumping we analyze the signal of the continuous voltage induced by ferromagnetic resonance. These samples the measured signal is a consequence of anisotropic magnetoresistance, anomalous Hall effect and inverse spin Hall effect. The thicknesses used contributes to a predominant inverse spin Hall effect signal. The ZnO spacer layer 2 nm reduces the effects of spin rectification, while maintaining spin current transfer. |
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