Éxcitons em Estruturas Semiconductoras Artificiais de (GaAs)/(AIAs)

• Autor(a) principal: Teodoro, Márcio Daldin
• Data de Publicação: 2009
• Outros Autores: González-Borrero, Pedro Pablo, Lenart, Vinícius Mariani, Lupiano Dias, Ivan Frederico, Laureto, Edson, Duarte, José Leonil, Marega Jr., Euclydes
• Tipo de documento: Artigo
• Idioma: por
• Título da fonte: Revista Ciências Exatas e Naturais (Online)
• Texto Completo: https://revistas.unicentro.br/index.php/RECEN/article/view/26
• topic: Física; éxcitons; super-redes; fotoluminescência

Neste artigo estudamos a influência da direção de crescimento e do número de monocamadas nas propriedades ópticas de super-redes de (GaAs)m/(AlAs)5 com m = 3 ou 5. As direções escolhidas foram a [111]A, [311]A e a [100]. Esta últimafoi utilizada como referência. As configurações das ligações químicas do substrato de arseneto de gálio mudam de acordo com a orientação, o que implica em variações nas propriedades ópticas da heteroestrutura crescida. As super-redes foram caracterizadasatravés da técnica de Fotoluminescência em função da temperatura e da intensidade de excitação. Da análise, verificou-se que os picos principais dos espectros sãoatribuídos a transições indiretas dos éxcitons na direção [100] e [311]A para m=3 ou 5, e [111]A com m=5, assim como as transições com participações de fônons de AlAs na [100] com m=3, e de GaAs para [311]A com m=5. Na [100] com m=5 foiconstatado um aumento na energia de transição excitônica cujo aumento é verificado pela dependência com a temperatura. A superfície [111]A com m=3 apresentou um comportamento anômalo, sendo o pico de maior intensidade deslocado para regiões de menores energias em relação as demais direções.