Desenvolvimento de emissores de radiação na faixa de Terahertz baseados em compostos III-V fotocondutivos para espectroscopia e formação de imagens

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Jarschel, Paulo Felipe, 1985-
Data de Publicação: 2009
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1610410
Resumo: Orientador: Newton Cesário Frateschi
id UNICAMP-30_2728881efdea09c95f6348a41d618e85
oai_identifier_str oai::469058
network_acronym_str UNICAMP-30
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository_id_str
spelling Desenvolvimento de emissores de radiação na faixa de Terahertz baseados em compostos III-V fotocondutivos para espectroscopia e formação de imagensDevelopment of Terahertz radiation emitters based on photoconductive III-V compounds for spectroscopy and imagingOndas terahertzSemicondutoresRadiaçãoFotocondutividadeTerahertz wavesSemiconductorsRadiationPhotoconductivityOrientador: Newton Cesário FrateschiDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: A radiação eletromagnética em Terahertz (THz) situa-se na faixa de 1012 Hz, com comprimentos de onda associados variando de 30 µm até 3 mm. É possível então usar esta radiação para investigar propriedades físicas de materiais que requerem uma definição desta ordem. Além de aplicações na espectroscopia, estes comprimentos de onda são capazes de penetrar em papel, tecidos, pele e até neblina atmosférica, gerando um grande interesse em sistemas de segurança, medicina e aviação 1. Neste trabalho será apresentado o desenvolvimento de emissores de Terahertz baseados em SI-GaAs (GaAs Semi-Isolante), incluindo uma discussão detalhada da teoria desta emissão, descrição dos processos de fabricação e resultados obtidos de várias amostras. Esta antena consiste em eletrodos interdigitados depositados no topo de um substrato, de forma similar a fotodetectores MSM 2. A principal diferença entre estes dois dispositivos é que no emissor é feita uma segunda metalização,"opaca " e acima da anterior, separada por uma camada isolante de Si3N4. O princípio físico básico envolvido neste dispositivo é a emissão de radiação por cargas aceleradas. A idéia é que pares elétron-buraco sejam gerados por um laser de femtossegundo incidente na amostra, que se movem rapidamente entre os eletrodos, devido à tensão aplicada. Para obter a máxima eficiência de absorção, a camada isolante também serve como anti-refletora para o laser. A segunda metalização possui um papel essencial, pois ela garante que todos os portadores são acelerados no mesmo sentido, possibilitando então a interferência construtiva no campo distante (Far-Field) 3. Considerando a grande dificuldade de obtenção de lasers com pulsos de femtossegundos no período deste trabalho, utilizamos nosso dispositivo para a geração de ondas na faixa de MHz a partir de um laser pulsado eletronicamente, para verificação do princípio. Muito boa concordância entre nossa simulação e as medidas foi obtida. No entanto, deve-se observar que as propriedades da onda gerada neste caso são mais dependentes do pulso óptico em si do que da velocidade do dispositivo. De toda forma, o resultado mostra que o princípio de geração de ondas de rádio a partir de pulsos ópticos foi demonstrado com sucesso com nosso dispositivoAbstract: Terahertz electromagnetic radiation (THz) is situated around 1012 Hz in the electromagnetic wave spectrum, with associated wavelengths varying from 30 µm to 3 mm. It is possible then to use this radiation to investigate physical properties of materials that requires a definition of this order. Besides spectroscopy applications, these wavelengths are capable of penetrating deep into paper, skin, clothes, and even atmospheric fog, generating a great interest in using it for security systems, medicine and aviation¹. In this work, the development of Terahertz emitters based on photoconductive SI-GaAs (Semi-Insulator GaAs) will be presented, including a detailed discussion on the theory of this emission, description of the fabrication processes and results obtained from various samples. This antenna consists on interdigitated finger electrodes deposited on the top of a substrate, similar to MSM Photodetectors². The main difference between these two devices is that on our emitter,a second "opaque " metallization is done on top of the previous,separated by a Si3N4 dielectric layer. The basic physical concept involved in this device is radiation emission from accelerated charges. The idea is to generate electron-hole pairs by an incident femtosecond laser, which rapidly move between the electrodes, due to the bias voltage applied. To have maximum absorption efficiency, the insulating layer also serves as an anti-reflective coating for the pump laser. The second metallization plays an essential role, for it ensures that all carriers are accelerated in the same direction, thus allowing constructive interference on