Propriedades ópticas de éxcitons e aceitadores de Be confinados em múltiplos poços quânticos de GaAs/Ga0.7Al0.3As

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Oliveira, Jose Bras Barreto de
Data de Publicação: 1996
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1583677
Resumo: Orientador: Eliermes Arraes Meneses
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spelling Propriedades ópticas de éxcitons e aceitadores de Be confinados em múltiplos poços quânticos de GaAs/Ga0.7Al0.3AsTeoria dos excitonsSemicondutores - Propriedades óticasOrientador: Eliermes Arraes MenesesTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: Neste trabalho estudamos as propriedades ópticas de excitons e de aceitadores de Be, confinados num sistema de múltiplos poços quânticos de GaAS/Ga0.7AlO.3As, usando as técnicas de fotoluminescência e fotoluminescência de excitação. Observamos a emissão relacionada aos excitons ligados os quais acreditamos estar ligados a defeitos ionizados localizados na interface. A dimensão lateral média das microrugosidades das interfaces foi determinada usando medidas de magneto-fotoluminescência e a aplicabilidade do modelo de Singh-Bajaj foi testada. Analisamos o efeito de ilhas planas e extensas, presentes na interface, sobre as energias de ligação e as energias dos estados excitados dos aceitadores de Be confinados. Calculamos, ainda, a forma de linha da fotoluminescência, associada à transição "free-to-bound", comparando com nossos resultados experimentaisAbstract: In this work we have studied the optical properties of excitons and Be acceptors, confined in a GaAS/Ga0.7AlO.3As multiple quantum well system, using photoluminescence and photoluminescence excitation techniques. We observed na emission related to the bound excitons which we believe are bound at the ionized interface defects. The average lateral dimensions of interface microroughness was determined from magneto-photoluminescence measurements and the applicability of the Singh-Bajaj's model was tested. We have performed an analysis of the effect of flat islands, localized at interfaces, on the binding energies and excited states energies of the confirmed Be acceptors. Also, we have calculated the photoluminescence line shape, associated to the free-to-bound transition, and confronted it with our I experimental resultsDoutoradoFísicaDoutor em Ciências[s.n.]Meneses, Eliermes Arraes, 1943-Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASOliveira, Jose Bras Barreto de19961996-08-28T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdf96 f. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1583677OLIVEIRA, Jose Bras Barreto de. Propriedades ópticas de éxcitons e aceitadores de Be confinados em múltiplos poços quânticos de GaAs/Ga0.7Al0.3As. 1996. 96 f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1583677. Acesso em: 27 fev. 2025.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/107826porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2017-12-06T11:32:50Zoai::107826Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2017-12-06T11:32:50Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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