Contribuição ao desenvolvimento de sensores com silício poroso.

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Salcedo, Walter Jaimes
Data de Publicação: 1994
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
Texto Completo: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24052024-070606/
Resumo: O objetivo deste trabalho é contribuir com o desenvolvimento de uma tecnologia para o silício poroso que permita sua utilização na fabricação de sensores químicos e dispositivos optoeletrônicos. Apresenta-se uma revisão do estado da arte do modelamento e tecnologia do silício poroso, discutindo o carater polêmico de seus resultados. É apresentado um processo experimental para a obtenção de camadas de silício poroso e sua caracterização estrutural. Propondo-se um modelo analítico para determinar a estrutura da camada de silício poroso, utilizando os resultados da caracterização por espectroscopia infra-vermelho. Foram fabricados dispositivos utilizando camadas de silício poroso e testadas sob diferentes condições de temperatura e umidade. Analizando o comportamento elétrico destes dispositivos é proposto um modelo para o transporte de portadores de carga elétrica pela camada de silício poroso.
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