Avaliação de modelos de injeção de carga para a engenharia de contatos em TCAD

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Oliveira, Vitor Hugo da Silva
Data de Publicação: 2018
Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Monografias da UnB
Texto Completo: https://bdm.unb.br/handle/10483/28494
Resumo: Trabalho de Conclusão de Curso (graduação)—Universidade de Brasília, Faculdade de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica, 2018.
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spelling Oliveira, Vitor Hugo da SilvaBlawid, Stefan MichaelOLIVEIRA, Vitor Hugo da Silva. Avaliação de modelos de injeção de carga para a engenharia de contatos em TCAD. 2018. [14], 52 f., il. Trabalho de Conclusão de Curso (Bacharelado em Engenharia Elétrica)—Universidade de Brasília, Brasília, 2018.https://bdm.unb.br/handle/10483/28494Trabalho de Conclusão de Curso (graduação)—Universidade de Brasília, Faculdade de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica, 2018.Materiais orgânicos emergentes trazem a promessa de eletrônicos de baixo custo e grandes áreas. Normalmente utilizados como material de camada ativa na tecnologia de transistores de filme fino, eles permitem o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos leves, macios e flexíveis, como rótulos inteligentes, sistemas integrados vestíveis, peles artificiais e implantes médicos. No entanto, materiais orgânicos possuem uma resistência de contato com metais maior do que suas contrapartes inorgânicas, degradando o desempenho do dispositivo e impedindo o seu alocamento ao mercado. Portanto, esse trabalho visa fornecer modelos computacionais para diferentes estratégias de engenharia de contatos que englobem um grande número de fenômenos de interface. Embora o silício seja utilizado como o principal material semicondutor para as simulações, os modelos discutidos aqui também são aplicáveis a dispositivos orgânicos. Empregando o simulador de dispositivos Sentaurus TCAD, comercializado pela Synopsys, nós modelamos diferentes interfaces metal-semicondutor com e sem camadas intermediárias, avaliando os fenômenos relacionados e as estratégias correspondentes para melhorar os contatos. As curvas de corrente-tensão de diferentes resistores semicondutores foram simuladas e as respectivas resistências de contato determinadas, analisadas e discutidas.Submitted by Patricia Nunes (patricia@bce.unb.br) on 2021-09-09T19:27:53Z No. of bitstreams: 1 2018_VitorHugoDaSilvaOliveira_tcc.pdf: 3321688 bytes, checksum: 7711bc1492576f6ccb6f7d140cc12ef2 (MD5)Approved for entry into archive by Patricia Nunes (patricia@bce.unb.br) on 2021-09-09T19:30:01Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2018_VitorHugoDaSilvaOliveira_tcc.pdf: 3321688 