Equacionamento, simulação e analise de transcondutores que utilizam o transistor MOS operando na região de saturação

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Razera Junior, Luiz Antonio
Data de Publicação: 1995
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1582874
Resumo: Orientador: Wilmar Bueno de Moraes
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spelling Equacionamento, simulação e analise de transcondutores que utilizam o transistor MOS operando na região de saturaçãoTransistoresConversores analógicos-digitaisOrientador: Wilmar Bueno de MoraesDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia EletricaResumo: Resumo: Este trabalho apresenta o equacionamento matemático, as simulações e análises detalhadas do comportamento DC, distorção harmônica, resposta em freqüência e excursão do sinal de entrada de dez conversores tensão-corrente, ou transcondutores, que utilizam transistores MOS operando na região de saturação. Estes transcondutores estão subdivididos em quatro grupos, correspondentes aos quatro capítulos do trabalho. São eles: Transcondutores com Pares Diferenciais; Transcondutores com Polarização Adaptativa; Transcondutores em Classe AB; Transcondutores Projetados no DEMIC/FEE-UNICAMP. São tecidos comentários acerca de cada circuito, enfatizando seus pontos positivos e negativos, além de comparações entre os transcondutores de um mesmo grupo. Sugestões e propostas d.e melhorias também são realizadas, além da verificação das mesmas através de simulaçõesAbstract: This work presents the mathematical equations, simulations and detailed analysis of DC behavior, harmonic distortion, frequency response and input signal excursion of ten V-I converters, or tranconductors, that use MOS transistors on the saturation region of operation. Those transconductors are divided into four groups, which corresponds to the four chapters of the thesis. They are: Transconductors with Differential Pairs; Transconductors with Adaptative Biasing; Class AB Transconductors; Transconductors Designed at DEMIC/FEE-UNICAMP. Comments are done on each circuit, enhancing their positive and negative aspects, besides comparisons among transconductors of a same group. Suggestions and enhancement proposes are also realized, besides their verification by simulationsMestradoMestre em Engenharia Elétrica[s.n.]Moraes, Wilmar Bueno de, 1939-Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia ElétricaPrograma de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASRazera Junior, Luiz Antonio19951995-06-14T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf113 f. : il.(Broch.)https://hdl.handle.net/20.500.12733/1582874RAZERA JUNIOR, Luiz Antonio. Equacionamento, simulação e analise de transcondutores que utilizam o transistor MOS operando na região de saturação. 1995. 113 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1582874. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/95874porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2022-05-04T18:03:15Zoai::95874Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2022-05-04T18:03:15Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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