Processo de fabricação de HBT em camadas de InGaP/GaAs

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Yoshioka, Ricardo Toshinori
Data de Publicação: 2001
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1591708
Resumo: Orientador : Jacobus Willibrordus Swart
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