the far-field³. Giving the unavailability of a femtosecond laser for this work, we have used our device to generate radio waves in the MHz range using an electronically driven laser source. Very good agreement between our simulation and the results was obtained. One should note that in this case the emitted radiation is more dependent upon the optical pulse shape than the device speed itself. Nevertheless, our results show we have successfully demonstrated the generation of radio waves from optical pulses using our deviceMestradoFísica da Matéria CondensadaMestre em Física[s.n.]Frateschi, Newton Cesário, 1962-Hernández-Figueroa, Hugo EnriqueCruz, Flávio Caldas daUniversidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASJarschel, Paulo Felipe, 1985-20092009-11-09T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf67 f. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1610410JARSCHEL, Paulo Felipe. Desenvolvimento de emissores de radiação na faixa de Terahertz baseados em compostos III-V fotocondutivos para espectroscopia e formação de imagens. 2009. 67 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1610410. Acesso em: 3 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/469058porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-06-27T08:47:16Zoai::469058Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2019-06-27T08:47:16Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
dc.title.none.fl_str_mv Desenvolvimento de emissores de radiação na faixa de Terahertz baseados em compostos III-V fotocondutivos para espectroscopia e formação de imagens
Development of Terahertz radiation emitters based on photoconductive III-V compounds for spectroscopy and imaging
title Desenvolvimento de emissores de radiação na faixa de Terahertz baseados em compostos III-V fotocondutivos para espectroscopia e formação de imagens
spellingShingle Desenvolvimento de emissores de radiação na faixa de Terahertz baseados em compostos III-V fotocondutivos para espectroscopia e formação de imagens
Jarschel, Paulo Felipe, 1985-
Ondas terahertz
Semicondutores
Radiação
Fotocondutividade
Terahertz waves
Semiconductors
Radiation
Photoconductivity
title_short Desenvolvimento de emissores de radiação na faixa de Terahertz baseados em compostos III-V fotocondutivos para espectroscopia e formação de imagens
title_full Desenvolvimento de emissores de radiação na faixa de Terahertz baseados em compostos III-V fotocondutivos para espectroscopia e formação de imagens
title_fullStr Desenvolvimento de emissores de radiação na faixa de Terahertz baseados em compostos III-V fotocondutivos para espectroscopia e formação de imagens
title_full_unstemmed Desenvolvimento de emissores de radiação na faixa de Terahertz baseados em compostos III-V fotocondutivos para espectroscopia e formação de imagens
title_sort Desenvolvimento de emissores de radiação na faixa de Terahertz baseados em compostos III-V fotocondutivos para espectroscopia e formação de imagens
author Jarschel, Paulo Felipe, 1985-
author_facet Jarschel, Paulo Felipe, 1985-
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Frateschi, Newton Cesário, 1962-
Hernández-Figueroa, Hugo Enrique
Cruz, Flávio Caldas da
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin
Programa de Pós-Graduação em Física
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
dc.contributor.author.fl_str_mv Jarschel, Paulo Felipe, 1985-
dc.subject.por.fl_str_mv Ondas terahertz
Semicondutores
Radiação
Fotocondutividade
Terahertz waves
Semiconductors
Radiation
Photoconductivity
topic Ondas terahertz
Semicondutores
Radiação
Fotocondutividade
Terahertz waves
Semiconductors
Radiation
Photoconductivity
description Orientador: Newton Cesário Frateschi
publishDate 2009
dc.date.none.fl_str_mv 2009
2009-11-09T00:00:00Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12733/1610410
JARSCHEL, Paulo Felipe. Desenvolvimento de emissores de radiação na faixa de Terahertz baseados em compostos III-V fotocondutivos para espectroscopia e formação de imagens. 2009. 67 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1610410. Acesso em: 3 set. 2024.
url https://hdl.handle.net/20.500.12733/1610410
identifier_str_mv JARSCHEL, Paulo Felipe. Desenvolvimento de emissores de radiação na faixa de Terahertz baseados em compostos III-V fotocondutivos para espectroscopia e formação de imagens. 2009. 67 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1610410. Acesso em: 3 set. 2024.
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/469058
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
67 f. : il.
dc.publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
instname_str Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron_str UNICAMP
institution UNICAMP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.mail.fl_str_mv sbubd@unicamp.br
_version_ 1809189015973265408

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