bytes, checksum: 7711bc1492576f6ccb6f7d140cc12ef2 (MD5)Made available in DSpace on 2021-09-09T19:30:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2018_VitorHugoDaSilvaOliveira_tcc.pdf: 3321688 bytes, checksum: 7711bc1492576f6ccb6f7d140cc12ef2 (MD5)Emergent organic materials hold the promise for low-cost, large-area electronics. Used as active layer materials in thin-film transistor technology, they enable the development of light-weight, soft and flexible electronic devices like smart labels, wearable integrated systems, artificial skins and medical implants. However, organic materials possess a higher contact resistance with metals than their inorganic counterparts, degrading device performance and hindering successful market placement. Thus, this work aims to provide computational models for different contact engineering strategies that encompass a large number of interface phenomena. Although silicon is used as the main semiconductor material of the simulations, the models discussed here are applicable for organic devices too. Employing the Sentaurus TCAD device simulator, commercialized by Synopsys, we modeled different metal-semiconductor interfaces with and without intermediate layers, evaluating the related phenomena and the corresponding strategies to improve contacts. Current-Voltage curves of different semiconductor resistors were simulated and the respective contact resistances determined, analyzed and discussed.A concessão da licença deste item refere-se ao termo de autorização impresso assinado pelo autor que autoriza a Biblioteca Digital da Produção Intelectual Discente da Universidade de Brasília (BDM) a disponibilizar o trabalho de conclusão de curso por meio do sítio bdm.unb.br, com as seguintes condições: disponível sob Licença Creative Commons 4.0 International, que permite copiar, distribuir e transmitir o trabalho, desde que seja citado o autor e licenciante. Não permite o uso para fins comerciais nem a adaptação desta.info:eu-repo/semantics/openAccessEletrônica orgânicaMateriais - testesEngenharia de contatosAvaliação de modelos de injeção de carga para a engenharia de contatos em TCADinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/bachelorThesis2021-09-09T19:30:01Z2021-09-09T19:30:01Z2018-12-07porreponame:Biblioteca Digital de Monografias da UnBinstname:Universidade de Brasília (UnB)instacron:UNBLICENSElicense.txtlicense.txttext/plain1817http://bdm.unb.br/xmlui/bitstream/10483/28494/2/license.txt21554873e56ad8ddc69c092699b98f95MD52ORIGINAL2018_VitorHugoDaSilvaOliveira_tcc.pdf2018_VitorHugoDaSilvaOliveira_tcc.pdfapplication/pdf3321688http://bdm.unb.br/xmlui/bitstream/10483/28494/1/2018_VitorHugoDaSilvaOliveira_tcc.pdf7711bc1492576f6ccb6f7d140cc12ef2MD5110483/284942021-09-09 