Caracterização da superficie do silicio poroso por microscopia de força atomica

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Chang, Dahge Chiadin
Data de Publicação: 1995
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1582656
Resumo: Orientadores: Vitor Baranauskas, Ioshiaki Doi
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spelling Caracterização da superficie do silicio poroso por microscopia de força atomicaSilícioOrientadores: Vitor Baranauskas, Ioshiaki DoiDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia EletricaResumo: Após se descobrir que o silício pode emitir luz visível em uma condição bem particular, ou seja, através de uma excitação no estado poroso, foram feitos estudos sobre o fenômeno e se verificou que há uma relação da porosidade do silício com o comprimento de onda emitido. Esta propriedade de luminescência abre uma vasta gama de aplicações uma vez que o silício é um material muito conhecido e disponível. Este trabalho tem como propósito a uma melhor compreensão das propriedades estruturais deste material e fazer uma relação entre os tipos de materiais obtidos com o processo de fabricação. Para o estudo foi utilizado o microscópio de força atômica (MFA), um equipamento específico para a análise de superficies, e a obtenção do silício poroso (PS) pelo processo eletroquímico. Estudou-se amostras obtidas para várias condições de processo e obtido o perfil do material pelas análises do MFA, permitindo com os resultados obtidos auxiliar em obter PS com características superficiais específicasAbstract: After the discovery that silicon could emit visible light in porous state, many studies have been done to identify the relationship between the porosity of the silicon and the emitted light wavelenghí. The luminescente property makes possible wide range of potencial aplications. In this study propous the surface structural property of porous silicon is measured and related to the fabrication processo the samples were prepared by the eletrochemical dilution process and studied by the Atomic Force MicroscopeoMestradoMestre em Engenharia Elétrica[s.n.]Doi, Ioshiaki, 1944-Baranauskas, Vitor, 1952-2014Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia ElétricaPrograma de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASChang, Dahge Chiadin19951995-08-04T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf99f. : il.(Broch.)https://hdl.handle.net/20.500.12733/1582656CHANG, Dahge Chiadin. Caracterização da superficie do silicio poroso por microscopia de força atomica. 1995. 99f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1582656. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/93146porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2014-04-18T05:23:38Zoai::93146Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2014-04-18T05:23:38Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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