Equacionamento, simulação e analise de transcondutores que utilizam o transistor MOS operando na região de saturação

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Razera Junior, Luiz Antonio
Data de Publicação: 1995
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1582874
Resumo: Orientador: Wilmar Bueno de Moraes
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