16:30:01.454oai:bdm.unb.br:10483/28494w4kgbmVjZXNzw6FyaW8gY29uY29yZGFyIGNvbSBhIGxpY2Vuw6dhIGRlIGRpc3RyaWJ1acOnw6NvIG7Do28tZXhjbHVzaXZhLAphbnRlcyBxdWUgbyBkb2N1bWVudG8gcG9zc2EgYXBhcmVjZXIgbmEgQmlibGlvdGVjYSBEaWdpdGFsIGRhIFByb2R1w6fDo28gCkRpc2NlbnRlIGRhIFVuaXZlcnNpZGFkZSBkZSBCcmFzw61saWEuIFBvciBmYXZvciwgbGVpYSBhCmxpY2Vuw6dhIGF0ZW50YW1lbnRlLiBDYXNvIG5lY2Vzc2l0ZSBkZSBhbGd1bSBlc2NsYXJlY2ltZW50byBlbnRyZSBlbQpjb250YXRvIGF0cmF2w6lzIGRlOiBiZG1AYmNlLnVuYi5iciBvdSAzMTA3LTI2ODcuCgpMSUNFTsOHQSBERSBESVNUUklCVUnDh8ODTyBOw4NPLUVYQ0xVU0lWQQoKQW8gYXNzaW5hciBlIGVudHJlZ2FyIGVzdGEgbGljZW7Dp2EsIG8vYSBTci4vU3JhLiAoYXV0b3Igb3UgZGV0ZW50b3IgZG9zCmRpcmVpdG9zIGRlIGF1dG9yKToKCmEpIENvbmNlZGUgw6AgVW5pdmVyc2lkYWRlIGRlIEJyYXPDrWxpYSBvIGRpcmVpdG8gbsOjby1leGNsdXNpdm8gZGUKcmVwcm9kdXppciwgY29udmVydGVyIChjb21vIGRlZmluaWRvIGFiYWl4byksIGNvbXVuaWNhciBlL291CmRpc3RyaWJ1aXIgbyBkb2N1bWVudG8gZW50cmVndWUgKGluY2x1aW5kbyBvIHJlc3Vtby9hYnN0cmFjdCkgZW0KZm9ybWF0byBkaWdpdGFsIG91IGltcHJlc3NvIGUgZW0gcXVhbHF1ZXIgbWVpby4KCmIpIERlY2xhcmEgcXVlIG8gZG9jdW1lbnRvIGVudHJlZ3VlIMOpIHNldSB0cmFiYWxobyBvcmlnaW5hbCwgZSBxdWUKZGV0w6ltIG8gZGlyZWl0byBkZSBjb25jZWRlciBvcyBkaXJlaXRvcyBjb250aWRvcyBuZXN0YSBsaWNlbsOnYS4gRGVjbGFyYQp0YW1iw6ltIHF1ZSBhIGVudHJlZ2EgZG8gZG9jdW1lbnRvIG7Do28gaW5mcmluZ2UsIHRhbnRvIHF1YW50byBsaGUgw6kKcG9zc8OtdmVsIHNhYmVyLCBvcyBkaXJlaXRvcyBkZSBxdWFscXVlciBvdXRyYSBwZXNzb2Egb3UgZW50aWRhZGUuCgpjKSBTZSBvIGRvY3VtZW50byBlbnRyZWd1ZSBjb250w6ltIG1hdGVyaWFsIGRvIHF1YWwgbsOjbyBkZXTDqW0gb3MKZGlyZWl0b3MgZGUgYXV0b3IsIGRlY2xhcmEgcXVlIG9idGV2ZSBhdXRvcml6YcOnw6NvIGRvIGRldGVudG9yIGRvcwpkaXJlaXRvcyBkZSBhdXRvciBwYXJhIGNvbmNlZGVyIMOgIFVuaXZlcnNpZGFkZSBkZSBCcmFzw61saWEgb3MgZGlyZWl0b3MKcmVxdWVyaWRvcyBwb3IgZXN0YSBsaWNlbsOnYSwgZSBxdWUgZXNzZSBtYXRlcmlhbCBjdWpvcyBkaXJlaXRvcyBzw6NvIGRlCnRlcmNlaXJvcyBlc3TDoSBjbGFyYW1lbnRlIGlkZW50aWZpY2FkbyBlIHJlY29uaGVjaWRvIG5vIHRleHRvIG91CmNvbnRlw7pkbyBkbyBkb2N1bWVudG8gZW50cmVndWUuCgpTZSBvIGRvY3VtZW50byBlbnRyZWd1ZSDDqSBiYXNlYWRvIGVtIHRyYWJhbGhvIGZpbmFuY2lhZG8gb3UgYXBvaWFkbwpwb3Igb3V0cmEgaW5zdGl0dWnDp8OjbyBxdWUgbsOjbyBhIFVuaXZlcnNpZGFkZSBkZSBCcmFzw61saWEsIGRlY2xhcmEgcXVlCmN1bXByaXUgcXVhaXNxdWVyIG9icmlnYcOnw7VlcyBleGlnaWRhcyBwZWxvIHJlc3BlY3Rpdm8gY29udHJhdG8gb3UKYWNvcmRvLgoKQSBVbml2ZXJzaWRhZGUgZGUgQnJhc8OtbGlhIGlkZW50aWZpY2Fyw6EgY2xhcmFtZW50ZSBvKHMpIHNldSAocykgbm9tZSAocykKY29tbyBvIChzKSBhdXRvciAoZXMpIG91IGRldGVudG9yIChlcykgZG9zIGRpcmVpdG9zIGRvIGRvY3VtZW50bwplbnRyZWd1ZSwgZSBuw6NvIGZhcsOhIHF1YWxxdWVyIGFsdGVyYcOnw6NvLCBwYXJhIGFsw6ltIGRhcyBwZXJtaXRpZGFzIHBvcgplc3RhIGxpY2Vuw6dhLgo=Biblioteca Digital de Monografiahttps://bdm.unb.br/PUBhttp://bdm.unb.br/oai/requestbdm@bce.unb.br||patricia@bce.unb.bropendoar:115712021-09-09T19:30:01Biblioteca Digital de Monografias da UnB - Universidade de Brasília (UnB)false
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